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1. 发明专利

JP6103817B2 基材の処理方法、積層体、仮固定材、仮固定用組成物および半導体装置有权
公开(公告)号：JP6103817B2
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：JP2012094025
申请日：2012-04-17
申请人： JSR株式会社 , 株式会社東芝
发明人：後藤宏文 , 高橋誠一郎 , 高野英治 , 松尾美恵 , 山口直子
IPC分类号： H01L21/683

2. 发明专利

JP2016174102A 半導体製造方法および積層体审中-公开
标题翻译：半导体制造方法和层压体
公开(公告)号：JP2016174102A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015053890
申请日：2015-03-17
申请人：株式会社東芝
发明人：高野英治
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L21/76898 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381
摘要：【課題】半導体基板の薄化を、生産性を確保しつつ低コストで行うことができる半導体製造方法および積層体を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体製造方法は、半導体基板における研削されるべき第1の面と反対側の第2の面に、支持体を形成することを具備する。また、半導体製造方法は、第1の面を研削することで半導体基板の厚みを薄くすることを具備する。また、半導体製造方法において、支持体は、樹脂を含有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够以低成本确保生产率而使半导体衬底变薄的半导体制造方法，并提供层叠体。本实施例中的半导体制造方法包括：形成支撑体的步骤，在与半导体衬底中抛光的第一表面相对的第二表面。半导体制造方法还包括通过抛光第一表面来减小半导体衬底的厚度的步骤。在半导体制造方法中，支撑体包括树脂。选择图：图1

3. 发明专利

JP2015153828A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015153828A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014024637
申请日：2014-02-12
申请人：株式会社東芝
发明人：高野英治 , 土肥雅之 , 藤井美香
IPC分类号： H01L21/301
摘要：【課題】接着剤を介して接着されている、ウェハと支持基板の反りを低減する。【解決手段】本発明の一つの実施形態に係る製造方法では、第一の基板に熱可塑性を有する樹脂を含む第一の接着層を形成する。第二の基板に紫外線硬化性を有する接着剤を含む第二の接着層を形成する。第一と第二の接着層側をあわせ、第二の基板側から紫外線を含む第1の光を照射して第一の基板と第二の基板とを接着して層状体にする。第一の基板を貫通する電極を形成し、第一の基板を個片化する。第二の基板側から層状体に紫外線を含む第2の光を照射し、第二の基板と第一の基板とを分離する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：减少与粘合剂结合的晶片和支撑基板的翘曲。解决方案：根据本发明的一个实施例的制造方法包括：在第一层上形成包括热塑性树脂的第一粘合层基质; 在第二基板上形成包含紫外线固化型粘合剂材料的第二粘合层; 连接第一和第二粘合层的侧面并从第二基板侧发射包括紫外线的第一光，以将第一和第二基板接合在一起以形成层叠体; 形成穿过所述第一基板并切割所述第一基板的电极; 以及从所述第二基板侧向所述层叠体照射包括紫外线的第二光，以将所述第二基板与所述第一基板分离。

4. 发明专利

JP2016174098A 半導体製造方法および半導体製造装置有权
标题翻译：半导体制造方法和半导体制造设备
公开(公告)号：JP2016174098A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015053842
申请日：2015-03-17
申请人：株式会社東芝
发明人：白河達彦 , 高橋健司 , 高野英治 , 志摩真也
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要：【課題】支持基板の材料選択の自由度を向上させることができる半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体製造方法は、半導体基板と、シリコンを含有する支持基板と、半導体基板と支持基板との間に配置され、半導体基板と支持基板とを接合する接合層と、を備えた積層体であって、半導体基板における接合層の反対側の面が研削された積層体に対して、支持基板側から0.11乃至0.14eVのエネルギーを有する電磁波を照射する。また、半導体製造方法では、半導体基板を支持基板から分離する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高支撑基板的材料选择自由度的半导体制造方法和半导体制造装置。解决方案：在实施例的半导体制造方法中，层叠体包括：半导体基板 ; 含硅的支撑基板; 以及设置在所述半导体基板和所述支撑基板之间以将所述半导体基板和所述支撑基板接合的接合层。对半导体衬底中的接合层的相对侧的平面进行研磨的层叠体，从支撑基板侧照射具有0.11〜0.14eV的能量的电磁波。此外，在半导体制造方法中，半导体衬底与支撑衬底分离。选择图：图1

5. 发明专利

JP5921473B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5921473B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2013058229
申请日：2013-03-21
申请人：株式会社東芝
发明人：高野英治
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386

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