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32. 发明专利

JP6017016B2 透明化合物半導体及びその製造方法有权
标题翻译：透明化合物半导体和其制造方法
公开(公告)号：JP6017016B2
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：JP2015504502
申请日：2013-04-05
申请人：アールエフトロンカンパニーリミテッド , RFTRON CO.,LTD.
发明人：チャ・ククリン , イム・ジソン
IPC分类号： C30B29/22 , C23C14/08 , C23C16/40 , H01L21/363 , H01L21/365 , H01L21/20 , H01L29/24
CPC分类号： H01L29/24 , C23C14/08 , C23C16/40 , C30B25/02 , C30B29/22 , H01L21/02414 , H01L21/02565 , H01L21/02612 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , G01N27/125 , H01L33/42 , Y02E10/50

33. 发明专利

JPWO2014054351A1 エピタキシャル成長用基板及びその製造方法、並びに超電導線材用基板有权
标题翻译：外延生长基板，制造用于超导线材相同的，并且衬底的方法，
公开(公告)号：JPWO2014054351A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：JP2014539638
申请日：2013-08-23
申请人：東洋鋼鈑株式会社 , 住友電気工業株式会社
发明人：貴史神代 , 貴史神代 , 岡山　浩直 , 浩直岡山 , 哲平黒川 , 哲平黒川 , 南部　光司 , 光司南部
IPC分类号： C30B29/22 , C22F1/08
CPC分类号： C30B29/22 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22F1/08 , C30B1/04 , C30B23/025 , C30B25/183 , C30B29/52 , C30B33/02 , H01B12/06 , H01B13/0016 , H01L39/12 , H01L39/24 , H01L39/2454
摘要：より高度な2軸結晶配向性を有するエピタキシャル成長用銅基板、及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明のエピタキシャル成長用基板は、2軸結晶配向した銅層を含み、前記銅層の極点図に基づくピークの半値幅ΔΦが5°以内であり、且つ極点図に基づくピークの裾野幅Δβが15°以内であることを特徴とする。このようなエピタキシャル成長用基板は、ΔΦが6°以内、且つ裾野幅Δβが25°以内となるように銅層の熱処理を行う第一工程と、前記第一工程の後に、第一工程における熱処理温度よりも高温で、ΔΦが5°以内、且つ裾野幅Δβが15°以内となるように銅層の熱処理を行う第二工程とにより製造される。
摘要翻译：并提供一种外延生长铜基板，以及它们的具有更高双轴结晶配向的制造方法。本发明的外延生长衬底包括双轴结晶配向的铜层，该半峰宽ΔΦ基于上的铜层的极点图是在5°以内，并且基于该极点图脚宽度的峰值Δβ为15 °，其特征在于，在其内。这种外延生长衬底，.DELTA..PHI是在6°，并且作为脚宽Δβ进行铜层的热处理的第一步骤是在25°时，在第一步骤之后，热处理温度在第一步骤中在高于一个温度，.DELTA..PHI是在5°以内，且脚宽Δβ通过进行铜层的热处理是在15°的第二步骤中产生的。

34. 发明专利

JP2016522136A 非線形光学結晶の不動態化审中-公开
标题翻译：非线性光学晶体的钝化
公开(公告)号：JP2016522136A
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：JP2016507656
申请日：2014-04-10
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：ヴラディミルドリビンスキ , ヴラディミルドリビンスキ , ユン−ホアレックスチュワン , ユン−ホアレックスチュワン
IPC分类号： C30B29/22 , C01B35/12 , C30B9/00 , G01N21/896 , G02F1/37 , H01L21/66
CPC分类号： C30B33/02 , C30B7/00 , C30B9/00 , C30B29/10 , C30B29/22 , G01N21/87 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/8477 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024
摘要：検査器具に用いるための非線形光学結晶の不動態化は、フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有化合物のうちの少なくとも1つの存在下で非線形光学結晶を成長させることと、非線形光学結晶を機械的に調製することと、非線形光学結晶にアニーリングプロセスを実施することと、非線形光学結晶を水素含有または重水素含有不動態化ガスに曝露することとを含む。
摘要翻译：对于在检查仪，氟，氟离子，和机械使用的非线性光学晶体的钝化和在含氟化合物中的至少一种的存在下生长的非线性光学晶体，所述非线性光学晶体包括来制备，并在非线性光学晶体进行退火处理，和一个或含氘含氢钝化气体中暴露所述非线性光学晶体。

