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41. 发明专利

JP2008503898A For feature structure and uniform coverage of the wafer, it was strongly ionized involving movement of a magnetic field envelope pvd 审中-公开
公开(公告)号：JP2008503898A
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：JP2007518109
申请日：2005-06-14
申请人：ト−キョ−・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド , 東京エレクトロン株式会社
发明人：ジョゼフ・ブルカ
IPC分类号： H01L21/285 , C23C14/04 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC分类号： C23C14/046 , C23C14/3492 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/3405 , H01J37/3455 , H01J2237/3327
摘要：本発明は半導体ウエハのイオン化ＰＶＤプロセスに関し、単一プロセスチャンバ内の高い均一性の堆積−エッチングプロセスシーケンス及び高アスペクト比形状の被覆能力用状態を供する。プラズマは誘起結合プラズマ供給源で発生維持される。堆積プロセス段階は金属蒸気のＰＶＤ供給源のターゲットから発生中に行われる。ターゲット表面での位置やスパッタリング効率は磁場エンベロープの移動や掃引を生じて磁石の束の移動で増大する。ターゲットはＤＣ供給源から電圧を印加されてスパッタリングされた原子の効率的熱運動化用の有効圧力が堆積中チャンバ内で保持される。ウエハ上での一様な厚さは各磁石の掃引サイクルで形成される。全ターゲット表面に亘る環状の掃引運動を用いた磁場の局在化は、合理的堆積率、高ターゲット利用率、金属原子の高イオン化、一様平坦領域堆積及びエッチング用状態、ウエハ中心及び端でＨＡＲ形状の被覆率に略同一な状態を生じる。

42. 发明专利

JP4040607B2 Sputtering apparatus and method as well as the sputtering control program 有权
公开(公告)号：JP4040607B2
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：JP2004175016
申请日：2004-06-14
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：俊二黒岩
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/54 , G11B7/26
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/358 , C23C14/54 , C23C14/542

43. 发明专利

JP2007516346A Sputtering source in the ion physical vapor deposition of metal 有权
公开(公告)号：JP2007516346A
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：JP2006533079
申请日：2004-05-13
申请人：トーキョーエレクトロンアリゾナインコーポレイテッド , 東京エレクトロン株式会社
发明人：グリン・ジェレミー・レイノルズ
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/35 , H01L21/285
CPC分类号： C23C14/358 , C23C14/352
摘要：プラズマを用いて基板を処理するための処理システム（１０）は、両端が開口した円筒型のターゲット（３２）と、中空陰極マグネトロン（ＨＣＭ）を形成する米国特許５，４８２，６１１に開示されたタイプのマグネットアレイ（３４）とを用いて提供される。その円筒型ターゲットの開口端部の１つには、米国特許６，０８０，２８７や６，２８７，４３５に記載されているように誘導結合ＲＦエネルギーソース（４０）が配置される。その円筒型ターゲットの一端の誘電体窓（４１）は、外気と処理システムの間にシールを形成するように作用し、真空空間内に位置する蒸着バッフルシールド（４４）によって蒸着から保護され、チャンバー内にコイルからのＲＦエネルギーの供給を可能にするように設計される。ＲＦソースに対向するその円筒型のターゲットの開口端部（１３）は、真空チャンバー（１１）内の処理空間に面する。

44. 发明专利

JP2007092175A Device for adjusting uniformity of plasma by using hollow body, and method therefor 有权
标题翻译：通过使用中空身体调节等离子体的均匀性的装置及其方法
公开(公告)号：JP2007092175A
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：JP2006259418
申请日：2006-09-25
申请人： Tokyo Electron America Inc , Tokyo Electron Ltd , ト−キョ−・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド , 東京エレクトロン株式会社
发明人： BRCKA JOZEF
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C14/358
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To generate and adjust plasma so that the plasma can contribute to uniform plasma treatment in simultaneous and continuous treatment of combining vapor deposition with etching; and to provide the uniform plasma treatment capable of coating a substrate having a high aspect ratio by using an iPVD technique.
SOLUTION: The uniformity of a plasma distribution having a tendency to peak toward the axis of a processing chamber is improved by positioning a hollow body on the chamber axis with an open end facing the processing space. The hollow body controls the distribution of the plasma away from the center and allows the plasma at the center. The geometry of the hollow body can be optimized to render the plasma uniform for given conditions. In combined deposition and etch processes, such as simultaneous and sequential etch and iPVD processes, the hollow body provides for a uniform plasma for etching while allowing deposition parameters to be optimized for deposition.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：产生和调整等离子体，使得等离子体有助于均匀等离子体处理，同时并连续地处理气相沉积与蚀刻; 并且通过使用iPVD技术提供能够涂覆具有高纵横比的基板的均匀等离子体处理。解决方案：通过将空心体定位在室轴线上，面向处理空间的开口端，改善了具有朝向处理室轴线倾向的等离子体分布的均匀性。中空体控制等离子体离开中心的分布，并允许等离子体在中心。可以优化空心体的几何形状以使给定条件下的等离子体均匀。在组合沉积和蚀刻工艺中，例如同步和顺序蚀刻和iPVD工艺，中空体为蚀刻提供均匀的等离子体，同时允许为沉积而优化沉积参数。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

