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31. 发明专利

JP5891920B2 変調器集積型レーザ素子有权
标题翻译：调制器集成激光器元件
公开(公告)号：JP5891920B2
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：JP2012092904
申请日：2012-04-16
申请人：三菱電機株式会社
发明人：大和屋武 , 高木和久
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/0085 , B82Y20/00 , H01S3/10 , H01S5/0265 , H01S5/0425 , H01L2224/48091 , H01S2301/176 , H01S5/0208 , H01S5/02276 , H01S5/0422 , H01S5/12 , H01S5/2224 , H01S5/227 , H01S5/3211 , H01S5/34306

32. 发明专利

JP5775093B2 能動フォトニック結晶構造を有する高出力量子カスケードレーザ有权
标题翻译：具有有源光子晶体结构的高功率量子级联激光器
公开(公告)号：JP5775093B2
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：JP2012544494
申请日：2010-10-07
申请人：ウィスコンシンアラムニリサーチファンデーション
发明人：ボーツダン , モーストリュークジェイ
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S5/4031 , H01S5/02461 , H01S5/2224 , H01S5/3213 , H01S5/4081

33. 发明专利

JP2015061060A 半導体装置の製造方法および半導体装置有权
标题翻译：半导体器件制造方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2015061060A
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2013196093
申请日：2013-09-20
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社 , Renesas Electronics Corp
发明人： AE TAKASHI , KITAMURA SHOTARO , OKUDA TETSURO , KATO TAKESHI , WATANABE ISAO
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/227 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3202 , H01S5/2201 , H01S5/2224 , H01S5/2272 , H01S5/34313 , H01S2304/04
摘要：【課題】半導体装置(半導体レーザ)の特性を向上させる。【解決手段】(100)面から[1−1−1]方向へ、0.5?〜1.0?の範囲でオフ角を有する基板Sの表面の露出部上に、[0−1−1]方向に延在するようにInPよりなる活性層導波路AWGを形成する。また、活性層導波路AWG上に、p型のInPよりなるカバー層CVLを、V/III比が2000以上の高V/III比で形成する。これにより、活性層導波路AWGの膜厚の変動を低減し、良好なMQW(多重量子井戸)を得ることができる。また、基板Sの表面にほぼ垂直な(0−11)面が主として現れる側面を有するカバー層CVLを形成することができる。また、カバー層CVLおよび活性層導波路AWGの積層部(メサ部ともいう)の断面形状が、略矩形状となる。このため、通電領域EA2を大きくすることができ、半導体装置の抵抗を低減することができる。【選択図】図13
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体器件（半导体激光器）的特性。解决方案：半导体器件制造方法包括以下步骤：在衬底S的表面的暴露部分上形成由InP组成的有源层波导AWG，在[1-1-1]方向上具有从（100）面的0.5°-1.0°的偏离角度，以在[0-1-1]方向上延伸; 并且在有效层波导AWG上以高的V / III比为2000及以上，形成由p型InP组成的覆盖层CVL。这降低了有源层波导AWG的膜厚度的变化，并且实现了gook MQW（多量子阱）。此外，可以形成具有主要具有基本上垂直于基板S的表面的（0-11）面的侧面的覆盖层CVL。此外，覆盖层CVL和有源层波导AWG的层叠部（也称为台面部）的截面形状大致为矩形。因此，可以形成更大的导电区域EA2，并且可以减小半导体器件的电阻。

34. 发明专利

JP5580965B2 Nitride semiconductor laser device 有权
公开(公告)号：JP5580965B2
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：JP2007100031
申请日：2007-04-06
申请人：日本オクラロ株式会社
发明人：朋信土屋 , 滋久田中 , 昭久寺野
IPC分类号： H01S5/223 , H01S5/227 , H01S5/343
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/2224 , H01S5/2226 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2304/04

