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1. 发明专利

KR20210029102A KR20210029102A - Organic compound, organic light-emitting element, display apparatus, photoelectric conversion apparatus, electronic apparatus, lighting apparatus, moving object, and exposure light source 审中-公开
公开(公告)号：KR20210029102A
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020200111393A
申请日：2020-09-02
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 히로카즈 미야시타 , 나오키 야마다 , 사토루 시오바라 , 이사오 카와타 , 유토 이토 , 준 카마타니
IPC分类号： C07C13/66 , C07C13/62 , H01L51/00 , H01L51/50 , H01L51/56
CPC分类号： C07C255/51 , C07C13/66 , C07C13/62 , C07C25/22 , C07C255/50 , C07C255/58 , C07D201/00 , H01L51/005 , H01L51/0054 , H01L51/0056 , H01L51/504 , H01L51/56 , C07C2603/40 , C07C2603/52 , C07C2603/54
摘要： 하기 일반식 [1]로 표시되는 유기 화합물이 제공된다.

고리 A는, 풀루오란텐 골격을 갖는 탄소 원자수 16 내지 60의 다환 방향족 탄화수소 고리이며, 옵션으로, 치환기로서, 치환 혹은 무치환의 알킬기 등을 갖는다. 고리 B
1 및 B
2 은, 탄소 원자수 6 내지 18의 방향족 탄화수소 고리이며, 각각 2개 이상의 전자 끌기기를 갖는다. Q
1 및 Q
2 은, 각각 상기 고리 B
1 의 상기 전자 끌기기의 한개와 상기 고리 B
2 의 상기 전자 끌기기의 한 개를 나타내며, 각각 상기 고리 A에 대하여 상기 고리 B
1 의 오르토 위치 및, 상기 고리 B
2 의 오르토 위치에 위치한다.

2. 发明专利

JP6424835B2 アリールスルホン酸化合物及びその利用审中-公开
公开(公告)号：JP6424835B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2015559101
申请日：2015-01-22
申请人：日産化学株式会社
发明人：中家直樹
IPC分类号： C07C303/22 , C09K11/06 , H01L51/50 , H05B33/10 , C07C309/43
CPC分类号： C07C309/43 , C09K11/06 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/5056

3. 发明专利

JP2018177911A 発光材料及びこれを含む有機電界発光素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018177911A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017077169
申请日：2017-04-07
申请人：三星ディスプレイ株式會社 , Samsung Display Co.,Ltd.
发明人：渕脇純太 , 佐藤徹
IPC分类号： H01L51/50 , C09K11/06
CPC分类号： H01L51/0072 , C07D209/86 , C07D209/88 , C07D221/08 , C07F7/0814 , C07F7/0816 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , H01L51/005 , H01L51/0054 , H01L51/0094 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5028 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L2251/552
摘要：【課題】高効率及びロールオフ低減を同時に実現できる有機電界発光素子を提供する。【解決手段】本発明は下記の式1を満足する第1化合物を含む発光材料に係る。本発明は、また前記発光材料を含む有機電界発光素子に係る。 K2≧0.1K1・・・(式1) 前記式1において、K1は所定のn番目の三重項励起状態から最低三重項励起状態を含む低次三重項励起状態への内部転換による無輻射遷移速度の和であり、K2は所定のn番目の三重項励起状態からn番目の三重項励起状態と隣接する一重項励起状態への逆項間交差遷移速度であり、nは2以上の整数である。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2018527740A 極性マトリクスおよび金属ドーパントを含んでいる有機発光デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018527740A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017566741
申请日：2016-06-22
申请人：ノヴァレッドゲーエムベーハー
发明人：デンカー,ウルリヒ , ローテ,カルステン , センコフスキー,ウォロディミル , カリシュ,トマス
IPC分类号： H05B33/12 , H05B33/26 , H05B33/10 , C07F9/53 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/005 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/0067 , H01L51/0073 , H01L51/5004 , H01L51/5008 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , H01L51/5234 , H01L51/5278 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/305 , H01L2251/552
摘要：本発明は、アノードとカソードとの間に、少なくとも1つの発光層を備えている電子デバイスに関する。上記デバイスは、上記カソードと上記アノードとの間に、少なくとも1つの混合層をさらに備えている。上記混合層は、(i)Li、Na、K、Be、Sc、Y、La、Lu、TiおよびVから選択される、実質的に元素形態の陽性元素、ならびに(ii)ホスフィンオキシド基から選択される少なくとも1つの極性基を有している、少なくとも1種類の実質的に共有結合性の電子輸送マトリクス化合物、を含んでいる。ここで、同じ条件下におけるサイクリックボルタンメトリーで測定した場合、上記実質的に共有結合性の電子輸送マトリクス化合物の還元電位は、4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリンから得られる値よりも負であり、好ましくは(9−フェニル−9H−カルバゾール−2,7−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィンオキシド)よりも負であり、より好ましくは(9,9−ジヘキシル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィンオキシド)よりも負であり、非常に好ましくは1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール−2−イル)ベンゼンよりも負であり、より一層好ましくは3−フェニル−3H−ベンゾ[b]ジナフト[2,1−d:1’,2’−f]ホスフェピン−3−オキシドよりも負であり、最も好ましくはピレンよりも負であり、さらに好ましくは[1,1’−ビナフタレン]−2,2’−ジイルビス(ジフェニルホスフィンオキシド)またはジアゾール基よりも負である。また、同じ条件下におけるサイクリックボルタンメトリーで測定した場合、上記実質的に共有結合性の電子輸送マトリクス化合物の還元電位は、4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリンから得られる値よりも負であり、好ましくは(9−フェニル−9H−カルバゾール−2,7−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィンオキシド)よりも負であり、より好ましくは(9,9−ジヘキシル−9H−フルオレン−2,7−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィンオキシド)よりも負であり、非常に好ましくは1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール−2−イル)ベンゼンよりも負であり、より一層好ましくは3−フェニル−3H−ベンゾ[b]ジナフト[2,1−d:1’,2’−f]ホスフェピン−3−オキシドよりも負であり、最も好ましくはピレンよりも負であり、さらに好ましくは[1,1’−ビナフタレン]−2,2’−ジイルビス(ジフェニルホスフィンオキシド)またはジアゾール基よりも負である。本発明はまた、上記デバイスの製造方法、および上記デバイスに含まれる化合物にも関する。

