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21. 发明专利

JP2017039912A ウエハ加工用接着材、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法审中-公开
标题翻译：用于晶片处理的粘合剂，层压板和薄晶片的晶片的制造方法
公开(公告)号：JP2017039912A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2016147587
申请日：2016-07-27
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：菅生道博 , 安田浩之 , 田上昭平 , 田辺正人
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/683 , C09J11/02 , C09J201/00 , C09J7/00 , C09J183/04
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B27/06 , B32B7/12 , C09J183/00 , H01L21/304 , H05F1/00 , B32B2457/14 , C09J183/04 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386
摘要：【課題】ウエハと支持体を剥離する際に汚染源となるパーティクルの発生を抑え、耐熱性があり、仮接着が容易であり、かつ、高段差基板においても均一な膜厚での形成が可能であり、TSV形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、CVDといったウエハ熱プロセス耐性に優れ、剥離も容易で、薄型ウエハの生産性を高めることができるウエハ加工用接着材、該接着材によりウエハと支持体が貼り合わせられているウエハ積層体、及びこれを使用する薄型ウエハの製造方法を提供する。【解決手段】ウエハと支持体を一時的に貼り付けるためのシリコーン系接着剤を含有する接着材であって、帯電防止剤を含有することを特徴とするウエハ加工用接着材。【選択図】図1
摘要翻译：一种晶片和抑制的污染源的发生变得在支承释放颗粒，存在耐热性，临时接合变得容易，并且，能够以均匀的厚度，即使在高台阶衬底上形成在那里，TSV形成，对于晶片背面布线工序高的工艺的适宜性，进一步，具有优异的晶片热工艺性，如CVD，剥离是容易的，对于晶片加工粘合剂，其可以增强薄晶片的生产率，该晶片叠层体晶片和所述支撑件通过粘合剂，以及用于制造使用该薄的晶片的工艺接合。溶液：含有用有机硅粘合剂晶片支撑附接至一个临时的，用于晶片处理的粘合剂，其特征在于含有抗静电剂的粘合剂材料。 1点域

22. 发明专利

JP2017013311A ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法审中-公开
标题翻译：用于晶片处理的临时粘合剂，晶片加工体，以及薄晶片的制造方法
公开(公告)号：JP2017013311A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2015131064
申请日：2015-06-30
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：田辺正人 , 菅生道博 , 安田浩之
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02 , C09J201/00 , C09J183/04 , C09J11/06 , C09J183/05 , B32B27/08
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B27/00 , B32B7/00 , B32B7/12 , C09J109/06 , C09J183/04 , H01L21/02013 , H01L21/302 , B32B2307/50 , B32B2405/00 , C08G77/12 , C08G77/20 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386
摘要：【課題】段差の埋め込み不良などの異常が発生することなく膜厚均一性の高い接着材層を形成でき、膜厚均一性のため容易に50μm以下の均一な薄型ウエハを得ることが可能となるウエハ加工用仮接着材の提供。【解決手段】表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハ1を支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、前記ウエハ加工用仮接着材が、熱可塑性樹脂層(A)からなる第一仮接着材層(A)と、該第一仮接着材層に積層された熱硬化性シロキサン重合体層(B)からなる第二仮接着材層(B)と、該第二仮接着材層に積層された熱硬化性重合体層(C)からなる第三仮接着材層(C)とを有する複合仮接着材層2を備えたものであり、前記(A)が、(A−1)熱可塑性樹脂、(A−2)硬化触媒を含有する組成物の樹脂層であり、前記(B)が、(B)層に隣接して積層された(A)層の硬化触媒によって硬化する樹脂層であるウエハ加工用仮接着材。【選択図】図1
摘要翻译： A可以形成均匀厚度的无异常的易粘接层，例如有缺陷的填充的步骤发生，能够容易地得到对于膜厚均匀以下均匀的薄晶片50μm的为临时粘合剂提供晶片处理的。具有电路表面的表面，用于暂时附着在晶片1的晶片处理临时粘合剂要被表面处理返回到载体上，其中所述晶片处理临时粘合剂是一种热塑性树脂第一临时粘合剂层，其包括层（a）和（a）中，层叠在热固性硅氧烷聚合物层的所述第二临时粘合剂层，所述第一临时粘合剂层（B）和（B）是那些具有从具有层压到（C）（C），所述（第二临时粘合层的热固性聚合物层制成的第三临时粘合剂层的复合临时粘合剂层2 a）是（A-1）热塑性树脂，含有组合物（A-2）的固化催化剂，其特征在于，（B）邻近所述层（B层叠的树脂层）（一），用于晶片处理的临时粘合剂层是通过固化催化剂固化的树脂层。点域1

