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11. 发明专利

JP6123796B2 プラズマCVD装置およびプラズマCVD方法有权
公开(公告)号：JP6123796B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2014515389
申请日：2014-03-07
申请人：東レ株式会社
发明人：坂本桂太郎 , 藤内俊平 , 江尻広恵 , 野村文保
IPC分类号： H01L21/31 , H05H1/46 , C23C16/509
CPC分类号： C23C16/509 , B05D1/62 , C23C16/45574 , C23C16/50 , C23C16/54 , C23C16/545 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J37/32825 , H01J37/34 , H01J2237/3321

12. 发明专利

JP2017037846A 加熱プレートおよび基板支持体有权
标题翻译：加热板与基板支撑件
公开(公告)号：JP2017037846A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2016163179
申请日：2016-08-24
申请人：ラムリサーチコーポレーション , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：シン・ハーミート , ギャフ・キース , ベンジャミン・ニール , コメンダント・キース
IPC分类号： H01L21/683 , H05B3/74 , H05B3/20 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05B3/02
CPC分类号： H01L21/67103 , C23C14/541 , C23C16/4586 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H05B1/0233 , H05B3/00 , H05B3/26 , C23C14/50 , C23C16/46 , C23C16/509 , H01J2237/327 , H01J2237/332 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/334 , H01J2237/3342 , H01J2237/3343 , H01J37/32091 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/28556 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67109 , Y10T29/49083 , Y10T29/49099
摘要：【課題】プラズマ処理システムの半導体基板表面処理結果の均一性のための加熱プレートを提供する。【解決手段】プラズマ半導体処理装置の基板支持アセンブリ用の加熱プレートは、スケーラブルな多重化レイアウトに配置された複数の独立に制御可能な平面ヒータゾーンと、これらの平面ヒータゾーン101を独立に制御するように、平面ヒータゾーン、電力供給ライン、電力リターンライン、およびビアを含むセラミックまたはポリマーのシートを一つに接合することを含む。【選択図】図1
摘要翻译：一种用于在等离子体处理系统中的半导体基板表面处理结果的均匀性提供了加热板。对于等离子体的半导体加工装置的基板支撑组件的加热板控制多个可控平面加热器区域的独立设置可扩展的复用布局，这些平面加热器区域101独立地包括作为，平面加热器区域，电源线，电源返回线，并且被接合到陶瓷或聚合物，其包含通孔中的一个片材。 1点域

13. 发明专利

JP2017504955A ＤＣバイアス変調による、粒子発生抑制装置审中-公开
标题翻译：通过DC偏置调制，颗粒的产生抑制装置
公开(公告)号：JP2017504955A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016528233
申请日：2014-10-15
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated , アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：ジョンフンベック， , ジョンフンベック， , スナムパク， , スナムパク， , シンロンチェン， , シンロンチェン， , ドミトリールボミルスキー， , ドミトリールボミルスキー，
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/3065 , H01L21/318 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/503 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32532 , H01J37/3255 , H01J37/32568 , H01J37/32697 , H01J2237/334
摘要：本開示の実施形態は、一般的には、処理チャンバ内の粒子の発生を減少させる装置及び方法に関する。一実施形態において、方法には、一般的に、頂部通電電極と底部接地電極との間にプラズマを生成すること(頂部電極は底部電極と平行に配置される)と、頂部通電電極とプラズマとの間の電位差及び/または底部接地電極とプラズマとの間の電位差を最小化するため、膜堆積処理の間、頂部通電電極に一定のゼロDCバイアス電圧を印加することと、が含まれる。プラズマと電極との電位差を最小化することによって、電極のシース領域内のイオンの加速が減少し、イオンの電極上の保護コーティング層との衝突力が最小化されるため、粒子の発生が減少する。したがって、基板表面上の粒子の発生は減少する。【選択図】図5
摘要翻译：本公开的实施例一般涉及装置和方法，用于减小在处理室粒子的产生。在一个实施方案中，通常可能的方法，以产生顶部导电电极和底部接地电极之间产生等离子体（顶部电极是平行于底部电极），和一顶部导电电极和等离子体以最小化电势差和/或底部接地电极和等离子体之间的期间的薄膜沉积过程中的电势差，并施加恒定零DC偏置电压到顶部导电电极包括。通过最小化等离子体和电极之间的电势差，以加速在所述电极的鞘层区域中的离子被减少，在离子电极的保护被覆层的碰撞力被最小化，颗粒的产生减少到。因此，产生在衬底表面上的颗粒的减少。点域5

14. 发明专利

JP6016790B2 台形波形励起による容量性結合リアクタにおけるプラズマ励起方法及びシステム有权
标题翻译：与梯形波形激励等离子体激励的方法和系统中的电容耦合反应器
公开(公告)号：JP6016790B2
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：JP2013519082
申请日：2011-07-12
申请人：エコールポリテクニック , サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シャンティフィク , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
发明人：ブース,ジャン−ポール , ジョンソン,エリック
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/509 , H01L21/265 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/509 , H01J37/32091 , H01J2237/3348

15. 发明专利

JP5965289B2 リモートプラズマCVD装置有权
标题翻译：远程等离子体CVD装置
公开(公告)号：JP5965289B2
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：JP2012236051
申请日：2012-10-25
申请人：東レエンジニアリング株式会社
发明人：山下雅充 , 陣田敏行
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/505
CPC分类号： C23C16/509 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J37/32651

