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21. 发明专利

JP3703435B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP3703435B2
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：JP2002028300
申请日：2002-02-05
申请人：三菱電機株式会社
发明人：佳史友松
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L27/0647 , H01L29/7808 , H01L29/7815 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device has a first IGBT (1) for controlling a principal current and a second IGBT (2) for preventing an over-current of the first IGBT (1). A diode portion (11) is disposed between the emitter (5) of the first IGBT (1) and the emitter (6) of the second IGBT (2) so as to be in parallel with a sensing resistor (8). The diode portion (11) is composed of a first diode (9) and a second diode (10), which are connected in reverse series to each other. In order to prevent the over-current of the first IGBT (1) and the destruction of the second IGBT (2), each of the diodes (9, 10) has a breakdown voltage in the reverse voltage direction, which is lower than the endurance voltage between the emitters (5, 6) and is higher than the upper limit of the voltage sensed by the sensing resistor (8).

22. 发明专利

JPWO2017141560A1 絶縁ゲート半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017141560A1
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2017000053
申请日：2017-01-04
申请人：富士電機株式会社
发明人：佐藤茂樹
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/0629 , H01L27/0647 , H01L29/7393 , H01L29/866 , H03K17/08128 , H03K17/0828 , H03K2017/0806
摘要：【課題】主電流を制御するゲート電極を備えた主絶縁ゲート・トランジスタと、主絶縁ゲート・トランジスタに対して並列的に設けられて主絶縁ゲート・トランジスタに流れる主電流に比例した電流を出力する電流検出用絶縁ゲート・トランジスタと、これらの絶縁ゲート・トランジスタと共に同一の半導体基板上に形成された温度検出用ダイオードとを備えた絶縁ゲート半導体装置において静電気放電耐量の向上を図る。【解決手段】電流検出用絶縁ゲート・トランジスタのエミッタ電極と、温度検出用ダイオードのアノード電極との間に静電気耐量用ツェナーダイオードを介装することで、温度検出用ダイオードを利用して電流検出用絶縁ゲート・トランジスタの静電気放電耐量を確保する。

23. 发明专利

JP6275282B2 半導体装置、その製造方法および半導体モジュール有权
公开(公告)号：JP6275282B2
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：JP2016569148
申请日：2015-01-13
申请人：三菱電機株式会社
发明人：西村一廣 , 上野誠 , 豆塚政隆
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/74 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0647 , H01L21/8222 , H01L27/0623 , H01L27/0705 , H01L27/0727 , H01L27/0922 , H01L29/0646 , H01L29/66325 , H01L29/739 , H01L29/7393 , H01L29/74 , H01L29/7404 , H01L29/78

24. 发明专利

JP6268156B2 遊技機有权
公开(公告)号：JP6268156B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2015251307
申请日：2015-12-24
申请人：株式会社藤商事
发明人：矢次譲 , 内山保 , 尾形哲央
IPC分类号： A63F7/02
CPC分类号： H02H9/044 , H01L27/0647 , H01L29/866 , H02H1/0007 , H02H1/0061 , H03K19/00315

25. 发明专利

JPWO2016113841A1 半導体装置、その製造方法および半導体モジュール有权
公开(公告)号：JPWO2016113841A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2016569148
申请日：2015-01-13
申请人：三菱電機株式会社
发明人：一廣西村 , 一廣西村 , 誠上野 , 誠上野 , 政隆豆塚 , 政隆豆塚
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/74
CPC分类号： H01L27/0647 , H01L21/8222 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/0623 , H01L27/088 , H01L29/0646 , H01L29/66325 , H01L29/739 , H01L29/7393 , H01L29/74 , H01L29/7404 , H01L29/78
摘要：本発明は、同一半導体基板内にIGBT、サイリスタ素子、回路領域を有する半導体装置において、半導体装置の小型化と製造期間の短縮を実現しつつ、回路領域の寄生動作防止効果を高めた半導体装置、その製造方法および半導体モジュールの提供を目的とする。本発明に係る半導体装置は、第1導電型のドリフト層を備える半導体基板の第1主面側に形成された絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ15と、半導体基板の第1主面側に形成されたサイリスタ素子17と、半導体基板の第1主面側に形成された、CMOS回路素子を含む回路領域24と、半導体基板の第1主面側に形成され、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ15と回路領域24を平面視で隔てるホール電流回収領域16と、半導体基板の第2主面側に形成された第2導電型の拡散層と、を備え、平面視で、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ15の有効面積は、サイリスタ素子17の有効面積以下である。

26. 发明专利

JP6098041B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6098041B2
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：JP2012083931
申请日：2012-04-02
申请人：富士電機株式会社
发明人：中村浩 , 宮沢繁美
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0647 , H01L29/0692 , H01L29/66106 , H01L29/7395 , H01L29/866

