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41. 发明专利

JP6428899B2 WC基超硬合金基体の改質方法审中-公开
公开(公告)号：JP6428899B2
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：JP2017227060
申请日：2017-11-27
申请人：三菱日立ツール株式会社
发明人：府玻亮太郎 , 久保田和幸 , 福永有三
IPC分类号： C23C14/06 , B23B27/14 , B23C5/16 , C23C14/02
CPC分类号： C23C14/325 , B23B27/14 , C22C29/08 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/0676 , C23C14/32 , C23C30/005

42. 发明专利

JPWO2017199767A1 Cu膜の形成方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017199767A1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：JP2017017264
申请日：2017-05-02
申请人：株式会社アルバック
发明人：原田雅通 , 猪狩晃 , 小風豊
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , C23C8/08 , H01L21/3205
CPC分类号： C23C14/02 , C23C14/14 , C23C16/02 , C23C16/06 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
摘要：本発明のCu膜の形成方法は、層間絶縁膜に形成した凹部内に、ライナー膜を介してCu膜を埋め込み形成する方法であって、成膜後の前記ライナー膜を熱処理し、前記熱処理を行った後、水素を含むガスの雰囲気下において、前記ライナー膜の表面に対してデガス処理を行い、前記デガス処理を行った後、前記熱処理された前記ライナー膜上にCu膜を形成し、前記ライナー膜は、Co膜、Ni膜、CoNi膜から選択される1つである。

43. 发明专利

JP6343212B2 帯電処理装置有权
公开(公告)号：JP6343212B2
公开(公告)日：2018-06-13
申请号：JP2014186560
申请日：2014-09-12
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：松浦恵樹 , 石原良俊 , 渥美明
IPC分类号： G21K5/04 , H01L21/677
CPC分类号： C23C14/02 , H01J37/32

44. 发明专利

JP6232450B2 酸化物超電導線材有权
公开(公告)号：JP6232450B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2015554941
申请日：2014-12-24
申请人：株式会社フジクラ
发明人：栗原駿 , 中村直識
IPC分类号： H01B13/00 , H01F6/06 , C23C14/14 , H01L39/02 , H01L39/24 , H01B12/06
CPC分类号： H01B12/06 , C23C14/02 , C23C14/021 , C23C14/024 , C23C14/087 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01B13/0036 , H01F6/06 , H01L39/143 , H01L39/248

45. 发明专利

JP2017106124A 透明導電性フィルムおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017106124A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2017029166
申请日：2017-02-20
申请人：日東電工株式会社
发明人：川上梨恵 , 梨木智剛 , 藤野望 , 佐々和明 , 待永広宣 , 黒瀬愛美 , 松田知也
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00 , C23C14/20 , C23C14/58 , B32B7/02 , B32B9/00 , C23C14/08
CPC分类号： H01B1/02 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/40 , B32B27/42 , C23C14/02 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/562 , C23C14/5806 , G06F3/044 , B32B2250/02 , B32B2250/03 , B32B2307/202 , B32B2307/204 , B32B2307/412 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/706 , B32B2307/732 , B32B2457/208
摘要：【課題】透明導電層の比抵抗が低く、かつ、厚さが薄いという特性を有するとともに、クラック耐性に優れる透明導電性フィルムおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態の透明導電性フィルム(1)は、高分子フィルム基材(2)と、高分子フィルム基材(2)の主面(2a)上に形成された透明導電層(3)とを有している。透明導電性フィルム(1)は、長尺状であって、ロール状に巻回されていてもよい。透明導電層(3)は、インジウムスズ複合酸化物からなる結晶質透明導電層であり、残留応力が600MPa以下、比抵抗が1.1×10 −4 Ω・cm〜3.0×10 −4 Ω・cm、厚さが15nm〜40nmである。【選択図】図1

46. 发明专利

JP2017092102A 熱処理方法および熱処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017092102A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015216535
申请日：2015-11-04
申请人：株式会社Screenホールディングス , Screen Holdings Co Ltd
发明人： ONO YUKIO
IPC分类号： H01L21/26 , H01L21/265 , H01L21/683
CPC分类号： H01L22/20 , C23C14/02 , C23C14/48 , H01L21/2253 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67248
摘要：【課題】ダミーランニングを省略することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。【解決手段】処理対象となるロットの最初の半導体ウェハーWがチャンバー6に搬入される前に、ハロゲンランプHLからの光照射によってサセプター74を予熱する。サセプター74の温度は放射温度計27によって測定される。制御部3は、放射温度計27がサセプター74の温度を測定した測定結果に基づいて、サセプター74の温度が安定温度に到達するようにハロゲンランプHLの出力を制御する。サセプター74の安定温度とは、サセプター74を加熱することなく、チャンバー6内にて複数の半導体ウェハーWに連続して光照射加熱を行うことによりサセプター74の温度が上昇して一定となったときの当該サセプター74の温度である。【選択図】図1

