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31. 发明专利

JP6112940B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6112940B2
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：JP2013077408
申请日：2013-04-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：岡崎拓行 , 南條拓真 , 鈴木洋介 , 今井章文 , 吹田宗義 , 柳生栄治
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/41 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/66477 , H01L21/28581 , H01L21/28587 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/2003 , H01L29/42316

32. 发明专利

JP2017063089A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017063089A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2015186744
申请日：2015-09-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：倉橋健一郎 , 南條拓真 , 吹田宗義 , 今井章文 , 柳生栄治 , 岡崎拓行
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/318 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/812 , H01L23/291 , H01L29/0649 , H01L29/402 , H01L29/408 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/802 , H01L29/42376
摘要：【課題】再現性よく電流コラプスを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】基板1上に窒化物半導体層3,4が形成されている。窒化物半導体層3,4上にソース電極5、ゲート電極7及びドレイン電極6が形成されている。SiN表面保護膜8が窒化物半導体層3,4を覆う。SiN表面保護膜8のSi−N結合を成すSiとNの構成比Si/Nが0.751〜0.801である。【選択図】図1

33. 发明专利

JP5991000B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5991000B2
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：JP2012097892
申请日：2012-04-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：鈴木洋介 , 阿部雄次 , 吹田宗義 , 南條拓真 , 今井章文 , 柳生栄治
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338

34. 发明专利

JP5846779B2 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP5846779B2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：JP2011145199
申请日：2011-06-30
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今井章文 , 南條拓真 , 吹田宗義 , 塩沢勝臣 , 鈴木洋介 , 柳生栄治 , 阿部雄次
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/28

35. 发明专利

JP2015198210A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015198210A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：JP2014076707
申请日：2014-04-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中村茉里香 , 柳生栄治 , 吹田宗義 , 南條拓真 , 鈴木洋介 , 今井章文 , 倉橋健一郎 , 本谷宗
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/338
摘要：【課題】窒化物半導体のヘテロ接合を用いる場合において、より高い耐圧を確保することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】チャネル層3およびバリア層4は、窒化物半導体からなり、ヘテロ接合をなしている。ソース電極5およびドレイン電極6はバリア層4上に互いに離れて配置されている。ゲート電極7は、バリア層4上でソース電極5およびドレイン電極6の間に配置されている。保護膜8はソース電極5およびドレイン電極6の間でバリア層4を被覆している。保護膜8は、結合エネルギーE Al2p の2p3/2軌道を有するAl原子と結合エネルギーE O1s の1s軌道を有するO原子とを含む化合物から作られ、結合エネルギーE Al2p およびE O1s の差異が456.82eV以下である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件及其制造方法，其可以在使用氮化物半导体的异质结的情况下确保更高的耐压性。解决方案：半导体器件包括：沟道层3和栅极层4，其由氮化物半导体构成，形成异质结; 源极5和漏极6，它们彼此间隔一定距离设置在阻挡层4上; 布置在源电极5和漏电极6之间的阻挡层4上的栅电极7; 以及保护膜8，其覆盖源极电极5和漏极电极6之间的阻挡层4.保护膜8由包含具有2p3 / 2的键能分子轨道的Al原子的化合物组成，并且具有 1分子轨道的键能E.键能E和键能Eis之间的差异等于或小于456.82 eV。

