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11. 发明专利

JPWO2016147773A1 有機半導体膜形成用組成物、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイス审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016147773A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：JP2017506149
申请日：2016-02-15
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：泰明松下 , 泰明松下
IPC分类号： H01L51/40 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0071 , C08K5/00 , C08K2201/001 , C09D11/03 , C09D11/38 , C09D11/52 , H01L27/3274 , H01L29/786 , H01L51/0005 , H01L51/0007 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0055 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0512 , H01L51/0558 , H01L51/5012
摘要：本発明の課題は、印刷性に優れ、移動度および絶縁信頼性に優れた有機薄膜トランジスタを作製することができる有機半導体膜形成用組成物を提供することである。本発明の課題は、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、および、ディスプレイデバイスを提供することにもある。本発明の有機半導体膜形成用組成物は、有機半導体材料と、フェノール性還元剤と、重量平均分子量が50万以上の高分子化合物と、界面活性剤と、標準沸点が150℃以上の有機溶剤と、を含有し、上記高分子化合物の含有量に対する上記有機半導体材料の含有量の割合が質量基準で0.02〜10であり、上記高分子化合物の含有量に対する上記フェノール性還元剤の含有量の割合が質量基準で0.1〜5である。

12. 发明专利

JP2017224820A フラーレン誘導体、及びn型半導体材料审中-公开
公开(公告)号：JP2017224820A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2017117205
申请日：2017-06-14
申请人：ダイキン工業株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：永井隆文 , 足達健二 , 安蘇芳雄 , 家裕隆 , 辛川誠
IPC分类号： H01L51/46
CPC分类号： H01L51/0047 , C07D209/70 , C08K3/045 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/005 , C08G2261/124 , C08G2261/3142 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/91 , H01L51/4253 , Y02E10/549
摘要：【課題】n型半導体、特に有機薄膜太陽電池等の光電変換素子用のn型半導体として優れた性能を有する材料を提供すること。【解決手段】純度が99%以上である、フラーレン誘導体(たとえば以下の反応式により合成される化合物1)からなるn型半導体材料。【選択図】なし

14. 发明专利

JP2017168670A 半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017168670A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016053109
申请日：2016-03-16
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：服部繁樹 , 寺井勝哉 , 西沢秀之 , 浅川鋼児
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L29/788
CPC分类号： H01L51/0545 , G11C16/04 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/28 , H01L29/788 , H01L51/005 , H01L51/0591 , G11C16/0433
摘要：【課題】優れた電荷保持特性を実現する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、半導体層と、ゲート電極と、半導体層ゲート電極との間に設けられ、銅(Cu)及びタングステン(W)を含むポリオキソ酸を含む電荷蓄積層と、を備える。【選択図】図1

15. 发明专利

JP6181317B2 光電変換素子用組成物、および光電変換素子有权
公开(公告)号：JP6181317B2
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：JP2016548802
申请日：2015-08-26
申请人：株式会社クレハ
发明人：菅野久
IPC分类号： H01G9/20 , H01L51/48 , H01L51/44 , C07C211/65
CPC分类号： C07C211/65 , C07C211/15 , C07C239/08 , C07C239/20 , H01G9/2009 , H01L51/005 , H01L51/4253 , H01L51/442

16. 发明专利

JP6158013B2 有機分子メモリ有权
公开(公告)号：JP6158013B2
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：JP2013196983
申请日：2013-09-24
申请人：株式会社東芝
发明人：田中裕介 , 西沢秀之 , 服部繁樹 , 浅川鋼児
IPC分类号： H01L27/28 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , C07C211/52 , H01L27/10
CPC分类号： H01L51/0595 , G11C13/0014 , H01L51/0034 , H01L51/005 , H01L51/0051 , H01L51/0098 , H01L51/105 , H01L51/5004 , H01L2251/301 , H01L2251/552

