专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明专利

JPWO2006001162A1 電気機械フィルタ有权
公开(公告)号：JPWO2006001162A1
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：JP2006528436
申请日：2005-06-02
申请人：松下電器産業株式会社
发明人：中西　淑人 , 淑人中西 , 中村　邦彦 , 邦彦中村
IPC分类号： H03H9/46 , B81B3/00 , H03H9/00 , H03H9/24
CPC分类号： H03H9/2405 , H03H3/0072 , H03H9/02433 , H03H9/462 , H03H2009/02519 , Y10S977/724 , Y10S977/932
摘要：振動子が所望の振動モードのみで励振されるように、振動モードを規定することのできる電気機械フィルタ、つまり所望の振動モード以外の振動モードを抑制するフィルタを提供することを目的とし、信号を入力するための第1部材と、前記第1部材を囲むように、前記第1部材から所定間隔を隔てて配置され、前記第1部材から入力した信号による静電力で励振される第2部材と、前記第2部材から所定の間隔を隔てて、前記第2部材を囲むように配置され、第2部材の振動を検出するための第3部材とを備え、前記第2部材が前記第1部材と前記第3部材から引力を受けて拘束され、振動方向が規定されるように構成される。

32. 发明专利

JP2008075181A Method for manufacturing copper nanoparticle using microwave 有权
标题翻译：使用微波制造铜纳米粒子的方法
公开(公告)号：JP2008075181A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：JP2007242572
申请日：2007-09-19
申请人： Samsung Electro Mech Co Ltd , 三星電機株式会社
发明人： LEE YOUNG IL , JOUNG JAE WOO
IPC分类号： B22F9/24 , H01B13/00
CPC分类号： B22F9/24 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , B82Y30/00 , C30B7/14 , C30B29/602 , Y10S977/773 , Y10S977/775 , Y10S977/777 , Y10S977/81 , Y10S977/932 , B22F1/0018 , B22F2202/11
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for synthesizing copper nanoparticles with size of a few of 10 nm in mass having a narrow particle size distribution and an excellent dispersibility. SOLUTION: A method for manufacturing copper nanoparticles includes: (a) a stage for preparing a mixture solution including a copper salt, a dispersing agent, a reducing agent and an organic solvent; (b) a stage for raising temperature of the mixture solution up to 30 to 50°C and agitating; (c) a stage for irradiating the mixture solution with microwaves; and (d) a stage for obtaining the copper nanoparticles by lowering temperature of the mixture solution. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：待解决的问题：提供具有窄的粒度分布和优异的分散性的用于合成质量为10nm的几个尺寸的铜纳米颗粒的方法。解决方案：一种制造铜纳米颗粒的方法包括：（a）制备包含铜盐，分散剂，还原剂和有机溶剂的混合溶液的阶段; （b）将混合溶液的温度升高至30〜50℃并搅拌的阶段; （c）用微波照射混合溶液的阶段; 和（d）通过降低混合溶液的温度获得铜纳米颗粒的阶段。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

33. 发明专利

JP3922039B2 Electromagnetic wave absorbing materials and various products using the same 有权
公开(公告)号：JP3922039B2
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：JP2002038237
申请日：2002-02-15
申请人：株式会社日立製作所
发明人：貴志夫日高 , 光男林原 , 伸三池田 , 矩之田口 , 藤枝　　正
IPC分类号： H05K9/00 , H01Q17/00 , H05K1/02 , H05K3/28
CPC分类号： H05K9/0083 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/01012 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/1423 , H01L2924/16152 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01Q17/004 , H05K3/284 , H05K9/0024 , Y10S977/932 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： An electromagnetic wave absorption material includes a dispersions of at least one of the materials: a multi-layer hollow globule of carbon, a schungite carbon, and the schungite ore; mixed into a matter having a high electrical resistivity. The invention is further characterized by an electronic device, an optical transmission module, an optical reception module, a high frequency telecommunication equipment, and a stop-free automated tollgate system, wherein at least a part of their board, electronic element, and circuit wiring are covered with said electromagnetic wave absorption material.