35. 发明专利

JP5573386B2 Semiconductor optical integrated device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5573386B2
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：JP2010133023
申请日：2010-06-10
申请人：三菱電機株式会社
发明人：栄太郎石村 , 和久高木 , 啓資松本 , 健斎藤
IPC分类号： H01S5/026 , G02B6/42
CPC分类号： H01S5/0265 , B82Y20/00 , G02B6/122 , G02B2006/12097 , G02F1/2257 , H01S5/02461 , H01S5/026 , H01S5/1014 , H01S5/12 , H01S5/222 , H01S5/2224 , H01S5/227 , H01S5/34306

36. 发明专利

JP5505226B2 Semiconductor optical amplifier 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP5505226B2
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：JP2010210770
申请日：2010-09-21
申请人：富士通株式会社
发明人：信介田中 , 剛之山本
IPC分类号： H01S5/50 , H04B10/29
CPC分类号： H01S5/50 , B82Y20/00 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01S5/0064 , H01S5/02288 , H01S5/0625 , H01S5/1039 , H01S5/1057 , H01S5/106 , H01S5/1064 , H01S5/2224 , H01S5/32333 , H01S5/3235 , H01S5/34306 , H01L2924/00

37. 发明专利

JP2013519241A Light - electronic devices 有权
公开(公告)号：JP2013519241A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：JP2012552467
申请日：2011-02-09
申请人：ザセンターフォーインテグレーテッドフォトニクスリミテッド
发明人：スクジバン・ドサンジ , イアン・リールマン , ゴードン・バーンズ , マイケル・ロバートソン
IPC分类号： H01S5/323 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/0607 , B82Y20/00 , H01L33/145 , H01S5/2206 , H01S5/2224 , H01S5/2226 , H01S5/2227 , H01S5/2275 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3434
摘要： The present invention provides a current blocking structure for electronic devices, preferably optoelectronic devices. The current blocking structure comprises a semiconductor material arrangement comprising an n-type ruthenium doped indium phosphide (Ru-InP) layer and a first p-type semiconductor material layer wherein the n-type Ru-InP layer is less than 0.6 mum thick. The semiconductor material arrangement and p-type semiconductor material layer form a current blocking p-n junction. The current blocking structure may further comprise other n-type layers and/or multiple n-type Ru-InP layers and/or intrinsic/undoped layers wherein the n-type Ru-InP layers may be thicker than 0.6 mum.

38. 发明专利

JP2013514659A High power quantum cascade laser having an active photonic crystal structure 有权
公开(公告)号：JP2013514659A
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：JP2012544494
申请日：2010-10-07
申请人：ウィスコンシンアラムニリサーチファンデーション
发明人：ダンボーツ , リュークジェイモースト
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S5/02461 , H01S5/2224 , H01S5/3213 , H01S5/4031 , H01S5/4081
摘要：中波長から長波長（即ち、４〜１２μｍ）の赤外放射線を放出することができる半導体レーザアレイデバイスが提供される。本デバイスは、１つ又はそれ以上の能動コアを備えた量子カスケードレーザ（ＱＣＬ）構造、光閉じ込め構造、クラッド構造、並びに光閉じ込め構造及びクラッド構造を通ってＱＣＬ構造にまで部分的に縦方向に延び、横方向に離間した複数のトレンチ領域を含む。トレンチ領域は、その各々が半絶縁性材料を含む下側トレンチ層と、半絶縁性材料よりも高い屈折率を有する材料を含む上側トレンチ層とを備え、レーザアレイデバイスにおいて素子領域により分離され、横方向に離間した複数の素子間領域を構成する。
【選択図】図４

39. 发明专利

JP5185537B2 Optical semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5185537B2
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：JP2007010235
申请日：2007-01-19
申请人：富士通株式会社 , 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
发明人：理人植竹 , 辰也竹内
IPC分类号： H01S5/227
CPC分类号： H01S5/227 , B82Y20/00 , H01S5/026 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2201 , H01S5/2224 , H01S5/2275 , H01S5/3211 , H01S5/34306 , H01S5/34373 , H01S5/50 , H01S2304/04

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