35. 发明专利

JP5939648B2 酸化物超電導薄膜、超電導限流器及び酸化物超電導薄膜の製造方法有权
标题翻译：制造氧化物超导薄膜，超导故障限流器及氧化物超导薄膜的方法
公开(公告)号：JP5939648B2
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：JP2013518137
申请日：2012-05-30
申请人：古河電気工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：中尾健吾 , 笠原甫 , 松井正和 , 松井則夫 , 江戸直人 , 熊谷俊弥 , 真部高明 , 相馬貢
IPC分类号： C30B29/22
CPC分类号： H01L39/128 , C30B25/02 , C30B29/225 , H01L39/16 , H01L39/2458 , H01L39/2461 , H01L39/2425

36. 发明专利

JP2016033934A p型ZnO系半導体層の製造方法、及び、ZnO系半導体素子の製造方法审中-公开
标题翻译： P型ZnO半导体层制造方法和ZnO半导体元件制造方法
公开(公告)号：JP2016033934A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2014155669
申请日：2014-07-31
申请人：スタンレー電気株式会社
发明人：佐野道宏 , 加藤裕幸 , 斎藤千寿
IPC分类号： C23C14/08 , C30B29/16 , C30B23/08 , C30B33/02 , C30B29/22 , H01L33/28 , H01L21/363
摘要：【課題】高品質のp型ZnO系半導体層およびZnO系半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板上方にn型ZnO系半導体層を形成しS101、さらにその上方にAgがドープされたp型ZnO系半導体層を形成してZnO系半導体素子を形成するS102。また、工程S102は、Agを含むn型ZnO系半導体単結晶構造を形成しS102a、その後、Agを照射しながらn型ZnO系半導体単結晶構造をアニールし、Agがドープされたp型ZnO系半導体層を形成するS102b。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供高质量p型ZnO半导体层和高品质ZnO半导体元件的制造方法。解决方案：一种p型ZnO半导体层制造方法，包括以下步骤：形成n型 ZnO半导体层（S101）; 以及在所述n型ZnO半导体层的上方形成从所述ZnO半导体元件上的Ag掺杂的p型ZnO半导体层（S102）。步骤S102包括以下步骤：形成含Ag的n型ZnO半导体单晶结构（S102a）; 随后在照射Ag的同时退火n型ZnO半导体单晶结构，形成Ag掺杂的p型ZnO半导体层（S102b）。选择的图：图5

37. 发明专利

JPWO2013150812A1 強誘電体膜の製造装置及び強誘電体膜の製造方法有权
标题翻译：一种制造铁电膜的制造装置及的铁电体膜的方法
公开(公告)号：JPWO2013150812A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：JP2014509067
申请日：2013-01-29
申请人：株式会社ユーテック
发明人：健木島 , 健木島 , 本多　祐二 , 祐二本多 , 武白土 , 武白土
IPC分类号： C30B29/32 , C04B35/00 , C04B35/49 , C30B29/16 , C30B29/22 , C30B29/24 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L41/318 , H01L41/319 , H01L41/43
CPC分类号： C30B5/00 , C30B29/22 , C30B29/32 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02323 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L41/1876 , H01L41/318
摘要：【課題】ゾルゲル法を用いて作製しても単一配向性または優先配向性が高い強誘電体膜の製造装置及び強誘電体膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、基板上に強誘電体材料を含むアモルファス膜16をゾルゲル法により形成し、アモルファス膜16に種結晶部材13を接触させながら酸素雰囲気で加熱することにより、アモルファス膜16を酸化して結晶化することで強誘電体膜を形成し、種結晶部材13を前記強誘電体膜から離すことを特徴とする強誘電体膜の製造方法である。【選択図】図1
摘要翻译：本发明提供了用于制造铁电体膜的铁电体膜中的设备和方法是更高的单取向或优选取向使用溶胶 - 凝胶法来制备。本发明的一个方面涉及包含通过溶胶 - 凝胶法形成的基板上的铁电材料的无定形的薄膜16，通过在氧气氛中加热而晶种构件13接触到非晶膜16 非晶膜16被氧化通过结晶用于制造铁电体膜，其中，所述晶种构件13从强电介质膜分离的方法，以形成铁电体膜。点域1