36. 发明专利

JP2015167220A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015167220A
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2014244629
申请日：2014-12-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：倉橋健一郎 , 南條拓真 , 吹田宗義 , 鈴木洋介 , 今井章文 , 中村茉里香 , 柳生栄治
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/417 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/28581 , H01L29/475 , H01L29/7786 , H01L29/2003
摘要：【課題】窒化物半導体からなる半導体装置において逆方向リーク電流をより低減するとともに、製造方法の自由度を高めることが可能な技術を提供する。【解決手段】半導体装置は、Al x Ga 1−x N(0≦x≦1)バリア層4と、Al x Ga 1−x N(0≦x≦1)バリア層4の表面上に配設され、Al x Ga 1−x N(0≦x≦1)バリア層4の表面とショットキー接合を成すNi単層構造からなるゲート電極6aとを備える。窒素雰囲気中でゲート電極6aに500℃以上のアニーリング処理が行われたことによって、Al x Ga 1−x N(0≦x≦1)バリア層4の表面とゲート電極6aとの間に反応層7が形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够进一步减少包括氮化物半导体的半导体器件中的反向泄漏电流以及其制造方法的自由度的增加的技术。解决方案：半导体器件包括：屏障 AlGaN层4（0≤x≤1）; 和由AlGaN（0≤x≤1）的阻挡层4的表面形成的与AlGaN的阻挡层4的表面形成肖特基接合的由Ni单层结构构成的栅电极6a（0≤x≤1） 1）。半导体器件还包括通过在氮气气氛中在500℃以上退火栅极6a而形成在AlGaN（0≤x≤1）的势垒层4的表面与栅电极6a之间的反应层7 。

37. 发明专利

JP2015165530A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015165530A
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：JP2014040038
申请日：2014-03-03
申请人：三菱電機株式会社
发明人：鈴木洋介 , 柳生栄治 , 吹田宗義 , 南條拓真 , 今井章文 , 倉橋健一郎 , 中村茉里香
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/338
摘要：【課題】本発明は、電流コラプスを抑制することができる半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、半導体基板1上に形成されたチャネル層3と、チャネル層3上に形成された、Inを含む窒化物半導体からなるバリア層4と、バリア層4上に部分的に形成されたゲート電極8と、バリア層4上に部分的に形成された、窒化物半導体からなるキャップ層5と、キャップ層5上に部分的に形成されたドレイン電極7とを備える。ゲート電極8のドレイン電極7に近い側の端部とキャップ層5とは、互いに離間して形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以抑制电流崩溃的半导体器件及其制造方法。解决方案：半导体器件包括：形成在半导体衬底1上的沟道层3; 阻挡层4，其形成在沟道层3上并且由含In氮化物半导体构成; 部分地形成在阻挡层4上的栅电极8; 第一层5，其部分地形成在阻挡层4上并由氮化物半导体构成; 以及部分地形成在盖层5上的漏极电极7.在漏极电极7和盖层5的一侧上的栅电极8的一端形成为彼此间隔开。

38. 发明专利

JP2015099865A ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：异相场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2015099865A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：JP2013239584
申请日：2013-11-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今井章文 , 尾上和之 , 鈴木洋介 , 南條拓真 , 吹田宗義 , 柳生栄治
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/41 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
摘要：【課題】本発明は、より効果的に電流コラプスを抑制することが可能なヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供することを特徴とする。【解決手段】本発明によるヘテロ接合電界効果型トランジスタは、電子供給層4上の予め定められた領域に形成されたゲート電極10と、電子供給層4上であって、ゲート電極10の一方側と他方側とに各々形成されたドレイン電極8およびソース電極9とを備え、ゲート電極10は、積層して形成された複数の金属層10a〜10cを有し、各金属層10a〜10cのうちの少なくとも最も電子供給層4側に形成された金属層10aの幅は、他の金属層10b,10cの幅よりも小さく、かつ各金属層10a〜10cのドレイン電極8側の端部において、少なくとも最も電子供給層4側に形成された金属層10aの端部は、他の金属層10b,10cの端部よりもソース電極9側に位置することを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种异质结场效应晶体管及其制造方法，可以更有效地抑制电流塌陷。本实施例的异质结场效应晶体管包括：形成栅电极10 在预定区域的电子供给层4上; 以及在栅电极10的一侧和另一侧分别形成在电子供给层4上的漏电极8和源电极9。栅电极10具有层叠形成的多个金属层10a〜10c。至少在最靠近电子供给层4的一侧形成的金属层10a-10c之间的金属层10a的宽度小于其他金属层10b，10c的宽度，并且在在漏电极8侧的金属层10a-10c，至少形成在最靠近电子供给层4的一侧形成的金属层10a的端部比其他金属层10b，10c的端部更靠近源电极9 。

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