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32. 发明专利

JP2015101490A SiC単結晶の製造方法有权
标题翻译：制造SiC单晶的方法
公开(公告)号：JP2015101490A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：JP2013241086
申请日：2013-11-21
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 新日鐵住金株式会社
发明人：旦野克典 , 楠一彦 , 亀井一人
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B11/003
摘要：【課題】シードタッチさせた後にSi−C溶液の温度を変えても、多結晶の発生を抑制することができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】内部から表面に向けて温度低下する温度勾配を有するSi−C溶液24に、種結晶保持軸12に保持させたSiC種結晶基板14を接触させてSiC単結晶を成長させる、SiC単結晶の製造方法であって、(A)Si−C溶液24を第1の温度にする工程、(B)種結晶保持軸12に保持された種結晶基板14を、Si−C溶液24に接触させる工程、(C)Si−C溶液24に種結晶基板14を接触させた後、Si−C溶液24を、第2の温度にする工程、並びに(D)第1の温度から第2の温度にするときのSi−C溶液24の液面高さの変化に応じて、種結晶保持軸12に保持された種結晶基板14を上下方向に移動させる工程、を備える、SiC単結晶の製造方法。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供即使当在种子接触之后Si-C溶液的温度变化时也能够抑制形成多晶体的SiC单晶的制造方法。解决方案：提供一种方法，通过将由晶种保持轴12保持的SiC晶种基板14由温度梯度从内到顶的Si-C溶液24制造成SiC单晶，其中生长SiC单晶表面。该方法包括以下工序：（A）将Si-C溶液24保持在第一温度; （B）使由晶种保持轴12保持的晶种基板14与Si-C溶液24接触; （C）在使晶种基板14与Si-C溶液24接触之后，在第二温度下保持Si-C溶液; 以及（D）当Si-C溶液从第一温度变为第二温度时，根据Si-C溶液24的液面高度的变化，上下移动由籽晶保持轴12保持的晶种基板14 温度。

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