45. 发明专利

JP3874787B2 Thin film forming apparatus and a thin film forming method 有权
公开(公告)号：JP3874787B2
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：JP2005506749
申请日：2004-05-31
申请人：株式会社シンクロン
发明人：亦周宋 , 尊則村田 , 武桜井
IPC分类号： C23C14/58 , C23C14/00 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/56 , C23C16/44 , H01J37/32 , H01L21/31 , H01L21/318 , H05H1/46
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要： A thin film deposition apparatus (1) of the present invention includes a vacuum container (11) for maintaining a vacuum therein, gas introduction means (76) for introducing a reactive gas into the vacuum container (11), and plasma generating means (61) for generating a plasma of the reactive gas within the vacuum container (11).

46. 发明专利

JP3839038B2 Thin-film deposition system 有权
公开(公告)号：JP3839038B2
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：JP2005500523
申请日：2003-06-02
申请人：株式会社シンクロン
发明人：亦周宋 , 尊則村田 , 武桜井
IPC分类号： C23C14/40 , C23C14/00 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/56 , C23C14/58 , C23C16/44 , G02B1/10 , G02B5/28 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/318 , H05H1/46
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要： A thin film deposition apparatus (1) of the present invention includes a vacuum container (11) for maintaining a vacuum therein, gas introduction means (76) for introducing a reactive gas into the vacuum container (11), and plasma generating means (61) for generating a plasma of the reactive gas within the vacuum container (11).

47. 发明专利

JPWO2004108979A1 薄膜形成装置有权
公开(公告)号：JPWO2004108979A1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：JP2005500523
申请日：2003-06-02
申请人：株式会社シンクロン
发明人：亦周宋 , 亦周宋 , 武桜井 , 武桜井 , 村田　尊則 , 尊則村田
IPC分类号： C23C14/40 , C23C14/00 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/56 , C23C14/58 , C23C16/44 , G02B1/10 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/318 , H05H1/46
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/0078 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/352 , C23C14/358 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C16/4404 , H01J37/32082 , H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01L21/318 , H05H1/46
摘要：本発明の薄膜形成装置(1)は、内部を真空に維持する真空容器(11)と、真空容器(11)内に反応性ガスを導入するガス導入手段(76)と、真空容器(11)内に反応性ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段(61)と、を備える。そして、真空容器(11)内の壁面には、熱分解窒化硼素(P)が被覆されている。

49. 发明专利

JP2005509747A Magnet array that is a combination of rotary magnetron plasma sputtering 有权
公开(公告)号：JP2005509747A
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：JP2003544790
申请日：2002-11-07
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：ゼンシュー， , ロンタオ， , ペイジュンディン，
IPC分类号： H05H1/46 , C23C14/04 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01J37/32 , H01J37/34 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3457 , C23C14/358 , H01J37/321 , H01J37/3408 , H01J2237/3327 , H01L21/2855 , H01L21/76838 , H01L21/76877
摘要：ターゲット（１６）からウエハに向かう側部で、マグネトロンスパッタリアクタの側壁（１４）に沿って位置決めされた補助マグネットのアレイ（６０）。マグネトロンは、小さく、強いものであることが好ましく、第１磁極性の強い外部の極（４２）を持ち、これが、第２磁極性の弱い極（４０）を囲み、マグネトロンは、チャンバの中心軸（３８）の周りを回転する。補助マグネットは、好ましくは第１磁極性であり、ウエハに向かうアンバランスな磁界成分を引き付ける。補助マグネットは、永久磁石（６２）又は電磁石（９０）でもよい。

50. 发明专利

JP2004506090A Method and apparatus for performing the high-pressure physical vapor deposition 审中-公开
公开(公告)号：JP2004506090A
公开(公告)日：2004-02-26
申请号：JP2001567412
申请日：2001-02-16
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：ゴパルラジャ，　プラブラム , スティムソン，　ブラッドレイ，　オー． , フォースター，　ジョン，　シー． , ワン，　ウェイ
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/04 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/321 , C23C14/046 , C23C14/358 , H01J37/32706 , H01J37/32733 , H01J37/34 , H01J37/3405
摘要：【課題】基板のトレンチとバイア内部の側壁カバレージを改善するために最低１トールの高圧で操作する方法と装置である。
【解決手段】本装置はターゲットとペデスタルとを密閉するチャンバと、チャンバに処理ガスを供給する処理ガスと、チャンバ内の最低１トールの高圧を維持するポンプと、ターゲットに連結された電源とを有する。加えて、ターゲットと基板との間の距離は、スパッタ粒子とプラスマとの衝突が基板のトレンチとバイアで確実に起こるように設定される。本方法は、ガス圧力が最低約１トールであるように処理ガスをチャンバへと供給するステップと、処理ガスのプラズマを生成するステップと、材料をターゲットからスパッタするステップとを有する。
【選択図】図１

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