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41. 发明专利

JP2012060111A Bipolar junction transistor 审中-公开
标题翻译：双极接头晶体管
公开(公告)号：JP2012060111A
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：JP2011178910
申请日：2011-08-18
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： GARETH NICOLAS , BENJAMIN JAMES HUDSON , SENAI SHAH
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/7317 , H01L29/0821 , H01L29/1008
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a bipolar junction transistor capable of improving performance of an analog application and increasing a DC gain and an efficiency.SOLUTION: The bipolar junction transistor comprises an island-shaped semiconductor on an insulating substrate; a first conduction type emitter, a first conduction type collector and/or a sub-collector in the island-shaped semiconductor; a second conduction type base for separating the emitter and the collector and/or the sub-collector in the island-shaped semiconductor; a second conduction type base contact region in the island-shaped semiconductor; and in the island-shaped semiconductor, a connecting base region adjacent to the base and connecting the base to the base contact region while not contacting with the emitter directly. The connecting base region has a second conduction type and a doping concentration less than that of the base contact region.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高模拟应用性能并增加直流增益和效率的双极结型晶体管。解决方案：双极结晶体管包括在绝缘基板上的岛状半导体; 岛状半导体中的第一导电型发射极，第一导电型集电极和/或子集电极; 用于在岛状半导体中分离发射极和集电极和/或子集电极的第二导电型基极; 岛状半导体中的第二导电型基极接触区域; 并且在岛状半导体中，与基底相邻的连接基部区域，并且将基底连接到基部接触区域，同时不直接与发射体接触。连接基极区域具有比基极接触区域小的第二导电类型和掺杂浓度。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

42. 发明专利

JP4838421B2 Analog switch 有权
公开(公告)号：JP4838421B2
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：JP2000587381
申请日：1999-11-29
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー
发明人：ゴールドマン、リチャード , マイルズ、デビッド
IPC分类号： H01L21/331 , H01L27/082 , H01L21/8228 , H01L29/73 , H01L29/732 , H03K17/00
CPC分类号： H01L27/0826 , H01L29/7317

43. 发明专利

JP4702331B2 Semiconductor integrated circuit device 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4702331B2
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：JP2007166110
申请日：2007-06-25
申请人：株式会社デンソー
发明人：祖父江　　聡
IPC分类号： H02J7/00 , G01R19/00 , H01M10/48 , H02J7/02
CPC分类号： H03K5/24 , B60L11/1853 , B60L2240/547 , G01R19/0084 , G01R31/3658 , H01L29/7317 , H01M10/482 , H02J7/0021 , Y02T10/7005 , Y02T10/705 , Y02T10/7055

45. 发明专利

JP2009253292A Method of forming shallow base region of bipolar transistor 审中-公开
标题翻译：形成双极晶体管底部区域的方法
公开(公告)号：JP2009253292A
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：JP2009089693
申请日：2009-04-02
申请人： Zarlink Semiconductor (Us) Inc , ザーリンクセミコンダクタ (ユー.エス.) インコーポレーテッド
发明人： KRUTSICK THOMAS J , SPEYER CHRISTOPHER J
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/732
CPC分类号： H01L29/7317 , H01L29/1004 , H01L29/66265
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a shallow base junction of a bipolar transistor.
SOLUTION: The method includes depositing a first insulating film 205 over a first layer of material that is doped with a dopant of a first type, modifying a thickness of the first insulating layer 205 based on a target dopant profile, and implanting a base impurity at an energy selected based on the modified thickness of the first insulating layer 205 and the target dopant profile. Implanted dopant seeds are made random by a collision in a pad oxide 205 to increase a gradient of the dopant profile, thereby reducing channel effect of a base region 240.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种形成双极晶体管的浅基极结的方法。解决方案：该方法包括在掺杂有第一类型的掺杂剂的第一材料层上沉积第一绝缘膜205，基于目标掺杂剂分布改变第一绝缘层205的厚度，以及植入基于第一绝缘层205的修改厚度和目标掺杂剂分布选择的能量的基极杂质。通过衬垫氧化物205中的碰撞使植入的掺杂剂种子随机化，以增加掺杂剂分布的梯度，从而降低基极区240的沟道效应。（C）2010，JPO和INPIT