38. 发明专利

JP2015214480A サブミクロン希土類ホウ酸塩、その製造方法及び蛍光体としての使用有权
标题翻译：亚硫酸盐稀土，其生产方法和用作荧光材料
公开(公告)号：JP2015214480A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2015116742
申请日：2015-06-09
申请人：ロディアオペレーションズ , RHODIA OPERATIONS
发明人：ヴァレリービセッテ , ティエリール−メルシエ , イヴァンモンタルディ , ローランティエール
IPC分类号： C09K11/78 , C30B29/66 , C30B29/22 , C01B35/12
CPC分类号： C01B35/127 , C01B35/12 , C01B35/128 , C09K11/02 , C09K11/778 , Y10T428/2982
摘要：【課題】できるだけ個別粒子の形にあり、非常に小さい、サブミクロン(即ち1ミクロンより小さい)寸法、特に500nm以下の寸法を有する蛍光体、及びフィルムの形の透明な発光性材料の提供。【解決手段】希土類ホウ酸塩平均寸法が100〜400nmの範囲であり、分散指数が最大0.7である実質的に単結晶の粒子の液相懸濁液。希土類ホウ酸塩を構成する希土類がY、Gd、La、Lu及びScを含み、ドーパントとしてSb、Bi及び前記希土類以外の希土類から選択される元素を含む懸濁液。前記ホウ酸塩は、希土類のホウ炭酸塩又はヒドロキシホウ炭酸塩を、ホウ酸塩を生成させ且つ比表面積が少なくとも3m 2 /gである生成物を得るのに充分な温度で焼成し、この焼成から得られた生成物を湿式粉砕する製造方法。発光体として、特に発光性透明材料の製造に、用いることができる希土類ホウ酸塩の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供最可能分离的颗粒形式并且非常小的具有亚微米或小于1微米尺寸，特别是500nm或更小的尺寸的荧光材料和透明发光材料以薄膜的形式。溶液：实际上液晶颗粒的液相悬浮液具有100-400nm稀土硼酸盐的平均尺寸和最大0.7的分散指数。构成稀土硼酸盐的稀土元素包括Y，Gd，La，Lu和Sc，并且悬浮液含有选自Sb，Bi和除上述稀土元素之外的稀土元素中的一种或多种元素作为掺杂剂。稀土金属硼酸盐的制造方法包括在足以形成硼酸盐的温度下焙烧稀土硼碳酸盐或稀土类羟基硼酸盐，得到比表面积为3m / g的产物或更高，并且对该烘焙产品进行湿式破碎。还提供了可用于制造发光透明材料作为发光材料的稀土硼酸盐的制造方法。

39. 发明专利

JP2015532630A 超伝導体及び超伝導体の形成方法审中-公开
标题翻译：形成所述超导体和超导体的方法
公开(公告)号：JP2015532630A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2015526454
申请日：2012-10-08
申请人：エスエヌユーアールアンドディービーファウンデイション , エスエヌユーアールアンドディービーファウンデイション , スナムカンパニーリミテッド , スナムカンパニーリミテッド
发明人：サンイムユ , サンイムユ , ジュンウイ , ジュンウイ , スンミチョイ , スンミチョイ , センフンムン , センフンムン , フンジュイ , フンジュイ , ジェフンイ , ジェフンイ
IPC分类号： C01G3/00 , C01G1/00 , C30B1/04 , C30B29/22 , H01B12/06 , H01B13/00 , H01L39/24
CPC分类号： H01B12/06 , H01B1/08 , H01B13/0016 , H01L39/126 , H01L39/2419 , H01L39/2451 , Y10T428/24355
摘要：超伝導膜の形成方法が提供される。前記方法は希土類、バリウム及び銅を含む非晶質の希土類−銅−バリウム酸化物を提供し、そして非晶質の希土類−銅−バリウム酸化物を熱処理して分散された希土類酸化物の粒を含有する超伝導体を形成する。【選択図】図6
摘要翻译：提供了一种形成超导薄膜的方法。非晶态稀土所述方法包括稀土，钡和铜 - 铜 - 提供氧化钡，和非晶稀土 - 分散通过热处理氧化钡稀土氧化物的粒子 - 铜形成含有超导体。点域6

40. 发明专利

JP5729569B2 金属化合物結晶の製造方法および装飾品の製造方法有权
标题翻译：制造方法和用于饰金属化合物晶体的制造方法
公开(公告)号：JP5729569B2
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：JP2012509607
申请日：2011-03-31
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 渡部物産株式会社
发明人：梅山規男 , 池田伸一 , 秋山博樹 , 渡部恵輔 , 渡部譲
IPC分类号： C30B29/20 , C30B29/22 , A44C27/00 , A44C25/00 , A44C7/00 , A44C9/00 , C30B13/22
CPC分类号： C30B13/24 , C30B13/10 , C30B29/20

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