16. 发明专利

JP2016054303A 加熱プレートおよび基板支持体有权
标题翻译：加热板和基板支撑
公开(公告)号：JP2016054303A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2015216245
申请日：2015-11-04
申请人：ラムリサーチコーポレーション , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：シン・ハーミート , ギャフ・キース , ベンジャミン・ニール , コメンダント・キース
IPC分类号： H05B3/74 , H05B3/10 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67103 , C23C14/541 , C23C16/4586 , H01J37/32724 , H01L21/3065 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H05B1/0233 , H05B3/00 , H05B3/26 , C23C14/50 , C23C16/46 , C23C16/509 , H01J2237/327 , H01J2237/332 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/334 , H01J2237/3342 , H01J2237/3343 , H01J37/32091 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/28556 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67109 , Y10T29/49083 , Y10T29/49099
摘要：【課題】プラズマ処理装置が所望の空間的および時間的プロファイルを能動的に作り出して維持することを可能にし、また、CD均一性に影響を与える他の有害因子を補償する。【解決手段】プラズマ半導体処理装置の基板支持アセンブリ用の加熱プレートは、スケーラブルな多重化レイアウトに配置された複数の独立に制御可能な平面ヒータゾーン101と、これら平面ヒータゾーンを独立に制御すると共に、電力を供給する電子回路とを備える。さらに、加熱プレートが組み込まれる基板支持アセンブリは、静電クランプ電極102と、温度制御されるベースプレートとを備える。また、加熱プレートを製造する方法として、平面ヒータゾーン、電力供給ライン、電力リターンライン、およびビアを含むセラミックまたはポリマーのシートを一つに接合する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：使等离子体处理装置能够主动地创建和维持期望的空间和时间特征，并补偿影响CD均匀性的其他不利因素。解决方案：用于半导体等离子体处理中的衬底支撑组件的加热板装置包括以可伸缩复用布局布置的多个可独立控制的平面加热器区域101和用于独立地控制和加电平面加热器区域的电子电路。其中加入加热板的基板支撑组件包括静电夹持电极102和温度控制的基板。制造加热板的方法包括将具有平面加热区，电源线，电源返回线和通孔的陶瓷或聚合物片粘合在一起。选择的图示：图1

17. 发明专利

JP2015124398A Ti膜の成膜方法有权
标题翻译：薄膜的薄膜沉积方法
公开(公告)号：JP2015124398A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013267708
申请日：2013-12-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：村上誠志 , 清水隆也 , 若林哲
IPC分类号： C23C16/509 , H01L21/285 , H01L21/28 , C23C16/14
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/14 , C23C16/509 , C23C16/56 , H01L21/76843 , H01L21/28518 , H01L21/76855
摘要：【課題】低温成膜においても、残留Clが少なく十分に低抵抗なTi膜を成膜することができるTi膜の成膜方法を提供する。【解決手段】チャンバ内に基板を配置し、Ti原料であるTiCl 4 ガス、還元ガスであるH 2 ガスを含む処理ガスを導入しつつ前記チャンバ内にプラズマを生成して基板上にTi膜を成膜するにあたり、チャンバ内に、処理ガスの他にプラズマ生成ガスとしてArガスを導入し、Arガスをプラズマ化してArイオンを生成し、Arイオンを基板上に堆積されたTi膜に作用させ、Ti膜からのClの脱離を促進させる。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够即使在低温膜沉积下也能够使具有少量残留Cl且具有足够低电阻的Ti膜成膜的Ti膜沉积方法。解决方案：将基板布置在室中，从而产生等离子体在引入包含TiCl气体或Ti材料和H气或还原气体的工艺气体的同时在所述室中，从而在衬底上形成Ti膜。作为等离子体产生气体，除了处理气体之外还引入Ar气体，并将Ar气体制成等离子体以产生Ar离子。使Ar离子作用于沉积在基板上的Ti膜，从而促进Cl从Ti膜的解吸附。

18. 发明专利

JP2015084403A 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム有权
标题翻译：基板加工设备，半导体器件制造方法和程序
公开(公告)号：JP2015084403A
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2014147020
申请日：2014-07-17
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：豊田一行 , 稲田哲明
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/455 , C23C16/509 , H05H1/46 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45561 , C23C16/345 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , C23C16/509
摘要：【課題】被処理基板の電気的ダメージを抑制する。【解決手段】基板を処理するための処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、前記処理室内に設けられ、前記基板が載置される基板載置台と、前記処理室内において前記基板載置台を駆動して前記基板を移動させる駆動部と、前記処理室内に導入された前記処理ガスのプラズマを第一の密度で生成する第一のプラズマ生成部と、前記基板の移動方向において前記第一のプラズマ生成部と隣り合うように設けられ、前記処理室内に導入された前記処理ガスのプラズマを前記第一の密度よりも低い第二の密度で生成する第二のプラズマ生成部と、を有するように基板処理装置を構成する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：抑制在处理过的基板上的电损坏。解决方案：基板处理装置包括：工艺气体引入部分，用于将处理气体引入到用于处理基板的处理室中; 衬底放置台，设置在处理室中，衬底放置在其上; 用于驱动所述基板放置台以在所述处理室中移动所述基板的驱动部; 用于产生以第一密度引入到处理室中的处理气体的等离子体的第一等离子体生产部件; 以及第二等离子体制造部件，其在所述基板的移动方向上与所述第一等离子体制造部件相邻设置，用于以低于所述第一密度的第二密度产生引入所述处理室的所述处理气体的等离子体。

19. 发明专利

JP5686996B2 プラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JP5686996B2
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：JP2010160448
申请日：2010-07-15
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：平山　昌樹 , 昌樹平山 , 大見　忠弘 , 忠弘大見
IPC分类号： C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/509 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , H01J37/32082 , H01J37/32229 , H01J37/32541

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