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21. 发明专利

JP2015212768A 電界吸収型変調器および集積化TW−EA−DFBレーザ审中-公开
标题翻译：电场吸收型调制器和集成TW-EA-DFB激光器
公开(公告)号：JP2015212768A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：JP2014095352
申请日：2014-05-02
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：佐藤里江子 , 神徳正樹 , 菊池順裕 , 尾崎常祐
IPC分类号： H01S5/026 , G02F1/017
摘要：【課題】従来技術のTW−EA−DFBレーザや光変調器では、進行波電極に光導波路上形成されていない領域が存在していた。進行波型電極には、ある一定区間のある一定の割合で、光導波路上で電極が形成されていない領域が存在する。このため、光導波路の単位長さ当たりの変調効率が非効率になる。結果としてon/off比などで十分な特性を持つ光変調器を構成するため、素子長を長くする必要が生じる。レーザ素子の全長が大きくなり、必要変調電圧が高くなり、変調部における光損失が大きくなる問題があった。【解決手段】本発明の光変調器集積半導体レーザおよび光変調器は、導波路上の進行波型の変調電極に加え、変調電極から分岐して構成された静電容量を付加する子電極(分岐電極)を備える。子電極は、静電容量付加部として光変調器の光導波路とは光学的に結合していない導波路状の構成を持つことができる。子電極は、例えばT字状またはL字状の形状のものとでき、変調電極の片側または両側に、離間して複数個備えることができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题为了解决问题，例如在传统的TW-EA-DFB激光和光调制器中，在进行波中存在在行进波电极中的导光路径上未形成电极的区域电极中，在恒定区域中存在以恒定比例在导光路径上未形成电极的区域，因此，用于单位长度的导光路径的修正效率变得低效，结果是具有足够的光调制器形成诸如开/关比的特性，需要长的元件长度，并且激光元件的整个长度变大，使得必需的修改电压变高，并且调制部分的光损耗变大。解决方案：光调制器集成半导体激光器和光调制器包括从调制电极分支形成的从电极（分支电极），除了作为渐进的调制电极 ss波型在光导路径上。从电极可以具有导光路径状态配置，其中它们不与光调制器的光导路径光学耦合作为静电电容添加部分。从电极可以形成为例如T形或L形，并且在调制电极的一侧或两侧上，多个从电极设置有间隔。

22. 发明专利

JP2015212733A 半導体基板审中-公开
标题翻译：半导体基板
公开(公告)号：JP2015212733A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：JP2014094721
申请日：2014-05-01
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：青笹真一 , 山田貴 , 柴田泰夫 , 佐藤里江子 , 神徳正樹
IPC分类号： H01S5/022 , H01L21/02 , G02F1/01
摘要：【課題】半導体チップとキャリアとの接合時に、ハンダのボイドの発生を抑制し、劈開時の歩留まりを向上させる。【解決手段】第1の面に光機能素子が集積された半導体基板において、前記第1の面と対向する第2の面に凹凸が形成されていることを特徴とする。前記凹凸のうち、凹部は前記第2の面と接する側面に連通していることが望ましい。前記凹凸は、直線状の溝により形成することができ、V溝とすることができる。このとき、前記半導体基板の板厚は、200〜300μmである。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了抑制半导体芯片和载体接合时的焊料空隙的发生，以提高切割时的产率。解决方案：在与半导体基板的第一表面相对的第二表面上形成凸凹，哪个光学功能元件被集成。凸凹的凹部优选与与第二表面接触的侧面连通。凹凸可以由直线槽形成，并且可以是V形槽。在这种情况下，半导体基板的厚度为200〜300μm。

23. 发明专利

JP2015197642A 半導体デバイス、および半導体デバイスの製造方法有权
标题翻译：半导体器件和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2015197642A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：JP2014076530
申请日：2014-04-02
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：青笹真一 , 柴田泰夫 , 菊池順裕 , 山田貴 , 神徳正樹
IPC分类号： G02F1/015 , G02B6/12 , H01S5/022 , G02B6/122
摘要：【課題】高密度集積化を実現しながら、実装の確実性を確保することができる半導体デバイス、および半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】回路搭載面を有する半導体チップ2と、半導体チップ2の回路搭載面に搭載された機能素子回路22と、半導体チップ2の機能素子回路22の搭載部分以外の回路搭載面に設けられた複数の支柱21とを備えた半導体デバイスであって、複数の支柱21は機能素子回路22の高さよりも高く形成されることを特徴とする。支柱は2層構造であり、下の層の縦弾性係数が、上の層より小さいこと、支柱の上面の面積と高さとの比率が400〜10,000μmであること、機能素子回路は光を伝搬する光導波路を有し、支柱と光導波路との間の最短距離が50〜200μmであること、支柱の2層構造のうちの下の層が、光導波路の側面を埋め込む層と同じ構成材料で構成されている。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供能够确保封装的可靠性同时实现高密度集成的半导体器件，并提供半导体器件的制造方法。半导体器件包括：具有电路安装表面的半导体芯片2; 安装在半导体芯片2的电路安装表面上的功能元件电路22; 以及设置在除了半导体芯片2的功能元件电路22的安装部分之外的电路安装表面上的多个支撑件21.多个支撑件21形成为高于功能元件电路22的高度。支撑体具有下层的纵向弹性模量小于上层的纵向弹性模量的两层结构，支撑体的上表面的面积与高度的比率为400〜10000μm，功能元件电路具有用于传播光的光波导，支撑体和光波导之间的最短距离为50〜200μm，支撑体的两层结构中的下层由与嵌入光波导的侧面的层。

