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21. 发明专利

JP6721472B2 受信回路、無線通信モジュール、無線通信装置有权
公开(公告)号：JP6721472B2
公开(公告)日：2020-07-15
申请号：JP2016183338
申请日：2016-09-20
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：菅原満 , 瀬下敏樹 , 栗山保彦
IPC分类号： H04B1/18 , H03F3/189 , H03F1/22 , H03K17/693 , H03F1/14

22. 发明专利

JP6588878B2 高周波半導体増幅回路有权
公开(公告)号：JP6588878B2
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：JP2016168465
申请日：2016-08-30
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：瀬下敏樹 , 栗山保彦
IPC分类号： H03F3/195 , H03F1/02 , H03F1/22

23. 发明专利

JP6397811B2 半導体集積回路及び高周波アンテナスイッチ有权
公开(公告)号：JP6397811B2
公开(公告)日：2018-09-26
申请号：JP2015247844
申请日：2015-12-18
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：瀬下敏樹
IPC分类号： H03K17/687 , H03K19/0175
CPC分类号： H03K17/223 , H03K19/0002 , H03K19/00315 , H03K19/09429 , H03K19/21

24. 发明专利

JP2018050129A 受信回路、無線通信モジュール、無線通信装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018050129A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2016183338
申请日：2016-09-20
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：菅原満 , 瀬下敏樹 , 栗山保彦
IPC分类号： H04B1/18 , H03F3/189 , H03F1/22 , H03K17/693 , H03F1/14
CPC分类号： H04B1/44 , H03H7/38 , H04B1/18 , H04B2001/0408
摘要：【課題】高周波信号の利得を可変にしつつ、高周波信号のインピーダンス整合を容易にとることができる受信回路、無線通信モジュール、無線通信装置を提供する。【解決手段】本実施形態による受信回路は、受信信号を増幅して第1出力部へ出力する第1増幅部を備える。第1スイッチ部は、複数の入力部と第1増幅部との間に設けられ、複数の入力部のいずれかを第1増幅部へ接続する。第2スイッチ部は、複数の入力部と第1出力部との間に設けられ、複数の入力部のいずれかを第1出力部へ接続する。インピーダンス整合部は、第1スイッチ部と第1増幅部との間または入力部と第1スイッチ部との間に設けられている。制御部は、第1および第2スイッチ部を制御する。【選択図】図2

25. 发明专利

JP2018042029A 高周波半導体増幅回路审中-公开
公开(公告)号：JP2018042029A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2016173002
申请日：2016-09-05
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：瀬下敏樹 , 栗山保彦
IPC分类号： H03F3/195
CPC分类号： H03F1/0205 , H03F1/0261 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/555 , H03F2203/7209 , H03F2203/7239
摘要：【課題】高周波入力信号を増幅して出力するか、増幅せずに出力するかの切替を行う回路を電気的特性を犠牲にせずに簡略化する。【解決手段】高周波半導体増幅回路1は、高周波入力信号を増幅する第1トランジスタFET1と、SOI基板上に配置され、FET1にカスコード接続されてソース接地の第2トランジスタFET SW1 と、FET1のゲートを駆動するバイアス電圧VB1と、FET SW1 のオンまたはオフを切替制御する制御電圧C ON と、FET1のドレイン電圧を設定するのに用いられる電圧Vdd_intと、を生成するバイアス生成回路2と、を備える。バイアス生成回路2は、第1モード時には、FET SW1 がオンするように制御電圧C ON を生成し、第2モード時には、電圧Vdd_intを接地電位とし、かつ、FET SW1 がオフするように制御電圧C ON を生成し、さらに、バイアス電圧VB1を第1モード時よりも高電位にする。【選択図】図1A

26. 发明专利

JP2017112577A 半導体集積回路及び高周波アンテナスイッチ审中-公开
公开(公告)号：JP2017112577A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2015247844
申请日：2015-12-18
申请人：株式会社東芝
发明人：瀬下敏樹
IPC分类号： H03K17/687 , H03K19/0175
CPC分类号： H03K17/223 , H03K19/0002 , H03K19/00315 , H03K19/09429 , H03K19/21
摘要：【課題】負荷容量依存性の小さい立ち上がり時間、立ち下がり時間を実現する出力回路を提供する。【解決手段】半導体集積回路は、ドレインを共通接続された第1導電型の第1のMOSFETと第2導電型の第2のMOSFETを有する第1のインバータ回路を備える、駆動回路と、ゲートが前記第1のインバータ回路の出力に接続された第2導電型の第3のMOSFETであって、(前記第1のMOSFETのゲート幅)/(当該第3のMOSFETのゲート幅)が1/100未満である第3のMOSFETと、前記第3のMOSFETのゲート及び前記第3のMOSFETのドレインとの間に接続され、0.5pFよりも大きく3.0pF以下の静電容量を有するキャパシタと、を備え、前記第3のMOSFETのドレインから送信信号を出力する、出力回路と、を備える。【選択図】図7