17. 发明专利

JP2017515823A 安定化されたイミダゾフェナントリジン材料审中-公开
公开(公告)号：JP2017515823A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2016567017
申请日：2015-05-05
申请人：ユニバーサルディスプレイコーポレイション , ユニバーサルディスプレイコーポレイション
发明人：ジェイソン・ブルックス , ゲザ・シゲシー , グレン・モレロ , ジュン・デン , ピーター・アイ・ジュロビッチ
IPC分类号： C07F15/00 , C07D471/16 , C07F19/00 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0085 , C07D471/16 , C07D498/16 , C07D513/16 , C07F7/1852 , C07F15/0033 , C07F15/0086 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1022 , C09K2211/1044 , C09K2211/1088 , C09K2211/185 , H01L27/32 , H01L51/005 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0087 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5206 , H01L51/5221
摘要：イミダゾフェナントリジン配位子及び金属錯体が提供される。イミダゾール環の窒素が結合した炭素と隣接する縮合アリール環上の炭素とを結合する連結置換を通して、化合物は、改善された安定性を示す。前記化合物は、有機発光デバイス中に、特に発光ドーパントとして用いられることができ、デバイスに改善された効率、安定性、及び製造を提供する。特に、本明細書中で提供される化合物は、高い効率を有する青色デバイス中に使用されることができる。【選択図】図1

19. 发明专利

JP2017504196A ホスフェピンマトリックス化合物を含んでいる半導体材料有权
标题翻译：包含phosphepinium销基质化合物半导体材料
公开(公告)号：JP2017504196A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2016542203
申请日：2014-12-23
申请人：ノヴァレッドゲーエムベーハー , ノヴァレッドゲーエムベーハー
发明人：ツェルナー，マイク
IPC分类号： H01L51/50 , C07D209/86 , C07D215/24 , C07D235/08 , C07F9/6571 , C09K11/06
CPC分类号： H01L51/0071 , C07F9/5325 , C07F9/5329 , C07F9/587 , C07F9/6568 , C07F9/65685 , H01L51/005 , H01L51/0077 , H01L51/5076 , H01L51/5092
摘要：本発明は、半導体材料中に少なくとも1つのマトリックス材料としてのホスフェピン環を含んでいる化合物の使用、半導体材料及び電子素子に関する。ホスフェピン環を含んでいるマトリックス材料は、リチウム複合体によってドープされてもよい。
摘要翻译：本发明涉及使用含有Hosufepin环作为在半导体材料中的至少一种基体材料，半导体材料和电子设备的化合物。含有Hosufepin环基体材料可以由锂复合掺杂。

20. 发明专利

JPWO2014084296A1 色素増感太陽電池审中-公开
标题翻译：的染料敏化太阳能电池
公开(公告)号：JPWO2014084296A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2014549884
申请日：2013-11-28
申请人：日本化薬株式会社
发明人：正充佐竹 , 正充佐竹 , 尚志星 , 尚志星 , 紫垣　晃一郎 , 晃一郎紫垣
IPC分类号： H01G9/20
CPC分类号： H01G9/2059 , C07C327/30 , C09B23/10 , C09B23/105 , C09B57/008 , H01G9/2013 , H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2077 , H01L51/005 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0068 , Y02E10/542 , Y02E10/549
摘要：本発明は、優れた光電変換効率と耐久性を有する色素増感太陽電池を提供することを目的とする。色素によって増感された半導体含有層を有する第一の導電性支持体、該半導体含有層と対向電極とが所定の間隔で対向する位置に設けられた対向電極を有する第二の導電性支持体、第一及び第二の導電性支持体の間隙に挟持された電荷移動層、並びに電荷移動層をシールするために第一及び第二の導電性支持体の周辺部に設けられたシール剤を有する色素増感太陽電池であって、該色素が非ルテニウム系の有機色素であり、該対向電極が白金を含み、かつ該電荷移動層が、ヨウ素、ヨウ素イオン、及び分子内にチオエステル結合と正電荷を帯びた窒素原子の双方を有する化合物を含む電解液である色素増感太陽電池が開示される。
摘要翻译：本发明的目的在于提供具有优异的光电转换效率和耐久性的色素增感型太阳能电池。具有用染料，所述第二导电支撑体和含半导体层与对置电极敏化的含半导体的层的第一导电性支持体具有以预定间隔面对的位置处设置的对置电极中，为了设置在第一和第二导电支撑件的周边上的第一和第二导电支撑的电荷输送层夹在所述间隙中，并且密封剂来密封电荷输送层的染料敏化太阳能电池具有，染料是基于非钌有机染料，包括铂对电极和所述电荷转移层是，碘，硫酯键和一个正的碘离子，以及分子染料敏化太阳能电池是公开含有同时具有氮带电原子的化合物的电解液。

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