5. 发明专利

JP2018110121A 有機エレクトロルミネッセンス素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018110121A
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2018019901
申请日：2018-02-07
申请人：保土谷化学工業株式会社
发明人：横山紀昌 , 林秀一 , 草野重
IPC分类号： H01L51/50 , C07D333/76 , H05B33/02
CPC分类号： H01L51/0058 , C07C211/54 , C07C211/58 , C07D209/88 , C07D213/38 , C07D333/76 , C09B57/008 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/5056 , H01L51/5253 , H01L51/5275
摘要：【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子の素子特性を改善させるために、特に、光の取出し効率を大幅に改善させるために、屈折率が高く、薄膜の安定性や耐久性に優れていると共に、青、緑および赤それぞれの波長領域において吸収を持たない材料から構成されるキャッピング層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】少なくとも陽極電極2、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6、陰極電極8およびキャッピング層9をこの順に有する有機EL素子において、キャッピング層が分子中にトリフェニルアミン構造を2個、単結合またはヘテロ原子を含まない2価基で連結した構造を有するアリールアミン化合物(X)を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2018508977A 電子部品审中-公开
公开(公告)号：JP2018508977A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2017535987
申请日：2015-12-08
申请人：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング , Merck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung
发明人：キルシュ、ペール , トン、チィオン , ルール、アンドレアス , トルノー、マルク , ボーラ、アチュタ
IPC分类号： H01L21/8239 , G11C13/00 , H01L27/105 , H01L45/00
CPC分类号： H01L51/0591 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/35 , G11C2213/52 , G11C2213/73 , H01L27/285 , H01L51/005 , H01L51/0051 , H01L51/0067 , H01L51/102
摘要：【課題】電子部品を提供する。【解決手段】複数のスイッチ素子(1)を含む電子部品(10)であって、該スイッチ素子は、第1の電極(16)と、基板に結合された分子層(18)と、および第2の電極(20)とをこの順で含み、ただし該分子層は、連結基(V)および極性またはイオン官能を有する末端基(E)を含有する分子(M)から本質的に成る電子部品は、デジタル情報記憶装置用のメモリスタ装置として適切である。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2018506137A ＶＴＥ、電子機器およびそれらを用いる半導体材料のための置換１，２，３−トリイリデントリス（シアノメタニルイリデン））シクロプロパン审中-公开
公开(公告)号：JP2018506137A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2017532070
申请日：2015-12-16
申请人：ノヴァレッドゲーエムベーハー
发明人：フメルト,マルクス , ブルフ,アヒム , ケーン,クリスティアネ , ニュレン,マクスペー. , ヘクマン,ウルリヒ
IPC分类号： H05B33/10 , C07C255/51 , C07D213/84 , C07D239/30 , H01L51/50 , H05B33/12
CPC分类号： H01L51/005 , C07C255/35 , C07C255/51 , C07C2601/02 , C07C2601/16 , C07D213/84 , C07D239/30 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1018 , H01L51/001 , H01L51/0067 , H01L51/506 , H01L51/5088 , H01L2251/554
摘要：本発明は、[3]−ラジアレンp−ドーパントを含む、電気的にドーピングされた半導体材料の製造方法であって、または、[3]−ラジアレンp−ドーパントを含む層を含む電子機器の製造方法であって、上記製造方法は、(i)上記[3]−ラジアレンp−ドーパントを蒸発源に積載するステップと、(ii)上記[3]−ラジアレンp−ドーパントを、温度上昇および圧力減少で蒸発させるステップと、を有し、上記[3]−ラジアレンp−ドーパントは、式(I)に係る構造を有する化合物から選択され、【化1】ここで、A1およびA2は、独立して、アリールまたはヘテロアリールで置換されたシアノメチリデン基であり、アリールおよび/またはヘテロアリールは、A1およびA2において、独立して、4−シアノ−2,3,5,6−テトラフルオロフェニル、2,3,5,6−テトラフルオロピリジン−4−イル、4−トリフルオロメチル−2,3,5,6−テトラフルオロフェニル、2,4−ビス(トリフルオロメチル)−3,5,6−トリフルオロフェニル、2,5−ビス(トリフルオロメチル)−3,4,6−トリフルオロフェニル、2,4,6−トリス(トリフルオロメチル)−1,3−ジアジン−5−イル、3,4−ジシアノ−2,5,6−トリフルオロフェニル、2−シアノ−3,5,6−トリフルオロピリジン−4−イル、2−トリフルオロメチル−3,5,6−トリフルオロピリジン−4−イル、2,5,6−トリフルオロ−1,3−ジアジン−4−イル、および3−トリフルオロメチル−4−シアノ−2,5,6−トリフルオロフェニルから選択され、少なくとも1つのアリールまたはヘテロアリールは、2,3,5,6−テトラフルオロピリジン−4−イル、2,4−ビス(トリフルオロメチル)−3,5,6−トリフルオロフェニル、2,5−ビス(トリフルオロメチル)−3,4,6−トリフルオロフェニル、2,4,6−トリス(トリフルオロメチル)−1,3−ジアジン−5−イル、3,4−ジシアノ−2,5,6−トリフルオロフェニル、2−シアノ−3,5,6−トリフルオロピリジン−4−イル、2−トリフルオロメチル−3,5,6−トリフルオロピリジン−4−イル、2,5,6−トリフルオロ−1,3−ジアジン−4−イル、または3−トリフルオロメチル−4−シアノ−2,5,6−トリフルオロフェニルであり、A1およびA2の両方のヘテロアリールが同時に2,3,5,6−テトラフルオロピリジン−4−イルであることはできない、ことを特徴とする製造方法に関する。