23. 发明专利

JP6059631B2 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法有权
标题翻译：晶片加工体，用于晶片处理用部，用于晶片处理临时粘合剂，和薄晶片的制造方法
公开(公告)号：JP6059631B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2013212947
申请日：2013-10-10
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：菅生道博 , 加藤英人 , 田上昭平 , 安田浩之 , 田辺正人
IPC分类号： C09J201/00 , C09J183/04 , C09J183/06 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/78 , C09J183/04 , C09J7/00 , H01L21/187 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , C08G77/16 , C09J2201/36 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2483/00 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , Y10T428/1457

24. 发明专利

JP2016171214A 単結晶基板の加工方法审中-公开
标题翻译：单晶基板的加工方法
公开(公告)号：JP2016171214A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015049985
申请日：2015-03-12
申请人：株式会社ディスコ
发明人：森數洋司 , 武田昇 , 諸徳寺匠
IPC分类号： C30B33/00 , B23K26/00 , B23K26/55 , H01L21/304 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
摘要：【課題】単結晶基板に設定された分割予定ラインに沿って効率よく、適正なレーザー加工を施すことができる単結晶基板の加工方法を提供する。【解決手段】単結晶基板を設定された分割予定ラインに沿って分割する単結晶基板の加工方法であって、単結晶基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し、細孔と細孔をシールドする非晶質とからなるシールドトンネルを分割予定ラインに沿って形成するシールドトンネル形成工程と、シールドトンネル形成工程の前または後に、単結晶基板に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、シールドトンネル形成工程および保護部材貼着工程が実施された単結晶基板の保護部材を研削装置のチャックテーブルに保持し、単結晶基板の裏面を研削して単結晶基板を所定の厚みに形成するとともにシールドトンネルが形成された分割予定ラインに沿って分割する研削工程とを含む。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够沿着设置在单晶衬底上的分割计划线来有效地执行适合的激光处理的单晶衬底处理方法。解决方案：用于沿着一个分割单元分割单晶衬底的单晶衬底处理方法时间表线包括：屏蔽隧道形成步骤，用于沿分割时间表向单晶基板施加具有透射波长的脉冲激光束，并形成由孔和非晶形组成的屏蔽通道，用于沿分割时间表线屏蔽孔; 保护构件粘贴步骤，用于在屏蔽隧道形成步骤之前或之后将保护构件粘附到单晶衬底; 以及研磨工序，用于将在屏蔽隧道形成工序中加工的单晶衬底的保护部件和保护部件粘贴工序保持在研磨装置的卡盘台上，研磨单晶衬底的背面，形成单晶基板，并且沿着形成有屏蔽隧道的分割计划行分割单晶基板。图示：图6

25. 发明专利

JP5978246B2 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、半導体装置の製造方法有权
标题翻译：切割半导体背面带集成膜，以及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP5978246B2
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：JP2014099186
申请日：2014-05-13
申请人：日東電工株式会社
发明人：高本尚英 , 花園博行 , 福井章洋
IPC分类号： C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L24/81 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2223/54486 , Y10T428/31515

