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51. 发明专利

JP2010508447A Film formation method by vapor deposition from a plasma 有权
公开(公告)号：JP2010508447A
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：JP2009535599
申请日：2007-10-26
申请人：エコールポリテクニックEcole Polytechnique , ダウ・コーニング・コーポレイションDow Corning Corporation
发明人：デムーレンドル，ティボーケルヴィン , ダイネカ，ドゥミトゥリ , デカン，ピエール , バルキン，パヴェル , リンポール，パトリック , アイカバロカス，ペレロカ
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32678 , C23C16/24 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/45542 , C23C16/511 , C23C16/515 , H01J37/32192
摘要：例えばシリコン等の非晶質または微晶質材料の膜をプラズマから基板上に蒸着する方法を記載している。マイクロ波エネルギーを一連の不連続マイクロ波パルスとしてチャンバ内へ導入し、膜用前駆ガスを一連の不連続のガスパルスとしてチャンバ内へ導入し、水素原子を生成するガスを少なくとも各マイクロ波パルスの際にチャンバ内へ供給している。各マイクロ波パルスには前駆ガスパルスが重複しない形で続き、さらに各前駆ガスパルスには、マイクロ波パルスと前駆ガスパルスのいずれも無い期間が続く。
【選択図】図１

52. 发明专利

JP2010042410A Surface coating 审中-公开
标题翻译：表面涂层
公开(公告)号：JP2010042410A
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：JP2009220774
申请日：2009-09-25
申请人： Uk Government , イギリス国The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty’S Government Of The Uneted Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland
发明人： BADYAL JAS PAL SINGH , COULSON STEPHEN RICHARD , WILLIS COLIN ROBERT , BREWER STUART ANSON
IPC分类号： B05D3/04 , B05D5/00 , B05D7/00 , B05D7/24 , C09D201/00 , C09K3/18 , C23C14/12 , C23C16/30 , C23C16/515 , D06M10/02 , D06M10/08 , D06M10/10
CPC分类号： B05D1/62 , C23C16/30 , C23C16/515 , D06M10/025 , D06M10/08 , D06M10/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a water repellent or oil repellent coating on a substrate.
SOLUTION: A method of coating a surface with a polymer layer comprises exposing the surface to a pulsed plasma comprising a monomeric saturated organic compound, the compound comprises an optionally substituted alkyl chain of at least 5 carbon atoms optionally interposed with a heteroatom, such as a halo substituted alkane; so as to form an oil or water repellent coating on the substrate. Substrates such as fabrics obtained by this process are also claimed.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在基材上形成防水或拒油涂料的方法。解决方案：用聚合物层涂覆表面的方法包括将表面暴露于包含单体饱和有机化合物的脉冲等离子体中，该化合物包含任选插入有杂原子的至少5个碳原子的任选取代的烷基链，例如卤代烷烃; 以在基材上形成防油或防水涂料。还要求通过该方法获得的织物如织物。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

54. 发明专利

JP4233085B2 Thin film manufacturing method and apparatus 有权
公开(公告)号：JP4233085B2
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：JP2003038767
申请日：2003-02-17
申请人：日本碍子株式会社
发明人：幸則中村 , 尚登大竹 , 好正近藤 , 隆雄齊藤
IPC分类号： C23C16/515 , C30B29/04 , C23C16/04 , C23C16/26 , C23C16/27 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/515 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/27 , C23C16/45557

