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11. 发明专利

JP2016539887A 新規な化合物半導体及びその活用有权
标题翻译：新化合物半导体和利用它的
公开(公告)号：JP2016539887A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2016517422
申请日：2014-09-18
申请人：エルジー・ケム・リミテッド
发明人：ヒュン−ウォ・チェ , ビュン−キュ・リム , テ−フン・キム , チョル−ヒ・パク , ウン−ア・ユ , オ−ジョン・クウォン
IPC分类号： C01B19/04 , H01L31/0256 , H01L35/16
CPC分类号： H01L35/16 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L31/0272 , H01L31/02725 , H01L35/18 , H01L35/20 , H01L35/34
摘要：本発明は、熱電材料などの用途に用いることができる新規な化合物半導体及びその活用を開示する。本発明による化合物半導体は、以下の化学式1で表される。 Bi2TexSea−xInyMz前記化学式1において、Mは、Cu、Fe、Co、Ag及びNiからなる群より選択された少なくともいずれか一種以上であり、2.5
摘要翻译：本发明公开了一种新型化合物半导体和利用它们可以在应用中使用，例如热电材料。根据本发明的化合物半导体由下面的式1表示。在<1> Bi2TexSea-xInyMz式1中，M为铜，铁，钴，至少任一个或从所述组中选择由Ag和Ni，2.5

12. 发明专利

JP6032175B2 熱電変換装置の製造方法有权
标题翻译：用于制造热电转换方法
公开(公告)号：JP6032175B2
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2013222260
申请日：2013-10-25
申请人：株式会社デンソー
发明人：郷古倫央 , 坂井田敦資 , 谷口敏尚 , 白石芳彦 , 岡本圭司
IPC分类号： H01L35/32 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/34 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/486 , H01L35/04 , H01L35/16 , H01L35/32

13. 发明专利

JP6007342B2 カルコゲナイド系ナノ線を利用した熱化学ガスセンサー及びその製造方法有权
标题翻译：热化学气体传感器和其制造方法使用基于硫族化物 - 纳米线的过程
公开(公告)号：JP6007342B2
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：JP2015559197
申请日：2014-02-26
申请人：インダストリー−ユニバーシティーコーペレイションファンデーションハンヤンユニバーシティーエリカキャンパス
发明人：チョア、ヨンホ , キム、セイル , イ、ユンイン , チョイ、ヨミン
IPC分类号： H01L35/16 , H01L35/34 , G01N25/32
CPC分类号： H01L35/16 , B82Y40/00 , G01N27/125 , G01N27/127 , G01N33/005 , H01L35/04 , H01L35/32 , H01L35/34 , B82Y15/00

14. 发明专利

JP6003998B2 半導体装置、半導体装置の製造方法及び熱電発電電子機器有权
标题翻译：半导体器件，其制造方法和热电发电电子半导体器件
公开(公告)号：JP6003998B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2014543023
申请日：2012-10-22
申请人：富士通株式会社
发明人：栗原和明 , 壷井修 , ▲高▼馬悟覚
IPC分类号： H01L35/34 , H02N11/00 , H01L35/32
CPC分类号： H01L35/32 , H01L25/16 , H01L35/16 , H01L35/34 , H01L2924/0002

15. 发明专利

JP6001578B2 コア/シェル型ナノ粒子の製造方法およびその方法を用いた焼結体の製造方法有权
标题翻译：用于使用所述核/壳纳米粒子的制造方法和方法生产烧结体的方法
公开(公告)号：JP6001578B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2014017569
申请日：2014-01-31
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 国立大学法人名古屋大学
发明人：渡部雅王 , 石切山守 , 木下洋平 , 齋藤永宏 , 簾智仁 , 兒玉智己
IPC分类号： H01L35/16 , H01L35/18 , B22F1/00 , B22F9/24 , B22F9/14 , B22F1/02 , B82Y40/00 , C22C12/00 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/34 , B22F1/0003 , B22F1/025 , B22F3/10 , B22F9/24 , C22C12/00 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/20 , B22F1/0018 , B22F2998/10 , B22F2999/00

16. 发明专利

JP2016530715A 熱電材料有权
标题翻译：热电材料
公开(公告)号：JP2016530715A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2016531549
申请日：2014-09-05
申请人：エルジー・ケム・リミテッド
发明人：キョン−ムン・コ , テ−フン・キム , チョル−ヒ・パク , ジェ−キ・イ
IPC分类号： H01L35/16 , H01L35/26 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/16 , H01L35/34
摘要：本発明は、性能に優れた熱電変換材料を開示する。本発明による熱電材料は、Cu及びSeを備えるマトリクスと、Cu含有粒子と、を含む。
摘要翻译：本发明公开了一种优异的热电转换材料的性能。根据本发明的热电材料包括包含Cu和Se，以及含Cu粒子的基质。