26. 发明专利

JP2016100586A パッケージ基板の分割方法有权
标题翻译：用于分割包装衬底的方法
公开(公告)号：JP2016100586A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014239165
申请日：2014-11-26
申请人：株式会社ディスコ
发明人：木内逸人 , 栗村茂也
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386
摘要：【課題】デバイスパッケージの生産性を高く維持できるパッケージ基板の分割方法を提供する。【解決手段】粘着テープ(31)が裏面側に貼着され、表面の分割予定ライン(19)によって複数のデバイスパッケージ領域(21)に区画されたデバイス部(15)とデバイス部を囲繞する余剰部(17)とを含むパッケージ基板(11)を切削し、複数のデバイスパッケージ(25)に分割するパッケージ基板の分割方法であって、余剰部に対応する領域の粘着テープの粘着力を低下させる余剰部紫外線照射ステップと、余剰部に対応する領域の粘着テープをパッケージ基板から剥離する部分剥離ステップと、切削ブレード(36)でパッケージ基板を切削し、複数のデバイスパッケージに分割する分割ステップと、を含み、分割ステップにおいて、パッケージ基板から分離された余剰部を切削ブレードの回転によって飛散させることで、粘着テープから余剰部を除去する構成とした。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于分割封装基板的方法，由此可以保持器件封装的高生产率。解决方案：一种用于分割封装衬底的方法包括：将粘合带（31）粘贴到包括基板（11）的背面，包括通过所述表面上的划分线（19）而分隔成多个装置封装区域（21）的装置部分（15）和围绕所述装置部分的额外部分（17）; 以及通过切割基板将封装基板分割成多个器件封装（25）的步骤。该方法还包括：额外部分紫外线照射步骤，用于用紫外线照射额外部分，以便降低粘合带在与额外部分相对应的区域中的粘附力; 部分剥离步骤，用于在对应于来自封装基板的额外部分的区域中分层粘合带; 以及通过用切割刀片（36）切割所述封装基板来将所述封装基板分割成所述多个器件封装体的分割步骤。在分割步骤中，通过切割刀片的旋转将从封装基板分离的多余部分从粘合带上除去额外的部分。选择的图示：图4

27. 发明专利

JP5921473B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5921473B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2013058229
申请日：2013-03-21
申请人：株式会社東芝
发明人：高野英治
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386

28. 发明专利

JP2016082162A ウエーハの加工方法审中-公开
标题翻译： WAFER加工方法
公开(公告)号：JP2016082162A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2014214541
申请日：2014-10-21
申请人：株式会社ディスコ
发明人：小川雄輝 , 長岡健輔 , 小幡翼 , 伴祐人
IPC分类号： B23K26/16 , B23K26/38 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
摘要：【課題】基板の表面に積層された機能層によってデバイスが形成されたウエーハにレーザー光線を照射することにより生成されるデブリがデバイスの表面に付着しないようにしたウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】ウエーハ2を構成する機能層21の表面に粘着層が敷設された保護テープ3を貼着し、ウエーハの保護テープ側を被加工物保持手段の保持面51上に保持して裏面側から基板および機能層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線LBを照射し保護テープに至るレーザー加工溝を形成することによりウエーハを個々のデバイスに分割するとき、レーザー光線を照射することにより生成されるデブリがデバイスの表面に付着しないように保護テープの粘着層がデバイスと密着して隙間がないように貼着する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种晶片分离方法，通过该方法可以防止由层压在晶片的基板的表面上的功能层将激光束施加到其上形成有器件的晶片产生的碎片粘附到表面的装置。解决方案：当将具有铺设在其上的粘合剂层的保护带3附接到构成晶片2的功能层21的表面，并且激光束LB具有允许板和功能层的波长吸收激光束LB从背面侧施加，同时将晶片的保护带侧保持在工件保持装置的保持面51上，从而形成到达保护带的激光加工槽以将晶片分成单独的装置，保护带的粘附层与没有间隙的装置紧密接触，使得通过施加激光束产生的碎屑不粘附到装置的表面上.ELEL 图4：