55. 发明专利

JP2008169471A Coating system, coating method, and coated goods 有权
标题翻译：涂料体系，涂料方法和涂料
公开(公告)号：JP2008169471A
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：JP2007290709
申请日：2007-11-08
申请人： Schott Ag , ショットアクチエンゲゼルシャフトSchott AG
发明人： MOELLE CHRISTOPH , BEWIG LARS , KUEPPER THOMAS
IPC分类号： C23C16/515 , B05D1/36 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/515 , C23C16/45512 , C23C16/45523 , C23C16/45591
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a coating system for supplying a process gas for a targeted layer containing no impurity accurately in time and quantity as much as possible in CVD method including PECVD method and PICVD method, and a coating method and coated goods. SOLUTION: In the coating system 1 for coating goods by overlapping layers, the process gas is introduced to a mixing point 11 alternately, mixed with another gas, and guided to a reaction chamber 7, in which deposits are formed by producing a plasma. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种用于在包括PECVD方法和PICVD方法的CVD方法中尽可能多地在时间和数量上精确地供应不含杂质的目标层的处理气体的涂料体系，以及涂布方法和涂布产品。解决方案：在用于通过重叠层涂覆商品的涂覆系统1中，将处理气体交替地引入混合点11，与另一种气体混合，并被引导到通过产生沉积物形成的反应室7 等离子体。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

56. 发明专利

JP2007211326A Film deposition apparatus and film deposition method 审中-公开
标题翻译：膜沉积装置和膜沉积方法
公开(公告)号：JP2007211326A
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：JP2006035243
申请日：2006-02-13
申请人： Nec Electronics Corp , Necエレクトロニクス株式会社
发明人： FURUYA AKIRA
IPC分类号： C23C16/52 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/452 , C23C16/45525 , C23C16/45542 , C23C16/45561 , C23C16/515
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition apparatus and a film deposition method capable of enhancing gas utilization efficiency and realizing excellent film deposition characteristics when performing the film deposition with a plurality of kinds of gases.
SOLUTION: The film deposition apparatus 100 includes a reaction chamber 102 for performing the film deposition, a first gas feed line 112 and a second gas feed line 152 for feeding a first raw material A and a gas B to the reaction chamber 102, respectively, and an excitation part 106 for performing the plasma excitation of the gas to be fed to the reaction chamber 102. In the film deposition apparatus 102 of this configuration, the film deposition is performed by a first step of feeding a gas derived from the first raw material A and the gas B to the reaction chamber 102, and forming a deposition layer by adsorbing the gas derived from the first raw material A on a substrate, and a second step of feeding the second gas to the reaction chamber 102 and working the gas in a plasma-excited state on the deposition layer.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提高气体利用效率并且在用多种气体进行膜沉积时实现优异的成膜特性的成膜装置和成膜方法。解决方案：成膜装置100包括用于进行膜沉积的反应室102，用于将第一原料A和气体B供给到反应室102的第一气体供给管线112和第二气体供给管线152 以及用于对要供给到反应室102的气体进行等离子体激发的激励部分106.在该结构的成膜装置102中，通过第一步骤进行成膜，该第一步骤是将来自将第一原料A和气体B输送到反应室102中，并且通过将来自第一原料A的气体吸附在基材上形成沉积层，以及将第二气体供给到反应室102和在沉积层上处理等离子体激发态的气体。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

57. 发明专利

JP2005277426A Thin-film formation method 审中-公开
标题翻译：薄膜形成方法
公开(公告)号：JP2005277426A
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：JP2005096528
申请日：2005-03-29
申请人： Genitech Inc , ジニテックインク.
发明人： KOH WON-YONG , LEE CHUN-SOO
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/515 , H01L21/283 , H01L21/285 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： C23C16/4554 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/409 , C23C16/515 , H01L21/31691
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming thin films of metal oxide, metal nitride and metal, having superior characteristics on the substrate of a semiconductor or a flat display device, based on a time-sharing material feeding CVD method using plasma synchronized with material feeding cycle.
SOLUTION: The method for forming a metal oxide film on the substrate in the reactor of atomic layer depositing equipment, using the plasma includes a step of feeding metal material compound into the reactor, a step of feeding oxygen gas into the reactor, and a step of producing oxygen plasma during a prescribed time inside the reactor.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在半导体或平板显示装置的基板上形成具有优异特性的金属氧化物，金属氮化物和金属的薄膜的方法，其基于分时供料CVD方法使用等离子体与材料进料周期同步。解决方案：使用等离子体的原子层沉积设备的反应器中的基板上形成金属氧化物膜的方法包括将金属材料化合物进料到反应器中的步骤，将氧气进料到反应器中的步骤，以及在反应器内的规定时间内产生氧等离子体的工序。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