46. 发明专利

JP2008193101A Semiconductor device 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2008193101A
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：JP2008030550
申请日：2008-02-12
申请人： Advanced Micro Devices Inc , アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated
发明人： WOLLESEN DONALD
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L29/786 , H01L21/76 , H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L21/8244 , H01L23/52 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/11 , H01L27/12 , H01L29/73 , H01L29/739 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L27/1203 , H01L29/7317 , H01L29/7393 , H01L29/78606 , H01L29/78615 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device capable of obtaining a floating main body effect or a device with a main body region separated. SOLUTION: A SOI device 10 includes a silicon oxide insulator layer 14 supported by a silicon substrate 12. Main body regions 22, 58 are disposed on the silicon oxide insulator layer 14. The main body region 22 is characterized by a first conductivity. Source, drain regions 18, 20 are characterized by a second type. Transition regions 36, 38, 46, 60 are disposed in the vicinity fo the main body region above the SOI layer 14. The conductivity of the transition regions is formed to be of a first conductivity for restraining the floating main body effect in the main body region or of a second conductivity for separating the main body region. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够获得浮动主体效应的装置或者具有分离主体区域的装置。解决方案：SOI器件10包括由硅衬底12支撑的氧化硅绝缘体层14.主体区域22,58设置在氧化硅绝缘体层14上。主体区域22的特征在于第一导电性。源区，漏区18,20的特征在于第二类型。过渡区域36,38,46,60设置在SOI层14上方的主体区域附近。过渡区域的导电性被形成为用于抑制主体中的浮动主体效应的第一导电性区域或用于分离主体区域的第二电导率。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

47. 发明专利

JP2008507125A Bipolar transistor and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP2008507125A
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：JP2007520947
申请日：2005-07-07
申请人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
发明人：アンドレアス、ハー．モントリー , フィリップ、ムニエ‐ベラール , プラブハット、アガルバル , ヤン、ウェー．スロットブーム
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L21/8248 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/10 , H01L29/36 , H01L29/73 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/7317 , H01L29/1004 , H01L29/365 , H01L29/66265 , H01L29/735 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本発明は、第１の導電型であるエミッタ領域（１）と、第１の導電型と反対の第２の導電型であるベース領域（２）と、第１の導電型であるコレクタ領域（３）とを有し、投影図法で見て、エミッタ領域（１）はベース領域（２）の上または下に配置され、コレクタ領域（３）はベース領域（２）と横方向に境界を接するバイポーラ・トランジスタを含む半導体基体（１２）を備える半導体装置（１０）に関する。本発明によれば、ベース領域（２）は、ドーピング濃度が厚さ方向にデルタ形状のプロファイルを有する高濃度ドーピングされた部分領域（２Ａ）を含み、前記高濃度ドーピングされた部分領域（２Ａ）はコレクタ領域（３）まで横方向に延びる。このようなラテラル・バイポーラ・トランジスタは、優れた高周波特性ならびに比較的高い、ベースおよびコレクタ領域（２、３）間降伏電圧を有し、この装置が大電力の用途に適していることを意味する。ドーピング濃度は好ましくは約１０
１９〜約１０
２０ａｔ／ｃｍ
３の間で、部分領域（２Ａ）の厚さは１〜１５ｎｍの間、好ましくは１〜１０ｎｍの間にある。本発明はまた、このような装置(１０)の製造方法を含む。

48. 发明专利

JP2006216802A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2006216802A
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：JP2005028374
申请日：2005-02-04
申请人： Hitachi Ltd , Hitachi Ulsi Systems Co Ltd , 株式会社日立製作所 , 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
发明人： ARAI MITSURU , WADA SHINICHIRO , NONAMI HIDEAKI
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L27/04 , H01L27/082 , H01L29/732
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/84 , H01L29/0692 , H01L29/7317
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having a bipolar transistor with its heat radiation improved.
SOLUTION: The semiconductor device has the bipolar transistor formed in a plurality of element-forming regions electrically separated with respect to one another by an element separating groove traversing a semiconductor layer. The element separating groove 2b of each unit bipolar transistor that the plurality of unit bipolar transistors Qu connected in parallel have is removed, and an entire of the plurality of unit bipolar transistors Qu connected in parallel is surrounded by the one element separating groove 2b.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有改善其热辐射的双极晶体管的半导体器件。解决方案：半导体器件具有形成在多个元件形成区域中的双极晶体管，该多个元件形成区域通过穿过半导体层的元件分离沟槽彼此相互电分离。并联连接的多个单位双极晶体管Qu中的每个单位双极晶体管Qu的元件分离槽2b被去除，并且并联连接的多个单位双极晶体管Qu的整个被一个元件分离槽2b包围。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