29. 发明专利

JP5888455B1 半導体製造装置および半導体片の製造方法有权
标题翻译：制造半导体制造装置的方法和半导体片
公开(公告)号：JP5888455B1
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2015074755
申请日：2015-04-01
申请人：富士ゼロックス株式会社
发明人：西崎早織 , 梅澤智樹 , 松崎広和 , 皆見健史 , 井本達美 , 園田栄徳 , 山崎憲二
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L21/681 , H01L22/12 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386
摘要：【課題】半導体片と保持部材との接着状態に応じたピックアップが可能な装置及び製造方法を提供する。【解決手段】ピックアップ装置100は、半導体片に個片化された状態の半導体基板Wを保持した粘着テープ30を搭載するステージ110と、突上げ装置120と、コレット130と、上部撮像カメラ140と、下部撮像カメラ150とを有する。下部撮像カメラ150の撮像データに基づき半導体片10の裏面の接着状態を検知し、この検知結果に基づき突上げ装置120の突上げ量または吸着圧等を調整し、コレット130により半導体片10のピックアップを行う。【選択図】図1
摘要翻译：根据半导体元件和所述保持构件是提供一种装置和能够制造方法之间的键合状态的拾取器。的拾取装置100包括一个级110用于安装粘接带30，其保持在被分割成半导体片，上推装置120，夹头130，上部图像拾取照相机的状态下，半导体基板W 140 和下成像相机150。检测基于下图像拾取照相机150的感测数据中的半导体元件10的背面的粘合状态，该检测结果来调整上推量或吸附压力，并通过套爪130中的半导体元件10的拾取器的基础上，像上推装置120的它是进行。点域1

30. 发明专利

JP5887633B1 半導体片の製造方法有权
标题翻译：一种制造半导体片的方法
公开(公告)号：JP5887633B1
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：JP2014203547
申请日：2014-10-02
申请人：富士ゼロックス株式会社
发明人：松崎広和 , 山崎憲二 , 村田道昭 , 橋本隆寛 , 皆見健史
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/02057 , H01L21/3043 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
摘要：【課題】隣接する半導体片の間隔を拡張する工程や半導体片を保持部材から離間させる工程において、密着力の均一性に起因する不具合の発生を抑制する。【解決手段】半導体片の製造方法は、基板の表面に微細溝を形成する工程と、前記基板の裏面から、回転する切削部材で微細溝の幅よりも広い幅の裏面側の溝を微細溝に向けて形成する工程と、裏面側の溝を形成後に、粘着層を有する保持部材を基板裏面に貼り付ける工程と、保持部材を基板裏面に貼りつける前に、基板裏面と保持部材との密着力の均一性を高める工程と、保持部材を基板裏面に貼り付けた状態で保持部材を引き延ばすことで、隣接する半導体片の間隔を拡張する工程と、間隔が拡張した状態で半導体片を保持部材から離間させる工程とを備える。密着力の均一性を高める工程は、ドライ洗浄S206等である。【選択図】図7
摘要翻译：本发明公开了分离步骤或延伸由于粘附的均匀性从保持部件抑制故障的发生在相邻的半导体条之间的距离的半导体条的处理。一种用于制造半导体片，基片，基片的后表面，所述细槽的表面上形成微细槽背在切割构件旋转时所述凹槽比所述微细槽更宽的侧方法形成朝向，在背面上形成槽后的密合性，将具有在衬底的背面上的粘合剂层的保持部件的步骤之前，保持构件附连到所述基板，所述基板背面的后表面与所述保持构件增大的力，通过在被附着到衬底的后表面的状态下拉伸所述保持部件保持构件的均匀性，保持扩大相邻半导体片之间的间隔的步骤的步骤，在一个状态中的半导体片，其中的间隔被扩展构件和从分离的工序。增加附着力的均匀性的步骤是干洗S206喜欢。点域7

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