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1. 发明专利

JP2009512198A Method and system for inspecting an indirect bandgap semiconductor structure 审中-公开
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2009512198A
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：JP2008534812
申请日：2006-10-11
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人：トゥルプケ、トールステン , バードス、ロバート、アンドリュー
IPC分类号： H01L21/66 , H01L31/04
CPC分类号： G01N21/6489 , F21Y2115/10 , G01N21/6456 , G01N21/8851 , G01N2021/8887 , H01L22/14
摘要：間接バンドギャップ半導体構造（１４０）を検査する方法（６００）およびシステム（１００）が説明される。光源（１１０）は間接バンドギャップ半導体構造（１４０）にフォトルミネセンスを誘起するのに適した光（６１２）を発生させる。ショートパスフィルタユニット（１１４）は、発生した光の特定の放射ピークを超える長波長光を低減する。コリメータ（１１２）は光をコリメート（６１６）する。大面積の間接バンドギャップ半導体構造（１４０）はコリメートされショートパス濾波された光で、略均一かつ同時に照明（６１８）される。撮像デバイス（１３０）は大面積の間接バンドギャップ半導体構造に入射する略均一な同時照明によって誘起されるフォトルミネセンス像を同時に捕捉する（６２０）。フォトルミネセンス像は、大面積に誘起されたフォトルミネセンスの空間的変動を用いて、間接バンドギャップ半導体構造（１４０）の空間的に分解された特定の電子特性を定量化するために像処理（６２２）される。
摘要翻译：描述了用于检查间接带隙半导体结构（140）的方法（600）和系统（100）。光源（110）产生适于在间接带隙半导体结构（140）中诱导光致发光的光（612）。短路滤波器单元（114）将产生的光的长波长光减少到特定发射峰以上。准直器（112）准直（616）光。间接带隙半导体结构（140）的大面积基本均匀地并且被同步地照射（618）并且被准直的短路滤波的光。图像捕获装置（130）捕获（620）由间接带隙半导体结构的大面积上基本均匀的同时照射入射引起的光致发光图像。对光致发光图像进行成像处理（622），以使用在大面积中诱导的光致发光的空间变化来量化间接带隙半导体结构（140）的空间分辨的特定电子特性。

2. 发明专利

JP2015173268A 間接バンドギャップ半導体構造を検査する方法およびシステム审中-公开
标题翻译：用于检测间接带状半导体结构的方法和系统
公开(公告)号：JP2015173268A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2015076831
申请日：2015-04-03
申请人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
发明人：トゥルプケ、トールステン , バードス、ロバート、アンドリュー
IPC分类号： H02S50/15 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/6489 , G01N21/6456 , G01N21/8851 , H01L22/14 , F21Y2115/10 , G01N2021/8887
摘要：【課題】太陽電池に用いる間接バンドギャップ半導体構造の検査システムを提供する。【解決手段】光源110は間接バンドギャップ半導体構造140にフォトルミネセンスを誘起するのに適した光を発生させる。ショートパスフィルタユニット114は、発生した光の特定の放射ピークを超える長波長光を低減する。コリメータ112は光をコリメートする。半導体構造140はコリメートされショートパス濾波された光で、略均一、かつ、同時に照明される。撮像デバイス130は半導体構造140に入射する略均一な同時照明によって誘起されるフォトルミネセンス像を同時に捕捉する。フォトルミネセンス像は、大面積に誘起されたフォトルミネセンスの空間的変動を用いて、半導体構造140の空間的に分解された特定の電子特性を定量化するために像処理する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于检查用于太阳能电池的间接带隙半导体结构的系统。解决方案：光源110产生适合于在间接带隙半导体结构140中诱导光致发光的光。短路径滤波器单元114减少长所产生的光的波长光超过规定的辐射峰。准直器112对光进行准直。半导体结构140基本均匀地并且同时被准直和短路滤光的照明。成像装置130同时捕获通过跨越半导体结构140入射的基本上均匀的同时照射而引起的光致发光图像。通过对在半导体结构140中引起的光致发光的空间变化的空间变化，对光致发光图像进行图像处理以量化半导体结构140的空间分辨的特定电子特性大面积。

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