34. 发明专利

JP2007122057A Liquid crystal display device and its manufacturing method 有权
标题翻译：液晶显示器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2007122057A
公开(公告)日：2007-05-17
申请号：JP2006291566
申请日：2006-10-26
申请人： Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi , Qinghua Univ , ツィンファユニバーシティ , 鴻富錦精密工業(深▲セン▼)有限公司
发明人： LIU LIANG , JIANG KAILI , FAN FENG-YAN
IPC分类号： G02F1/1337 , G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/1337 , B82Y20/00 , G02F2001/133765 , G02F2202/36 , Y10S977/742 , Y10S977/755 , Y10S977/932
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device and its manufacturing method. SOLUTION: The liquid crystal display device according to the present invention comprises a first substrate, a second substrate opposed to the first substrate, a liquid crystal layer interposed between the first substrate and second substrate, and a first carbon nanotube film and a second carbon nanotube film which are formed on the reverse-side surface of the first substrate and the reverse-side surface of the second substrate by arraying pluralities of carbon nanotubes. Further, provided is the manufacturing method of the liquid crystal display device. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种液晶显示装置及其制造方法。解决方案：根据本发明的液晶显示装置包括第一基板，与第一基板相对的第二基板，插入在第一基板和第二基板之间的液晶层，以及第一碳纳米管膜和第二碳纳米管膜，其通过排列多个碳纳米管而形成在第一基板的反面和第二基板的反面上。此外，提供了液晶显示装置的制造方法。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

35. 发明专利

JP2007503302A Use as a catalyst nanoparticles having a metal core and an organic double coating, and nanoparticles useful as catalysts 有权
公开(公告)号：JP2007503302A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：JP2006524403
申请日：2004-08-27
申请人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
发明人：アルノー・エシェベリ , アンリ・ペレズ , フレデリック・ライナル , ミッシェル・エルレム
IPC分类号： B01J31/28 , B01J35/00 , B01J35/02 , H01M4/86 , H01M4/88 , H01M4/90 , H01M4/92
CPC分类号： B82Y30/00 , B01J35/0013 , H01M4/8657 , H01M4/9008 , H01M4/92 , H01M4/921 , H01M4/923 , H01M4/926 , Y10S977/773 , Y10S977/81 , Y10S977/902 , Y10S977/932 , Y10T428/25 , Y10T428/2991
摘要：本発明は金属コア、より詳しくは白金族金属または白金族金属の合金を材料とする金属コアと、有機二重コーティングとを有するナノ粒子の触媒としての利用などに関するものであり、前記ナノ粒子は、少なくとも一つの白金族金属または白金族金属の合金を含む金属コアと、前記金属コアの表面に結合された分子から形成される第１有機コーティングと、前記第１有機コーティングの分子とは異なる分子であり、且つ前記第１有機コーティングの分子上にグラフトされた分子から形成される第２有機コーティングとを含む。

36. 发明专利

JP2007502545A Circuits fabricated from exchange element and the element which is based nanotubes having a plurality of control devices 审中-公开
公开(公告)号：JP2007502545A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：JP2006523453
申请日：2004-08-12
申请人：ナンテロ,インク.
发明人：シーガル，ブレント，エム． , バーティン，クロード，エル． , ルーケス，トーマス
IPC分类号： H01L29/06 , B82B1/00 , G11C11/00 , G11C11/21 , G11C11/50 , G11C13/02 , G11C23/00 , H01H1/027 , H01H59/00 , H01L21/00 , H01L27/28 , H01L29/73 , H01L29/772 , H01L29/78 , H01L51/30 , H03K19/20
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/17 , H01H1/0094 , H01H1/027 , H01L27/28 , H01L29/0673 , H01L29/73 , H01L29/78 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , Y10S977/708 , Y10S977/932 , Y10S977/936 , Y10S977/938 , Y10S977/94 , Y10S977/943
摘要：複数の制御装置を有するナノチューブを基礎とする交換エレメントとこのようなエレメントから製造される回路。交換エレメントは、入力ノードと、出力ノードと、少なくとも１つの導電性ナノチューブを有するナノチューブ・チャネル・エレメントとを含む。ナノチューブ・チャネル・エレメントに関連して、上記入力ノードと上記出力ノードとの間には、導電性のチャネルを制御可能式に形成しかつ形成しない制御構造体が配置される。出力ノードは、チャネルの形成が実質的に出力ノードの電気的状態によって影響されないように構成されかつ配置される。制御構造体は、ナノチューブ・チャネル・エレメントの反対の両側に配置される制御電極とリリース電極とを含む。制御及びリリースは差動入力を形成するために使用される、またはデバイスが適切に構成されていれば回路を不揮発的に動作させるために使用されることが可能である。交換エレメントは、構成に依存して差動入力及び／または不揮発性行動を有する論理回路及びラッチへと配置されることが可能である。
【選択図】図１Ａ

