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21. 发明专利

JPWO2008032535A1 蛍光半導体微粒子、その製造方法、それを用いた生体物質蛍光標識剤及びそれを用いたバイオイメージング法有权
公开(公告)号：JPWO2008032535A1
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：JP2008534278
申请日：2007-08-22
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社
发明人：塚田　和也 , 和也塚田 , 一賀午菴 , 一賀午菴 , 古澤　直子 , 直子古澤
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/59 , G01N21/64 , G01N33/533 , G01N33/543 , G01N33/553
CPC分类号： G01N33/54346 , B82Y15/00 , G01N21/6489 , G01N33/533 , G01N33/588 , Y10T428/2991
摘要：半導体微粒子からなるコア粒子と該コア粒子を被覆するシェル層とで構成されるコア/シェル構造を有する蛍光半導体微粒子であって、該コア粒子とシェル層の化学組成が相異し、該コア粒子の平均粒径が1〜15nmであり、比重が1.0〜3.0であり、かつ該コア/シェル構造を有する蛍光半導体微粒子の比重が0.8〜3.2であることを特徴とする蛍光半導体微粒子。

22. 发明专利

JPWO2008032534A1 蛍光半導体微粒子集合体、生体物質蛍光標識剤集合体、これらを用いたバイオイメージング法及び生体物質解析方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2008032534A1
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：JP2008534277
申请日：2007-08-22
申请人：コニカミノルタエムジー株式会社
发明人：塚田　和也 , 和也塚田 , 岡田　尚大 , 尚大岡田 , 星野　秀樹 , 秀樹星野
IPC分类号： G01N33/533 , G01N21/78
CPC分类号： G01N33/588 , B82Y15/00 , G01N21/6489 , G01N33/533 , G01N2021/6441 , Y10T436/101666
摘要：同一化学組成であって、1〜10nmの粒径範囲で粒径が異なり、かつ発光スペクトルの極大発光波長が異なる3種類以上の蛍光半導体微粒子からなる蛍光半導体微粒子集合体において、各々の蛍光半導体微粒子の発光強度の標準偏差が15%以下であることを特徴とする蛍光半導体微粒子集合体。

23. 发明专利

JP2009512198A Method and system for inspecting an indirect bandgap semiconductor structure 审中-公开
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2009512198A
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：JP2008534812
申请日：2006-10-11
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人：トゥルプケ、トールステン , バードス、ロバート、アンドリュー
IPC分类号： H01L21/66 , H01L31/04
CPC分类号： G01N21/6489 , F21Y2115/10 , G01N21/6456 , G01N21/8851 , G01N2021/8887 , H01L22/14
摘要：間接バンドギャップ半導体構造（１４０）を検査する方法（６００）およびシステム（１００）が説明される。光源（１１０）は間接バンドギャップ半導体構造（１４０）にフォトルミネセンスを誘起するのに適した光（６１２）を発生させる。ショートパスフィルタユニット（１１４）は、発生した光の特定の放射ピークを超える長波長光を低減する。コリメータ（１１２）は光をコリメート（６１６）する。大面積の間接バンドギャップ半導体構造（１４０）はコリメートされショートパス濾波された光で、略均一かつ同時に照明（６１８）される。撮像デバイス（１３０）は大面積の間接バンドギャップ半導体構造に入射する略均一な同時照明によって誘起されるフォトルミネセンス像を同時に捕捉する（６２０）。フォトルミネセンス像は、大面積に誘起されたフォトルミネセンスの空間的変動を用いて、間接バンドギャップ半導体構造（１４０）の空間的に分解された特定の電子特性を定量化するために像処理（６２２）される。
摘要翻译：描述了用于检查间接带隙半导体结构（140）的方法（600）和系统（100）。光源（110）产生适于在间接带隙半导体结构（140）中诱导光致发光的光（612）。短路滤波器单元（114）将产生的光的长波长光减少到特定发射峰以上。准直器（112）准直（616）光。间接带隙半导体结构（140）的大面积基本均匀地并且被同步地照射（618）并且被准直的短路滤波的光。图像捕获装置（130）捕获（620）由间接带隙半导体结构的大面积上基本均匀的同时照射入射引起的光致发光图像。对光致发光图像进行成像处理（622），以使用在大面积中诱导的光致发光的空间变化来量化间接带隙半导体结构（140）的空间分辨的特定电子特性。