27. 发明专利

JP2016171498A 半導体スイッチ审中-公开
标题翻译：半导体开关
公开(公告)号：JP2016171498A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015050694
申请日：2015-03-13
申请人：株式会社東芝
发明人：國司侑吾 , 瀬下敏樹
IPC分类号： H03K17/687 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03K17/693
CPC分类号： H03K17/6871 , H01L23/66 , H03K17/693 , H03K17/74 , H01L2223/6677 , H03K2017/066 , H03K2217/0018
摘要：【課題】小型化した上で高周波特性の劣化を抑制する。【解決手段】実施形態によれば、半導体スイッチは、複数のMOSFETと、パッドと、を備える。前記複数のMOSFETは、共通ノードと第1ノードとの間に直列接続されている。前記パッドは、前記複数のMOSFETのうち、1以上の第1MOSFETの上方に設けられ、前記第1MOSFET以外の第2MOSFETの上方に無く、前記第1ノードに接続されている。前記パッドが無い場合の前記第1MOSFETのそれぞれのオフ容量の値は、前記第2MOSFETのそれぞれのオフ容量の値より小さい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在减小尺寸时抑制高频特性的劣化。解决方案：半导体开关包括多个MOSFET和焊盘。多个MOSFET串联在公共节点和第一节点之间。焊盘设置在多个MOSFET中的一个或多个第一MOSFET之上，但不在第一MOSFET以外的第二MOSFET上方提供，并且与第一节点连接。当没有焊盘时，每个第一MOSFET的关断容量的值小于每个第二MOSFET的关断容量的值。选择的图：图1

28. 发明专利

JP2016174240A 半導体スイッチ审中-公开
标题翻译：半导体开关
公开(公告)号：JP2016174240A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015052568
申请日：2015-03-16
申请人：株式会社東芝
发明人：瀬下敏樹
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/08 , H03K17/693
CPC分类号： H03K17/693
摘要：【課題】高周波特性を改善する。【解決手段】実施形態によれば、半導体スイッチは、絶縁層上に設けられた半導体層に設けられ、第i(iは1以上でn以下の任意の整数、nは2以上の整数)番目の入出力ノードと共通ノードとを導通させるか否か切り替える第i番目の第1スイッチと、を備える。第1番目の第1スイッチは、第1番目の入出力ノードと共通ノードとの間に直列接続された複数の第1MOSFETを有する。第1MOSFETのそれぞれは、複数の第1ゲート電極と、第2ゲート電極と、第1拡散領域と、第1拡散領域と同じ導電型の第2拡散領域と、を有する。第1ゲート電極は、半導体層上に並列に設けられ、第1の方向に延びる。第2ゲート電極は、半導体層上に設けられ、第1ゲート電極の第1の方向の一端部に接続され、第2の方向に延びる。第2拡散領域は、第2ゲート電極に対して第1ゲート電極とは反対側に位置する半導体層の表面に設けられる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高高频特性。解决方案：设置在绝缘层上的半导体层上的半导体器件包括第i个第一开关，用于切换是否在第i（i 是1或更大的整数，n或更小的整数，其中n是2或更大的整数）输入/输出节点和公共节点。第i个第一开关包括在第i个第一输入/输出节点和公共节点之间串联连接的多个第一MOSFET。每个第一MOSFET包括与第一扩散区相同的导电类型的多个第一栅电极，第二栅电极，第一扩散区和第二扩散区。第一栅电极平行设置在半导体层上并延伸到第一方向。第二栅电极设置在半导体层上，并且在第一方向上连接到第一栅电极的一端，并延伸到第二方向。第二扩散区域相对于第二栅电极设置在位于第一栅电极的相对侧的半导体层的表面上。图1

29. 发明专利

JP5997624B2 高周波半導体スイッチおよび無線機器有权
标题翻译：高频半导体开关和无线设备
公开(公告)号：JP5997624B2
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：JP2013018606
申请日：2013-02-01
申请人：株式会社東芝
发明人：國司侑吾 , 瀬下敏樹
IPC分类号： H03K17/693
CPC分类号： H03K17/693 , H01L27/1203 , H01L29/4232 , H01L29/7831 , H03K17/102 , H04B1/52

30. 发明专利

JP2016171527A スイッチ制御回路およびスイッチ回路有权
标题翻译：开关控制电路和开关电路
公开(公告)号：JP2016171527A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015051324
申请日：2015-03-13
申请人：株式会社東芝
发明人：國司侑吾 , 石森敏文 , 瀬下敏樹
IPC分类号： H03K17/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03K17/693
CPC分类号： H03K3/356017 , G05F3/24 , H03K17/693 , H03K2217/0081
摘要：【課題】信号の切替による電源電圧の変動が起きないようにしたスイッチ制御回路およびスイッチ回路を提供する。【解決手段】スイッチ制御回路は、基準電圧を用いて、複数の第1制御信号をレベルシフトさせた複数の第2制御信号を生成する複数の第1電圧生成回路と、複数の第1電圧生成回路に基準電圧を供給するか否かを切り替える複数の遮断回路と、前記複数の第1制御信号のうち少なくとも一つの信号論理が変化した時、前記複数の第1制御信号のうちその他を入力する少なくとも一つの第1電圧生成回路への前記基準電圧の供給が所定の期間遮断されるように、前記遮断回路を制御する制御回路と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以防止由信号切换引起的电源电压波动的开关控制电路和开关电路。解决方案：开关控制电路包括：多个第一电压产生电路，其产生多个通过使用参考电压来移位多个第一控制信号的电平而获得的第二控制信号; 多个截止电路，切换是否向多个第一电压产生电路提供参考电压; 以及控制电路，当所述多个第一控制信号中的至少一个的信号逻辑被改变时，控制所述切断电路，使得将所述参考电压提供给接收另一个的至少一个第一电压产生电路多个第一控制信号被切断预定时间段。选择图：图1

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