37. 发明专利

JP2006330596A Refractive index varying element 有权
$Refractive index varying element$
标题翻译：折射指数变化元素
公开(公告)号：JP2006330596A
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：JP2005157529
申请日：2005-05-30
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： YOSHIMURA REIKO , NISHIZAWA HIDEYUKI , TODORI KENJI , YAMADA HIROSHI , AIGA FUMIHIKO , TADA TSUKASA
IPC分类号： G02F1/061 , G02B6/12
CPC分类号： G02F1/0018 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G02F2001/01791 , G02F2202/13 , Y10S977/774 , Y10S977/778 , Y10S977/81 , Y10S977/932
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a refractive index varying element capable of greatly varying a refractive index in a non-absorption area. SOLUTION: The refractive index varying element has a structure portion where one kind of or a plurality of kinds of quantum dots having discrete occupation and non-occupation electron energy levels are dispersed in a solid-state matrix, and is characterized in that the quantum dots have a function of generating a pair of positive and negative electric charges by light irradiation, a function of acquiring the positive electric charge, and a function of acquiring the negative electric charge and quantum dots having the function of the acquiring the negative electric charge are selected from a group of combinations of cations and acceptors of elements accompanied by change of an electron shell on an occupation track due to electron injection, metal chelate complexes, and metallocene and its derivatives. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够大大改变非吸收区域中的折射率的折射率变化元件。解决方案：折射率变化元件具有其中具有离散占据和非占空间电子能级的一种或多种量子点分散在固态矩阵中的结构部分，其特征在于：量子点具有通过光照射产生一对正电荷和负电荷的功能，获得正电荷的功能，以及获取具有获得负电荷的功能的负电荷和量子点的功能电荷选自阳离子和元素的受体的组合，伴随着由于电子注入，职业轨道上的电子壳的变化，金属螯合络合物和茂金属及其衍生物的组合。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

38. 发明专利

JP2006128233A Semiconductor material, field effect transistor, and manufacturing method thereof 审中-公开
标题翻译：半导体材料，场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2006128233A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：JP2004311719
申请日：2004-10-27
申请人： Hitachi Ltd , 株式会社日立製作所
发明人： SAITO SHINICHI , ARAI TADASHI , BOKU NARIMOTO , MINE TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/42392 , B82Y10/00 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/0673 , H01L29/66772 , H01L29/78603 , H01L29/78696 , Y10S977/723 , Y10S977/762 , Y10S977/932 , Y10S977/937
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem of metal contamination with a silicon via where metal particles are used as nucleus for crystal growth and formation. SOLUTION: Using a normal silicon process such as lithography and etching, an SOI substrate is subjected to a process of lithography and wet etching with a hydrofluoric acid for forming a silicon bridge. Then, a thermal oxide film is preferred to be formed at a high temperature to form a gate insulating film of good quality. Forming successively up to a coaxial gate electrode is preferred. After the silicon at a silicon bridge is embedded in a resist film, the silicon above a bridge girder is removed. By collecting the silicon wire embedded in the resist film, a transistor that uses a silicon wire 4 as a channel is formed without dispersing the silicon wire in the solution of the hydrofluoric acid. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了解决金属污染的问题，其中使用金属颗粒作为晶体生长和形成的核。解决方案：使用普通硅工艺如光刻和蚀刻，对SOI衬底进行用用于形成硅桥的氢氟酸的光刻和湿法蚀刻工艺。然后，优选在高温下形成热氧化膜，形成质量好的栅极绝缘膜。优选形成同轴栅电极。在硅桥上的硅嵌入抗蚀剂膜中之后，去除桥梁上方的硅。通过收集嵌入抗蚀剂膜中的硅线，形成使用硅线4作为沟道的晶体管，而不会将硅线分散在氢氟酸的溶液中。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