24. 发明专利

JP2008210947A Evaluation method of semiconductor substrate 有权
标题翻译：半导体衬底的评估方法
公开(公告)号：JP2008210947A
公开(公告)日：2008-09-11
申请号：JP2007045411
申请日：2007-02-26
申请人： Japan Aerospace Exploration Agency , 独立行政法人宇宙航空研究開発機構
发明人： TAJIMA MICHIO , SUGIMOTO HIRONORI
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/00 , G01N21/64 , H01L33/00
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N2021/646 , H01L22/24
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an evaluation method of a semiconductor substrate capable of evaluating even a thin semiconductor substrate and a substrate which is not subjected to surface treatment, and capable of evaluating a large number of semiconductor substrates for solar cells in a short time which can be used for in-line inspection during a manufacturing process of the solar cells or the like. SOLUTION: The evaluation method of a semiconductor substrate includes a process in which a semiconductor substrate is submerged in an etching liquid filled in a vessel, a process in which the semiconductor substrate submerged in the etching liquid is irradiated with light through the etching liquid so that the semiconductor substrate emits photoluminescence light, and a process for observing the photoluminescence light that has been released. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供能够评估甚至薄的半导体衬底和未经过表面处理的衬底的半导体衬底的评估方法，并且能够评估大量用于太阳能电池的半导体衬底可以在太阳能电池等的制造过程中用于在线检查的短时间。解决方案：半导体衬底的评估方法包括其中将半导体衬底浸没在填充在容器中的蚀刻液中的工艺，其中浸没在蚀刻液中的半导体衬底通过蚀刻被光照射的过程液体，使得半导体衬底发射光致发光，以及用于观察已经释放的光致发光的过程。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

25. 发明专利

JP2008096432A Raman and photoluminescence spectroscopy 审中-公开
标题翻译：拉曼光谱和光致发光光谱
公开(公告)号：JP2008096432A
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：JP2007246562
申请日：2007-09-25
申请人： Wafermasters Inc , ウェーハマスターズ・インコーポレイテッドWafermasters,Inc.
发明人： YOO WOO SIK
IPC分类号： G01J3/44 , G01J3/14 , G01J3/36 , G01J3/443 , G01N21/64 , G01N21/65
CPC分类号： G01N21/65 , G01J3/36 , G01J3/44 , G01J3/4406 , G01N21/645 , G01N21/6489 , G01N2021/6417
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an efficient spectroscopic system of high quality.
SOLUTION: The spectroscopic system 100 is provided with an aperture installed to receive light containing a plurality of wavelength components including a photoluminescence wavelength component and a Raman shift component, from a sample 102, a separation element 122 installed on an optical path of the light, and constituted to separate spatially the components of the light, the first array detector 131 installed to receive the Raman shift component, and to generate one or a plurality of signals indicating an intensity of the Raman shift component, and the second array detector 132 installed to receive the photoluminescence wavelength component, and to generate one or a plurality of signals indicating an intensity of the photoluminescence wavelength component.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供高质量的高效光谱系统。解决方案：分光系统100设置有孔，其安装成从样品102，安装在光路的光路上的分离元件122接收包含包含光致发光波长分量和拉曼位移分量的多个波长分量的光并且构造成在空间上分离光的分量，安装成接收拉曼偏移分量的第一阵列检测器131，以及产生指示拉曼偏移分量的强度的一个或多个信号，以及第二阵列检测器 132，以接收光致发光波长分量，并产生表示光致发光波长分量的强度的一个或多个信号。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

26. 发明专利

JP2006147849A Group iii-v nitride semiconductor substrate and its evaluation method 有权
标题翻译： III-V族氮化物半导体衬底及其评估方法
公开(公告)号：JP2006147849A
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：JP2004335913
申请日：2004-11-19
申请人： Hitachi Cable Ltd , 日立電線株式会社
发明人： KAWAGUCHI YUSUKE
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/6489 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a group III-V nitride semiconductor substrate of which a compound semiconductor layer can be grown flat on the substrate with uniform impurity distribution, and to provide a method of simply evaluating, in a short time, whether it is the substrate of which a compound semiconductor layer can be grown flat on the substrate with uniform impurity distribution or not.
SOLUTION: Photoluminescence is measured at an arbitrary position on the surface of an independent group III-V nitride semiconductor substrate. A group III-V nitride semiconductor substrate is determined as sound product of good yield if α 1 /N
2 , emission intensity at band end peak is N
1 , and the emission intensity at band end peak on the rear surface side of the same substrate corresponding to the measurement position is N
2 .
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了提供其中化合物半导体层可以在均匀杂质分布的基板上平坦地生长的III-V族氮化物半导体衬底，并且提供简单地在短时间内评估的方法，化合物半导体层是否可以在基板上平坦地生长均匀的杂质分布的基板。解决方案：在独立的III-V族氮化物半导体衬底的表面上的任意位置处测量光致发光。如果α<1，其中强度比α= N / N 2 ，则III-V族氮化物半导体衬底被确定为良品率的良品，末端峰值为N 1 ，并且与测量位置对应的相同基板的背面侧的带端峰值的发射强度为N 2 。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