27. 发明专利

JP2016104181A 遊技機有权
标题翻译：游戏机
公开(公告)号：JP2016104181A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：JP2015251307
申请日：2015-12-24
申请人：株式会社藤商事
发明人：矢次譲 , 内山保 , 尾形哲央
IPC分类号： A63F7/02
CPC分类号： H02H9/044 , H01L27/0647 , H01L29/866 , H02H1/0007 , H02H1/0061 , H03K19/00315
摘要：【課題】演出可動体を適切に制御して、異常時にも適切に動作する遊技機を提供する。【解決手段】演出可動体を制御するサブ制御部は、原点領域に位置しない演出可動体を、原点領域に回収するべく、適宜なタイミング毎に、繰り返し駆動する。そして、演出可動体を原点領域に回収できない場合には、その後の可動演出を禁止する。一方、演出可動体を原点領域に回収できれば、その後の可動演出を許可する。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：提供一种游戏机，其通过适当地控制性能可移动体，即使在异常期间也能适当地操作。解决方案：用于控制性能可移动体的副控制部分反复地驱动不在原点的性能可移动体区域每个正确的时间，使得性能可移动体在原点区域中被恢复。当性能可移动体不能在原始点区域中恢复时，随后禁止可移动性能。另一方面，当能够在原点区域恢复性能可移动体时，允许随后的可移动性能。图示：图9

28. 发明专利

JP2015082743A センサ装置有权
标题翻译：传感器设备
公开(公告)号：JP2015082743A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013219737
申请日：2013-10-23
申请人：日立オートモティブシステムズ株式会社
发明人：浅野哲 , 松本昌大 , 中野洋 , 田代忍
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H03K17/16
CPC分类号： H02H3/18 , G01R15/146 , H01L27/0248 , H01L27/0629 , H01L27/0647 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/861 , H02H11/002 , H02H3/24
摘要：【課題】負サージや電圧低下による誤動作を抑制したセンサ装置を提供する。【解決手段】物理量に応じて電気的特性の変化するセンサ素子と、前記センサ素子の出力信号を処理する信号処理回路と、電源端子と前記信号処理回路との間に介在するトランジスタ素子と、前記トランジスタ素子のドレインとゲート或いは前記トランジスタ素子のコレクタとベースとを接続する抵抗体と、前記トランジスタ素子のゲートまたはベースをGNDに接続する閾値電圧を有する素子と、を備え、前記素子は、前記信号処理回路への供給電圧が前記閾値電圧を下回った場合に前記抵抗体からGNDの方向に流れる電流を制限することを特徴とするセンサ装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种传感器装置，其中由于负浪涌或电压降引起的故障被抑制。解决方案：传感器装置包括：电特性根据物理量而变化的传感器元件; 信号处理电路，用于处理传感器元件的输出信号; 插入在电源端子和信号处理电路之间的晶体管元件; 连接晶体管元件的漏极和栅极或晶体管元件的集电极和基极的电阻器; 以及将晶体管元件的栅极或基极连接到GND并具有阈值电压的元件。当信号处理电路的电源电压低于阈值电压时，元件限制从电阻器流向GND的方向的电流。

29. 发明专利

JP4106175B2 For example, a circuit device for controlling the firing stage 失效
公开(公告)号：JP4106175B2
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：JP2000502581
申请日：1998-05-20
申请人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツングRobert Bosch Gmbh
发明人：ミヒェルハルトムート
IPC分类号： H03K17/08 , F02P9/00 , H01L27/06 , H03K17/0814 , H03K17/64
CPC分类号： F02P9/002 , H01L27/0647 , H03K17/08146 , H03K17/64

30. 发明专利

JPWO2006057104A1 半導体装置および電力増幅器有权
公开(公告)号：JPWO2006057104A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：JP2006547666
申请日：2005-09-28
申请人：株式会社村田製作所
发明人：光夫有家 , 光夫有家 , 泰崇杉本 , 泰崇杉本
IPC分类号： H03F3/68 , H03F1/52 , H03F3/21
CPC分类号： H03F3/189 , H01L27/0647
摘要：入力端子RFinと出力端子RFoutとの間に複数個の増幅回路2を並列接続して半導体装置1を構成する。また、増幅回路2は、HBT3と、入力端子RFinとHBT3のベースBとの間に接続された発振安定回路4と、バイアス端子BinとHBT3のベースBとの間に接続されたバラスト抵抗5とによって構成する。また、発振安定回路4は、抵抗6とコンデンサ7とを並列接続することによって構成する。これにより、バラスト抵抗5を用いてHBT3の熱暴走を防止できると共に、発振安定回路4を用いて低周波側も含めて発振の安定性を高めることができる。

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