47. 发明专利

JPWO2015178298A1 透明導電性フィルムおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2015178298A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016521068
申请日：2015-05-15
申请人：日東電工株式会社
发明人：梨恵川上 , 梨恵川上 , 智剛梨木 , 智剛梨木 , 望藤野 , 望藤野 , 和明佐々 , 和明佐々 , 広宣待永 , 広宣待永 , 愛美黒瀬 , 愛美黒瀬 , 松田　知也 , 知也松田
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： H01B1/02 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/40 , B32B27/42 , B32B2250/02 , B32B2250/03 , B32B2307/202 , B32B2307/204 , B32B2307/412 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/706 , B32B2307/732 , B32B2457/208 , C23C14/02 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/562 , C23C14/5806 , G06F3/044
摘要：透明導電層の比抵抗が低く、かつ、厚さが薄いという特性を有するとともに、クラック耐性に優れる透明導電性フィルムおよびその製造方法を提供する。本実施形態の透明導電性フィルム(1)は、高分子フィルム基材(2)と、高分子フィルム基材(2)の主面(2a)上に形成された透明導電層(3)とを有している。透明導電性フィルム(1)は、長尺状であって、ロール状に巻回されていてもよい。透明導電層(3)は、インジウムスズ複合酸化物からなる結晶質透明導電層であり、残留応力が600MPa以下、比抵抗が1.1×10−4Ω・cm〜3.0×10−4Ω・cm、厚さが15nm〜40nmである。

48. 发明专利

JP6057034B1 固体高分子形燃料電池用セパレータおよびその製造方法有权
标题翻译：分离器和用于聚合物电解质燃料电池及其制造方法
公开(公告)号：JP6057034B1
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2016539243
申请日：2016-02-09
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：樽谷芳男
IPC分类号： H01M8/10 , C22C38/00 , C22C38/50 , C23F1/28 , C23G1/08 , C23C14/02 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01M8/0202
CPC分类号： C22C13/00 , C22C28/00 , C22C38/00 , C22C38/46 , C22C38/48 , C22C38/50 , C23C14/02 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23F1/28 , C23G1/08 , H01M8/0202 , H01M8/10 , Y02P70/56
摘要：質量%で、C:0.001〜0.012%、Si:0.01〜0.6%、Mn:0.01〜0.6%、P:0.035%以下、S:0.01%以下、Cr:22.5〜35.0%、Mo:0.01〜4.5%、Ni:0.01〜2.5%、Cu:0.01〜0.6%、Sn:0.01〜1.0%、In:0.001〜0.30%、N:0.015%以下、V:0.01〜0.35%、Al:0.001〜0.050%を含有し、{Cr含有量(%)+3×Mo含有量(%)}の計算値が22.5〜45.0%である化学組成のフェライト系ステンレス鋼を基材として、O:30%未満、残部:SnおよびInの表面改質層を有する固体高分子形燃料電池用セパレータ。このセパレータを備える固体高分子形燃料電池は、電池内の環境での耐食性が格段に優れる。
摘要翻译：以质量％计，C：0.001〜0.012％以下，Si：0.01〜0.6％以下，Mn：0.01〜0.6％，P：0.035％以下，S：0.01％以下，Cr：22.5〜35.0％以下，Mo：0.01〜4.5％以下，Ni：0.01〜2.5％以下，Cu：0.01〜0.6％以下，Sn：0.01〜1.0％，在：0.001〜0.30％，N：0.015％以下，V：0.01〜0.35％以下，Al：含有0.001〜0.050％因为是，{Cr含量（％）+ 3×Mo含量（％）}基板计算值具有化学组成的铁素体系不锈钢为22.5〜45.0％的，O：小于30％，余量：Sn的和具有在表面改性层固体高分子型燃料电池用隔板。固体高分子型燃料电池，其包括该隔板中，在电池的环境的耐蚀性优异显着。

49. 发明专利

JP2016106435A トランジスタの作製方法有权
标题翻译：晶体管制造方法
公开(公告)号：JP2016106435A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：JP2016051243
申请日：2016-03-15
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： C23C14/08 , C23C14/02 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/351 , C23C14/352 , C23C14/541 , C23C14/566 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L29/7869 , H01L21/02565
摘要：【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。また、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性は、基板内、基板間及びロット間において、ばらつきが大きい場合があった。そこで、信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体装置を作製する。【解決手段】ロードロック室と、ロードロック室とゲートバルブを介して接続された搬送室と、搬送室とゲートバルブを介して接続された基板加熱室と、搬送室とゲートバルブを介して接続されたリークレートが1×10 −10 Pa・m 3 /秒以下である成膜室と、を有する成膜装置である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题为了制造使用具有高可靠性和较小电特性变化的氧化物半导体的半导体器件，以解决与使用非晶硅的晶体管相比，使用氧化物半导体的晶体管具有较低的可靠性的情况下的问题，并且使用氧化物半导体的晶体管的电特性在基板之间以及批次之间变化很大。解决方案：沉积设备包括：负载锁定室; 传送室，通过闸阀与加载锁定室连接; 基板加热室，经由闸阀与转印室连接; 以及通过闸阀与传送室连接并具有等于或小于1×10Pa m / sec的泄漏率的沉积室。图1

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