39. 发明专利

JP3740295B2 Carbon nanotube device, the manufacturing method and the electron-emitting device 有权
公开(公告)号：JP3740295B2
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：JP27642698
申请日：1998-09-14
申请人：キヤノン株式会社
发明人：達哉岩崎 , 透田
IPC分类号： G01B7/34 , C01B31/02 , D01F9/127 , G01N37/00 , G01Q30/12 , G01Q60/16 , G01Q60/38 , G01Q70/12 , G01Q70/14 , G01Q70/16 , G01Q90/00 , H01B1/04 , H01J1/304 , H01J9/02 , H01L21/00 , H01L29/06 , H01L49/00
CPC分类号： D01F9/127 , G01Q60/16 , G01Q60/38 , G01Q70/12 , H01J1/14 , H01J1/30 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10S977/932 , Y10S977/939
摘要： The present invention discloses a carbon nanotube device comprising a support having a conductive surface and one or more carbon nanotubes, one of whose terminus binds to the conductive surface so that conduction between the surface and the carbon nanotube is maintained, wherein a root of the carbon nanotube where the carbon nanotube binds to the conductive surface is surrounded by a wall. Such a carbon nanotube device, having carbon nanotubes with a uniform direction of growth, can generate a large quantity of emitted electrons when it is used as an electron emission device.

40. 发明专利

JP2005186270A Manufacture of nano-object array 有权
标题翻译：纳米对象阵列的制造
公开(公告)号：JP2005186270A
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：JP2004372613
申请日：2004-12-24
申请人： Hewlett-Packard Development Co Lp , ヒューレット−パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
发明人： KORNILOVICH PAVEL , MARDILOVICH PETER , STASIAK JAMES
IPC分类号： B81B1/00 , B82B3/00 , C25D1/04 , C25D1/10 , C25D1/20 , C30B29/60 , C30B29/68
CPC分类号： B81B1/00 , B82B3/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25D1/04 , C25D1/10 , C25D1/20 , C30B29/605 , C30B29/68 , G01N31/22 , Y10S977/76 , Y10S977/761 , Y10S977/762 , Y10S977/932
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a wire array more reliable, less expensive, more reproducible, more suitable and thinner than a wire which can be realized by the present technology. SOLUTION: The manufacturing method for the wire array includes steps of (i) providing a nano-object having a predetermined length and thickness and the length remarkably larger than the thickness and (ii) providing a superlattice having a functional surface and alternate layers made of a conductive material and one or more other materials. The functional surface includes an exposed edge of the alternate layer, an exposed edge of the conductive material layer is offset from the exposed edge of one or more layers of the one or more other material layers, the superlattice has a predetermined length and the thickness, and the length is remarkably larger than the thickness. The method further includes steps of (iii) exposing the nano-object to the functional surface, and (iv) orienting the longitudinal direction of the nano-object with respect to the offset exposed edge of the conductive material layer by using an electric field. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造线阵列的方法，其比可通过本技术实现的线更可靠，更便宜，更可再现，更适合和更薄。线阵列的制造方法包括以下步骤：（i）提供具有预定长度和厚度并且长度显着大于厚度的纳米物体，以及（ii）提供具有功能表面和交替的超晶格由导电材料和一种或多种其它材料制成的层。所述功能表面包括所述交替层的暴露边缘，所述导电材料层的暴露边缘偏离所述一个或多个其它材料层的一个或多个层的暴露边缘，所述超晶格具有预定长度，长度明显大于厚度。该方法还包括以下步骤：（iii）将纳米物体暴露于功能表面，以及（iv）通过使用电场相对于导电材料层的偏移暴露边缘定向纳米物体的纵向方向。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式