24. 发明专利

JP5761853B2 半導体素子、多波長半導体レーザ、多波長半導体レーザモジュール、ガスセンシングシステム及び半導体素子の製造方法有权
标题翻译：半导体器件中，多波长半导体激光器，多波长半导体激光器模块的制造方法，该气体感测系统和半导体元件
公开(公告)号：JP5761853B2
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：JP2011171878
申请日：2011-08-05
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：佐藤具就 , 布谷伸浩 , 藤澤剛 , 山本知生 , 神徳正樹
IPC分类号： H01S5/22

25. 发明专利

JP2019008256A 干渉計導波路审中-公开
公开(公告)号：JP2019008256A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2017126702
申请日：2017-06-28
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：上田悠太 , 神徳正樹
IPC分类号： G02F1/01
摘要：【課題】高次モードに起因する消光比の劣化を改善した干渉計導波路を提供する。【解決手段】一つ以上の入力導波路と、前記入力導波路に接続され、入力光をN分岐(Nは2以上の整数)する分波器と、前分波器からの出力を個別に導波するN本のアーム導波路と、前記N本のアーム導波路からの光を合波して一つ以上の出力導波路に光を出力する合波器とからなる干渉計導波路において、前記N本のアーム導波路のうちの少なくとも一本以上のアーム導波路に、それぞれ異なる特定の導波モードに対応した電極構造の位相調整電極を有する位相調整器が複数備わっている事を特徴とする干渉計導波路とした。【選択図】図6

26. 发明专利

JP6146872B2 アセトン中の天然の安定炭素同位体比の分析方法、並びに脂質代謝のモニタリング方法有权
公开(公告)号：JP6146872B2
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：JP2014123575
申请日：2014-06-16
申请人：日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：吉村了行 , 神徳正樹 , 吉田尚弘 , 山田桂太 , 大石一喜
IPC分类号： G01N27/62

27. 发明专利

JP6068323B2 化合物半導体の成長方法有权
标题翻译：生长化合物半导体的方法
公开(公告)号：JP6068323B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2013252410
申请日：2013-12-05
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：中尾亮 , 荒井昌和 , 伊賀龍三 , 神徳正樹
IPC分类号： H01L21/66 , C23C16/30 , C23C16/52 , C30B25/16 , H01L33/00 , H01L21/205

28. 发明专利

JP6043698B2 光半導体装置の製造方法有权
标题翻译：一种制造光学半导体器件的方法
公开(公告)号：JP6043698B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2013186752
申请日：2013-09-09
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：荒井昌和 , 中尾亮 , 神徳正樹
IPC分类号： G02F1/025 , H01S5/12 , H01S5/026

29. 发明专利

JP2016200676A 光導波路の作製方法有权
标题翻译：一种用于制造光波导的方法
公开(公告)号：JP2016200676A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2015079494
申请日：2015-04-08
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：上田悠太 , 石川光映 , 神徳正樹
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/136
摘要：【課題】光スポットサイズ変換器を有する光導波路を簡便に作製できる光導波路の作製方法を提供する。【解決手段】基板1とコア層2とを含む多層膜基板10の上に、多層膜基板10の上に第1のマスク層を形成するステップと、マスク層を、長手方向に沿って開口幅が変化する開口マスクパターンに加工するステップと、開口マスクパターンを用いて多層膜基板10に対してエッチングをすることにより、マスクパターンの開口幅の変化を反映して、コア層2のエッチング深さが変化する傾斜構造12を形成するステップと、傾斜構造12を有する多層膜基板10の上に、第2のマスク層を新たに形成するステップと、導波路マスクパターンに第2のマスク層を加工するステップと、導波路マスクパターンを用いて多層膜基板10をエッチングすることにより、多層膜基板10の傾斜構造が存在する箇所に光導波路を形成するステップと、を含む。【選択図】図3
摘要翻译：为了提供所述光波导的光波导的制造方法可以与光点尺寸转换器来容易地制造。在包括基片1和芯2层的多层膜基板10，形成多层膜基板10，掩模层，在纵向方向上的开口宽度上的第一掩模层一个步骤，但加工成改变，通过使用孔径掩模图案蚀刻所述多层基板10，反映在掩模图案中，核心层2的蚀刻深度的开口宽度的改变孔隙掩模图案加工但形成梯度结构12，其改变，具有倾斜结构12，新近形成第二掩模层，所述第二掩模层的波导掩模图形的工序中的多层膜基板10上包括以下步骤，通过使用波导掩模图案蚀刻所述多层基板10，和形成光波导部分，其中在多层基板10的倾斜结构存在，则。点域

30. 发明专利

JP6002066B2 半導体光変調素子有权
标题翻译：的光调制器
公开(公告)号：JP6002066B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2013055092
申请日：2013-03-18
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：小木曽義弘 , 神徳正樹 , 田野辺博正
IPC分类号： G02F1/017 , G02F1/025

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