27. 发明专利

JP2005527455A How to separate the single-walled carbon nanotube and its composition 有权
公开(公告)号：JP2005527455A
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：JP2003582076
申请日：2003-03-04
申请人：ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ
发明人：ウェイズマン，アール・ブルース , キットレル，ダブリュー・カーター , シヴァラジャン，ラメシュ , ストラノ，マイケル・エス , スモーリー，リチャード・イー , バチロ，セルゲイ・エム , ホージ，ロバート・エイチ
IPC分类号： G01N21/78 , C01B31/02 , G01N21/64 , G01N27/447 , G01N30/88 , G01N33/574 , G01N33/58
CPC分类号： G01N21/6428 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , G01N21/6489 , G01N21/65 , G01N33/574 , G01N33/588 , G01N2021/6417 , G01N2021/7786
摘要：本発明は、（ｎ，ｍ）型に従って（ｎ，ｍ）型単層カーボンナノチューブの混合物を分類し、分離する方法に関する。（ｎ，ｍ）型単層カーボンナノチューブの混合物は懸濁し、その結果単層カーボンナノチューブは個々に分散する。ナノチューブの懸濁を界面活性剤−水溶液中で行うことができ、ナノチューブを囲繞する界面活性剤はナノチューブを単離されたままにし、他のナノチューブとの凝集を防ぐ。ナノチューブ懸濁液を酸性化して、ナノチューブのフラクションをプロトン化する。電場を印加し、プロトン化されたナノチューブはその（ｎ，ｍ）型に依存して電場中を様々な速度で移動する。ナノチューブのフラクションを様々な分画時刻に集める。プロトン化、電場の印加、及び分画の方法はpHを次第に高くして繰り返して、（ｎ，ｍ）ナノチューブ混合物を分離して個々の（ｎ，ｍ）ナノチューブフラクションにする。分離は、選択された（ｎ，ｍ）ナノチューブタイプを必要とする新たな電子装置を可能にする。

28. 发明专利

JP2004219371A Method for spectroscopically measuring semiconductor multi-layer film and spectroscopic measurement apparatus 有权
公开(公告)号：JP2004219371A
公开(公告)日：2004-08-05
申请号：JP2003009515
申请日：2003-01-17
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： TAKEUCHI HIDEO , YAMAMOTO YOSHITSUGU
IPC分类号： G01B11/06 , G01J1/42 , G01J3/433 , G01N21/00 , G01N21/27 , G01N21/47 , G01N21/64 , H01L21/66
CPC分类号： G01J3/4338 , G01J2001/4242 , G01N21/47 , G01N21/6489 , G01N2021/4735
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To easily evaluate the internal electric field intensity, film thickness, and band gap energy of an epitaxial wafer.
SOLUTION: At spectroscopic measurement on a semiconductor multi-layer film, exciting light is irradiated to a semiconductor multi-layer film sample, and light emission from the sample is passed through the spectroscope and detected. Then the spectroscope is swept, and the detected intensity of light emission is recorded as a function of photon energy. In addition, white light is made incident onto the spectroscope. Light emergent from the spectroscope is made incident onto the sample. With the sample irradiated with external modulated light, the spectroscope is swept. Reflected light from the sample is detected, and a detected reflectance spectrum is recorded as a function of photon energy.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

29. 发明专利

JP2018528414A 酸化性化学種の検出方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018528414A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2018503565
申请日：2016-07-28
申请人：エコールポリテクニック , セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
发明人：ブツィーグ,セドリク , アブデスレム,ムーナ , アレクサンドル,アンティゴニ , ガゴワン,ティエリー , ボワロ,ジャン—ピエール
IPC分类号： G01N33/15 , G01N33/50 , G01N21/64 , G01N21/78
CPC分类号： G01N33/582 , G01N21/6428 , G01N21/6458 , G01N21/6489 , G01N33/5038 , G01N33/5091 , G01N2458/30 , G01N2458/40 , G01N2800/7009
摘要：本発明は、試料中の酸化性化学種の分析に使用できる方法であって、以下のステップ:試料を、フォトルミネセンス性の第1の試薬及び光学的に活性な第2の試薬と接触させるステップ(12)であって、フォトルミネセンス性の第1の試薬が、希土類でドープされかつ酸化可能なナノ粒子を少なくとも含んでおり、フォトルミネセンス性の第1の試薬の発光が、少なくとも1つの第1の波長において、酸化性化学種の量と共に変化し、かつ光学的に活性な第2の試薬によって放出されるシグナルが、第1の波長とは異なる少なくとも1つの第2の波長において、一定であるか、或いは酸化性化学種の量と共に、フォトルミネセンス性の第1の試薬の発光とは逆方向に、変化するステップと、試料中のフォトルミネセンス性の第1の試薬及び光学活性な第2の試薬を励起するステップ(16)と、少なくとも第1の波長及び少なくとも第2の波長において、試料の光度を測定するステップ(18)と、前記測定された光度の解釈(20)及び場合によって基準値の参照によって、酸化性化学種の存在及び/又は量を推定するステップとを含む方法に関する。【選択図】図2

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