17. 发明专利

JP5998078B2 熱電変換材料及びその製造方法、並びに熱電変換モジュール有权
标题翻译：热电转换材料及其制造方法和热电转换模块，
公开(公告)号：JP5998078B2
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：JP2013037858
申请日：2013-02-27
申请人：リンテック株式会社 , 国立大学法人九州工業大学
发明人：加藤邦久 , 武藤豪志 , 宮崎康次 , 原田愛子
IPC分类号： H01L35/16 , H01L35/14 , H01L35/34 , H01L35/32
CPC分类号： H01L35/32 , H01L35/14 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/24 , H01L35/34

18. 发明专利

JP2016526302A 可逆的相転移を有する高性能Ｐ型熱電材料及びその製造方法有权
标题翻译：高性能P型热电材料及其制造方法可逆相变
公开(公告)号：JP2016526302A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2016517142
申请日：2014-05-29
申请人：中国科学院上海硅酸塩研究所
发明人：迅史 , 迅史 , 灰礼劉 , 灰礼劉 , 立東陳 , 立東陳
IPC分类号： H01L35/16 , C01B19/00
CPC分类号： H01L35/16 , C01B9/06 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G3/006 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2004/04 , C01P2004/24 , C01P2006/40 , H01L35/32
摘要：本発明は可逆的相転移を有する高性能P型熱電材料及びその製造方法に関し、前記熱電材料はIをドープしたセレン化銅系熱電材料であり、その化学組成は、Cu2Se1-xIxであり、その内、0
摘要翻译：掺杂有予本发明涉及一种高性能的P型热电材料及其制造方法可逆相变，所述热电材料是基于硒化铜的热电材料，其化学成分是Cu2Se1-XIX，其其中，0

19. 发明专利

JPWO2014042214A1 レーザダイオード用ペルチェモジュール有权
标题翻译：珀耳帖模块的激光二极管
公开(公告)号：JPWO2014042214A1
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2014535587
申请日：2013-09-12
申请人：株式会社Kelk , 株式会社Kelk
发明人：康祐寺内 , 康祐寺内 , 正孝山梨 , 正孝山梨 , 秀行石川 , 秀行石川 , 明夫小西 , 明夫小西
IPC分类号： H01L35/08 , H01L35/32 , H01L35/34 , H01S5/024
CPC分类号： H01L35/08 , H01L35/16 , H01L35/32 , H01S5/02415
摘要：高融点半田で実装可能なレーザダイオード用ペルチェモジュールを提供する。レーザダイオード用ペルチェモジュール(10)は、放熱側の基板(1a)と、放熱側の電極(2a)と、p型熱電変換素子(3a)およびn型熱電変換素子(3b)と、接合半田層(4)と、Niを含む層(5)とを備えている。接合半田層(4)は、放熱側の電極(2a)とp型熱電変換素子(3a)およびn型熱電変換素子(3b)との間に配置され、かつAu及びSnを含むNi金属間化合物(41)と、Au5Sn金属間化合物(42)と、Au5Sn金属間化合物およびAuSn金属間化合物を含む共晶組成(43)とを有する。Niを含む層(5)は、接合半田層(4)と放熱側の電極(2a)との間および接合半田層(4)とp型熱電変換素子(3a)およびn型熱電変換素子(3b)との間にそれぞれ配置されている。接合半田層(4)の共晶比率は15.1%以下である。
摘要翻译：提供一种激光珀尔帖模块二极管可与高熔点焊料来实现。激光二极管珀尔帖装置（10）包括基体（1a）的散热侧，与散热侧电极（2a）中，p型热电转换元件（3a）和n型热电转换元件（3b）中，接合焊料层和（4），和含有Ni的层（5）。接合焊料层（4）被布置在电极（2a）和p型热电转换元件（3a）和n型热电转换元件的热辐射侧之间（图3b），和包含Au及Sn的Ni的金属间化合物具有（41），Au5Sn金属间化合物（42），和一个Au5Sn金属间化合物和含有共晶组成的AuSn金属间化合物（43）。含Ni（5），所述接合焊料层（4）与电极之间的接合焊料层（2a）的之间的热消散侧和（4）和所述p型热电转换元件（3a）和n型热电转换元件层（图3b ）被布置在之间。接合焊料层（4）的共晶比小于15.1％。

20. 发明专利

JP5913935B2 熱電変換モジュール有权
公开(公告)号：JP5913935B2
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：JP2011262472
申请日：2011-11-30
申请人：日本サーモスタット株式会社 , 学校法人東京理科大学
发明人：中嶋忠男 , 根本崇 , 佐藤純一
IPC分类号： H01L35/32
CPC分类号： H01L35/32 , H01L35/06 , H01L35/16 , H01L35/22

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