9. 发明专利

JP2018505162A 有機エレクトロニクスにおけるＮ−ドーパントとしてのアミノフォスファゼン塩基审中-公开
公开(公告)号：JP2018505162A
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：JP2017537399
申请日：2015-12-07
申请人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト , Siemens Aktiengesellschaft
发明人：ケスラー、フローリアン , レーゲンスブルガー、シュテファン , シュミット、ギュンター
IPC分类号： C07F9/06 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/46 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/005 , C07F9/065 , C07F9/5721 , C07F9/65062 , C07F9/6524 , C07F9/65815 , C07F9/65848 , C09D5/24 , H01L51/002 , H01L51/0052 , H01L51/0072 , H01L51/5076
摘要：本発明は、有機電子輸送材料にドーピングするためのn−ドーパントに関する。前記n−ドーパントは、リン原子に結合した4つの窒素原子を有する式(1)のアミノフォスファゼン基を少なくとも1つ有する。【化1】(1)【選択図】図7

10. 发明专利

JP2018027883A ナノ結晶の合成、キャップ形成および分散审中-公开
公开(公告)号：JP2018027883A
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：JP2017136074
申请日：2017-07-12
申请人：ピクセリジェント・テクノロジーズ,エルエルシー
发明人：ゴネン・ウィリアムズ,ゼーラ・サーピル , ウォン,イジュン , ウィアチェク,ロバート・ジェイ , バイ,シア , ゴウ,リンフェン , トーマス,セリナ・アイ , シュイ,ウェイ , シュイ,ジュン
IPC分类号： B01J19/00 , B01F17/54 , B01F17/38 , B01F17/00 , C01G27/02 , C01G27/00 , C01G9/02 , C01F17/00 , B82Y40/00 , C01G25/02
CPC分类号： C30B29/16 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C07F7/1804 , C07F7/28 , C30B7/10 , C30B7/14 , C30B29/32 , H01B1/14 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01L21/02565 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L51/005 , H01L51/0094 , Y10S977/774 , Y10S977/896 , Y10S977/932
摘要：【課題】凝集のない半導体ナノ結晶の調製方法と、溶媒およびその他の媒質の中でのそれらの結晶の分散方法を提供する。【解決手段】ナノ結晶は凝集が最少限である(1〜10nmの)小さな粒子サイズを有し、高い収量で合成することができ、合成したままのナノ結晶およびキャップ交換反応を受けたナノ結晶の上でのキャッピング剤は、極性溶媒や非極性溶媒の中での安定した懸濁液の形成をもたらし、次いで、その懸濁液により高品質のナノ複合材フィルムを形成することができる結晶の分散方法。【選択図】図1

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