49. 发明专利

JP2006080508A Semiconductor device and manufacturing method therefor 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2006080508A
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：JP2005244525
申请日：2005-08-25
申请人： Asahi Kasei Microsystems Kk , 旭化成マイクロシステム株式会社
发明人： KANEKIYO KOJI , I-SHAN MICHAEL SUN , NG WAI TUNG
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/0821 , H01L29/1008 , H01L29/42304 , H01L29/66265 , H01L29/7317
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a horizontal-type bipolar junction transistor, having a performance similar to the performance of a high-speed vertical type bipolar junction transistor.
SOLUTION: There is included a PSWS (polysilicon sidewall spacer) which forms a contact region 112, contacting with a base region 110 of a vertical type bipolar junction transistor 100. Accordingly, a processing step of aligning a contact mask in the relatively narrow base region 110 is eliminated. Self matching of a base/emitter region is made by this sidewall spacer, and the base resistance and the junction capacitance are reduced. Accordingly, the cut-off frequency f
τ is improved, and the oscillation frequency f
max can be made maximum. Furthermore, a BiCMOS (bipolar CMOS) technique can be executed on an insulating substrate, such as SOI, using this new topology.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供具有与高速垂直型双极结型晶体管的性能相似的性能的水平型双极结型晶体管。解决方案：包括形成接触区域112的PSWS（多晶硅侧壁间隔物），与垂直型双极结型晶体管100的基极区域110相接触。因此，将相对的接触掩模对准的处理步骤消除窄基区110。基极/发射极区域的自匹配由该侧壁间隔物制成，并且基极电阻和结电容减小。因此，截止频率f τ提高，振荡频率f max 可以最大化。此外，使用这种新的拓扑结构，可以在诸如SOI的绝缘基板上执行BiCMOS（双极CMOS）技术。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

50. 发明专利

JP2003510849A Fast lateral bipolar device in Soi process 审中-公开
公开(公告)号：JP2003510849A
公开(公告)日：2003-03-18
申请号：JP2001527363
申请日：2000-08-01
申请人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
发明人：ホルスト，ジョン・シィ
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/73
CPC分类号： H01L29/66265 , H01L29/7317
摘要： (57)【要約】ラテラルバイポーラトランジスタ（１００）は、電気的絶縁材料（８２）の上に横たわる半導体層と、半導体層の中心部の上に横たわる絶縁層（１０９）とを含む。コンタクトホールが絶縁層（１０９）の中に存在し、導電性材料が、絶縁層（１０９）の上に横たわり、コンタクトホールを介して半導体層と電気的に接触し、それによりベースコンタクトを形成する。半導体層は、導電性材料の実質的に下に横たわる中心領域（１０６）に第１の導電型を有し、中心領域に隣接した領域（１０４、１０８）に第２の導電型を有する。第１の領域はベース領域（１０６）を形成し、隣接した領域は、コレクタ領域（１０４）およびエミッタ領域（１０８）をそれぞれ形成する。方法は、絶縁材料（８２）の上に半導体層を形成するステップと、半導体材料の上に絶縁層（１０９）を形成するステップとを含む。ベースコンタクトホールが次に絶縁層（１０９）に形成され、導電性ベースコンタクト領域が絶縁層の一部の上に形成される。ベースコンタクト領域は、ベースコンタクトホールの上に横たわり、ベース領域（１０６）に対応する、半導体層の中央部と電気的に接続する。最後に、コレクタ領域（１０４）およびエミッタ領域（１０８）がそれぞれベース領域（１０６）に隣接するように、コレクタ領域（１０４）およびエミッタ領域（１０８）がベース領域（１０６）の両側に形成される。

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