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31. 发明专利

JPS5744829A Atmospheric pressure detecting circuit 失效
标题翻译：大气压力检测电路
公开(公告)号：JPS5744829A
公开(公告)日：1982-03-13
申请号：JP11974180
申请日：1980-09-01
申请人： Hitachi Ltd
发明人： UCHIYAMA KAORU , KASHIWAZAKI SEIICHI
IPC分类号： G01L7/00 , G01L9/06
CPC分类号： G01L9/06
摘要： PURPOSE:To avoid the effects of abrupt change in atmospheric pressure by detecting the difference between the outputs of two kinds of strain gages provided on a diaphragm which varies with atmospheric pressure via a differential amplifier and amplifiers having a predetermined time constant. CONSTITUTION:A bridge circuit is constituted by piezoelectric resistor elements G1 and G2, which are provided on the diaphragm which varies with the atmospheric pressure, and whose values increase with respect to the atmospheric pressure. A reference pressure of said semiconductor strain gage G is a vacuum. Middle point voltages e1 and e2 are inputted to an operation amplifier A3 through operation amplifiers A1 and A2, and an output E0 is sent out. Since a capacitor C is connected in parallel with a resistor R6 in a negative feedback circuit of the operation amplifier A3, the effects of abrupt change in atmospheric pressure are avoided.
摘要翻译：目的：通过检测通过差分放大器和具有预定时间常数的放大器在大气压下变化的隔膜上提供的两种应变计的输出之间的差异，来避免大气压突然变化的影响。构成：桥接电路由压电电阻元件G1和G2构成，压电电阻元件G1和G2设置在膜片上，其随着大气压力而变化，并且其值相对于大气压力增加。所述半导体应变计G的参考压力是真空。中点电压e1和e2通过运算放大器A1和A2输入到运算放大器A3，并输出输出E0。由于电容器C与运算放大器A3的负反馈电路中的电阻器R6并联连接，所以避免了大气压突然变化的影响。

32. 发明专利

JP6371012B2 力学量測定装置およびそれを用いた圧力センサ审中-公开
公开(公告)号：JP6371012B2
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：JP2017542964
申请日：2016-07-29
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：宮嶋健太郎
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84 , G01L1/18
CPC分类号： G01L1/18 , G01B7/18 , G01L1/2268 , G01L1/2293 , G01L9/0042 , G01L9/0055 , G01L9/06 , H01L29/84

33. 发明专利

JP6318760B2 物理量センサー、高度計、電子機器および移動体有权
公开(公告)号：JP6318760B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2014062778
申请日：2014-03-25
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：竹内淳一 , 衣川拓也
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0052 , G01L9/06

34. 发明专利

JP6161736B2 多重化型およびバッファ型の小型化センサ・アレイ用のシステムおよび方法有权
公开(公告)号：JP6161736B2
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：JP2015561532
申请日：2014-03-04
申请人：メジャメントスペシャリティーズ, インコーポレイテッド
发明人：キーター,スティーブンマーク
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01M9/06 , G01L15/00 , G01L9/06 , G08C15/00 , H04Q9/00

35. 发明专利

JPWO2013129444A1 圧力センサモジュール及び蓋体有权
标题翻译：压力传感器模块和所述盖
公开(公告)号：JPWO2013129444A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014502276
申请日：2013-02-27
申请人：株式会社フジクラ
发明人：道和冨田 , 道和冨田
IPC分类号： G01L19/14 , H01L29/84
CPC分类号： G01L9/06 , G01L19/0038 , G01L19/069 , G01L19/147 , H01L23/053 , H01L25/167 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本発明の圧力センサモジュールは、基板(2)と、前記基板(2)に接合された蓋体(3)と、前記基板(2)及び前記蓋体(3)により囲まれてなる内部空間(C)に収容された、半導体圧力センサ素子(10)及び前記半導体圧力センサ素子(10)と機能的に接続された集積回路素子(20)と、前記内部空間(C)と外部空間とを連通させる圧力導入孔(S1)と、前記外部空間と前記内部空間(C)との間に設けられ、前記圧力導入孔(S1)の孔軸が変曲して形成された光遮断部(R1)と、を有する。
摘要翻译：本发明的压力传感器模块包括：基板（2），其被接合到所述衬底的盖体（2）和（3），所述衬底（2），并通过由盖所包围形成的内部空间（3）（容纳在C），它与半导体压力传感器元件（10）连通，并且所述的半导体压力传感器元件（10）功能性地连接到集成电路装置（20），以及所述内部空间（C）和外部空间一压力引入孔（S1）到所述内部空间（C）之间提供的所述外部空间，阻断与孔轴部的光被压力导入孔的拐点（S1）（R1）形成并且，具有。

36. 发明专利

JPWO2012102073A1 差圧センサ有权
公开(公告)号：JPWO2012102073A1
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：JP2012554710
申请日：2012-01-11
申请人：国立大学法人東京大学 , 国立大学法人東京大学
发明人：勲下山 , 下山　　勲 , 潔松本 , 松本　　潔 , 智之 ▲たか▼畑 , 智之 ▲たか▼畑 , 哲朗菅 , 哲朗菅 , 健太桑名 , 健太桑名 , 高橋　英俊 , 英俊高橋 , ミンジューングェン , ミンジューングェン
IPC分类号： G01L13/06
CPC分类号： G01L9/06 , G01L9/0002 , G01L9/0042 , G01L9/0054 , G01L13/02 , G01L19/147 , H04R21/02
摘要：簡素な構成で圧力変動を測定することができる差圧センサを提供する。空気室と、当該空気室の内外を連通する開口とが形成された本体と、前記開口に設けられた検知部とを備え、前記検知部は、前記開口を塞ぐように傾動可能に設けられたカンチレバー部を有し、前記カンチレバー部はピエゾ抵抗層が形成されていることを特徴とする。

37. 发明专利

JP4843877B2 Semiconductor dynamic quantity sensor 有权
公开(公告)号：JP4843877B2
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：JP2001221697
申请日：2001-07-23
申请人：株式会社デンソー
发明人：晋二吉原 , 康利鈴木
IPC分类号： G01P21/00 , H01L29/84 , G01L9/00 , G01L9/04 , G01L9/06 , G01P15/12
CPC分类号： G01L9/06 , G01L9/0054

38. 发明专利

JP4296811B2 Physical quantity sensor device 有权
公开(公告)号：JP4296811B2
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：JP2003082646
申请日：2003-03-25
申请人：株式会社デンソー
发明人：正人今井 , 丈司篠田
IPC分类号： G01D5/12 , B60T17/18 , B60T17/22 , G01L9/06 , G01L19/12 , G01R19/165 , G08B21/00 , G08B21/18
CPC分类号： G01L9/06 , B60T17/22

39. 发明专利

JP4195388B2 It is formed on a silicon-on-insulator structure, a sensor having a reduced power-up drift 有权
公开(公告)号：JP4195388B2
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：JP2003553212
申请日：2002-12-03
申请人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
发明人：ジョンソン，ラッセル・エル
IPC分类号： G01L9/00 , G01D3/028 , G01D5/18 , G01L9/06 , H01L29/84
CPC分类号： G01L9/0055 , G01L9/06

40. 发明专利

JP4091241B2 The manufacturing method of the pressure sensor and the pressure sensor 有权
公开(公告)号：JP4091241B2
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：JP2000298160
申请日：2000-09-29
申请人：株式会社山武
发明人：誉増田
IPC分类号： G01L9/12 , H01L29/84 , G01L9/00 , G01L9/04 , G01L9/06
CPC分类号： G01L9/04 , G01L9/0075 , G01L9/06

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