58. 发明专利

JP2005229129A Method of forming thin film 有权
标题翻译：形成薄膜的方法
公开(公告)号：JP2005229129A
公开(公告)日：2005-08-25
申请号：JP2005096527
申请日：2005-03-29
申请人： Genitech Inc , ジニテックインク.
发明人： KOH WON-YONG , LEE CHUN-SOO
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/515 , H01L21/283 , H01L21/285 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： C23C16/4554 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/409 , C23C16/515 , H01L21/31691
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming oxide metal, nitride metal and metal thin film, having superior characteristics on a semiconductor substrate or a flat display device substrate, by using a time-sharing material supply CVD method that uses plasma, in synchronization with raw material supply cycle.
SOLUTION: This method is for forming a metal-oxide film on a substrate, in a reactor of an atomic layer deposition unit that uses plasma. The method includes the steps of supplying metal material compound into the reactor, supplying an oxygen gas into the reactor, and generating oxygen plasma in the reactor during a predetermined time.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在半导体基板或平面显示装置基板上形成具有优异特性的氧化物金属，氮化物金属和金属薄膜的方法，通过使用分时供料CVD方法，其使用等离子体，与原料供应周期同步。解决方案：该方法用于在使用等离子体的原子层沉积单元的反应器中在基板上形成金属氧化物膜。该方法包括将金属材料化合物供应到反应器中，将氧气供应到反应器中，并在预定时间内在反应器中产生氧等离子体的步骤。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

59. 发明专利

JP2004533316A A sequential plasma processing method and apparatus 审中-公开
公开(公告)号：JP2004533316A
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：JP2002585697
申请日：2002-04-24
申请人：ヨーロピアンコミュニティ (イーシー)European Community (Ec)
发明人：コルポ、パスカル , ロッシ、フランソワ
IPC分类号： H05H1/24 , A61J1/10 , A61M25/00 , B01J19/08 , C23C16/515 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32394 , C23C16/515 , H01J37/32091 , H01J37/321
摘要：全てが処理対象の基体部分に沿った、相互に隣接配列された複数のイオン化エネルギー源（７−１０）を含む非導電性中空基体のプラズマ処理装置。本装置にはさらに前記複数のイオン化エネルギー源へ無線周波動力源（６）から順次動力供給する処理手段（１１）が含まれている。各イオン化エネルギー源（７）は前記基体を間に挟む２つの部分（７ａ、７ｂ）から構成される。イオン化エネルギー源は容量結合型あるいは誘導結合型プラズマ源である。

60. 发明专利

JP2003505596A Microcrystalline Si: plasma CVD method and apparatus for producing H film 有权
公开(公告)号：JP2003505596A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：JP2001512943
申请日：2000-07-25
申请人：カール−ツアイス−スチフツング
发明人：メールヴォルフガング , バウアーシュテファン , フライタークニーナ , ダニエルツィクブルクハルト , ローマイアーマンフレート
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/515 , C23C16/56 , H01L21/205 , H01L31/04 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC分类号： H01L21/0245 , C23C16/24 , C23C16/515 , C23C16/56 , H01L21/0242 , H01L21/02507 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02P70/521
摘要： (57)【要約】本発明は、基板上に微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜を製造するためのプラズマＣＶＤ方法及び装置並びにその特に薄膜太陽電池としての使用に関する。該プラズマＣＶＤ法は以下のステップ：基板に少なくとも１つの薄いアモルファスＳｉ：Ｈ膜をプラズマ活性化ＣＶＤ被覆する、水素プラズマを用いてアモルファスＳｉ：Ｈ膜をプラズマアシステッド処理する、及び場合により前記の２つのステップを繰り返すステップからなり、該方法は、際被覆もしくは処理を被覆ガスもしくは処理ガスの連続的流れで及びプラズマを励起するパルス化した電磁ビ−ムで実施することを特徴とする。

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