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12. 发明专利

JP5815967B2 基板洗浄装置及び真空処理システム有权
标题翻译：基板清洗装置和一个真空处理系统
公开(公告)号：JP5815967B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2011080098
申请日：2011-03-31
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 岩谷産業株式会社
发明人：土橋和也 , 井内健介 , 清水昭貴 , 安田健太 , 吉野裕 , 相田敏広 , 妹尾武彦
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67028 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/45587 , H01L21/67051 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67069

13. 发明专利

JP5766720B2 気相蒸着供給源のための加熱システム有权
标题翻译：为蒸镀源的加热系统
公开(公告)号：JP5766720B2
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：JP2012552425
申请日：2011-02-15
申请人：アストロンフィアムセーフティー
发明人：デュセール−ビダル, ブリューノ , ギュラルド, セドリック
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/10 , C23C14/24
CPC分类号： C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/45587

14. 发明专利

JP2015005658A 炭化珪素半導体成膜装置およびそれを用いた成膜方法有权
标题翻译：硅碳化硅半导体膜沉积装置和使用其的膜沉积方法
公开(公告)号：JP2015005658A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2013130836
申请日：2013-06-21
申请人：株式会社デンソー , Denso Corp , 一般財団法人電力中央研究所 , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 株式会社ニューフレアテクノロジー , Nuflare Technology Inc , トヨタ自動車株式会社 , Toyota Motor Corp , 株式会社豊田中央研究所 , Toyota Central R&D Labs Inc
发明人： FUJIBAYASHI HIROAKI , NAITO MASAMI , ITO MASAHIKO , KAMATA ISAO , TSUCHIDA SHUICHI , ITO HIDEKI , ADACHI AYUMI , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/325 , C23C16/45519 , C23C16/45548 , C23C16/45553 , C23C16/45574 , C23C16/45587 , C23C16/4584 , C23C16/4586 , C30B25/165 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02598 , H01L21/0262
摘要：【課題】SiC半導体におけるパーティクル発生の抑制と、膜厚および濃度の面内均一性の両立を図る。【解決手段】各分離部屋41〜43に各種ガスが別々に導入されるようにし、Si原料含有ガスとC原料含有ガスが第1、第2分離部屋41、42から延びる供給路41b、42を通じて独立して成長空間に供給されるようにする。また、第3分離部屋43から、供給路43bを通じて、Si原料含有ガスとC原料含有ガスの間に原料ガス以外のガスとなる第3ガスが導入されるようにする。これにより、供給路41b、42bの出口を出たのち、成長空間において初めて各種ガスが混じるようにできる。また、第3ガスが第1、第2ガスの間に流されることから、第1、第2ガスの拡散が低減される。このため、原料ガスが供給路41b、42b外側に拡散することを抑制でき、不要なSiC生成物が形成されることを抑制できる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了实现对SiC半导体中的颗粒产生的抑制和膜厚度和浓度的面内均匀性的解决方案。解决方案：各种气体被独立地引入各个分离的室41-43中，并且含有Si材料的气体含有C材料的气体通过从第一和第二分离室41,42延伸的供给路径41b，42而独立地供给到生长空间。作为除了材料g以外的气体的第三气体被引入含有Si材料的气体和含有C材料的气体。因此，在从供给路径41b，42b的出口排出后，在生长空间中首先将各种气体混合。由于允许第三气体在第一气体和第二气体之间流动，所以第一气体和第二气体的扩散减少。由此，可以抑制原料气体向供给通路41b，42b的外部扩散，能够抑制不必要的SiC制品的形成。

15. 发明专利

JP2014524515A The method of depositing an atomic layer on the substrate and apparatus 有权
公开(公告)号：JP2014524515A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2014524958
申请日：2012-07-30
申请人：ネーデルランツオルガニサティーフォールトゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリークオンデルズークテーエンオー
发明人：ヤーコブスヴィルヘルムスクナーペン，レイモント , オリースラヘルス，ルート , デンベルク，デニスファン , デンブール，マティスセー．ファン , ヤンマース，ディーデリク , デルドンク，ジャックコルヨハンファン , ローゼボーム，フレディ
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45589 , C23C16/4401 , C23C16/4409 , C23C16/45517 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45587 , C23C16/4586 , C23C16/4588 , C23C16/52 , C23C16/545
摘要：基板上に原子層を堆積させる方法。本方法は、回転可能ドラムの一部でありうる堆積ヘッドの前駆体ガス供給部から前駆体ガスを供給することを含む。前駆体ガス供給部から基板に向けて前駆体ガスが提供される。本方法は、基板に沿って堆積ヘッドを回転させることにより前駆体ガス供給部を移動させることをさらに含み、一方で基板は回転するドラムに沿って移動させられる。本方法は、回転軌道の第一部分にわたり前駆体ガス供給部から基板に向けて前駆体ガスを供給することと；回転軌道の第二部分にわたり前駆体ガス供給部から前駆体ガスを供給することを中断することとの間で切替えることをさらに含む。

16. 发明专利

JP5463168B2 A film forming method and film forming apparatus 有权
公开(公告)号：JP5463168B2
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：JP2010047633
申请日：2010-03-04
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：弘幸西田
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/505 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/545 , C23C16/345 , C23C16/455 , C23C16/45565 , C23C16/45587 , C23C16/45591 , C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/54 , C23C30/00 , Y10T428/24992

17. 发明专利

JP2014022458A Deposition apparatus and deposition method 有权
标题翻译：沉积装置和沉积方法
公开(公告)号：JP2014022458A
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：JP2012157728
申请日：2012-07-13
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： KATO HISASHI , MIURA SHIGEHIRO
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45508 , C23C16/45551 , C23C16/45587 , C23C16/4584
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for minimizing decrease in the in-plane uniformity of thickness due to separation gas sucked to the lower side of a current plate, in an apparatus for forming a film by revolving a substrate by means of a turntable, and supplying process gas from a process gas supply section including a gas nozzle and a current plate.SOLUTION: A current plate is installed so that the clearance from a turntable decreases from one end side, i.e., the central side of the turntable, toward the other end side, i.e., the peripheral side of the turntable, and so that the clearance at the other end is smaller than the clearance at one end 1 mm or more. Consequently, difference of entrainment of separation gas to the lower side of the current plate is reduced between the central side and peripheral side of the turntable, and decrease in the in-plane uniformity of thickness can be minimized.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于最小化由于吸入到当前板的下侧的分离气体导致的平面内均匀性的降低的技术，在用于通过转台旋转基板来形成膜的装置中并且从包括气体喷嘴和当前板的处理气体供应部分供应处理气体。解决方案：安装当前板，使得来自转盘的间隙从转台的一个端部即中间转动到另一侧另一端即旋转台的周边，另一端的间隙小于一端1mm以上的间隙。因此，分离气体与当前板的下侧的夹带差在转台的中心侧和周边之间减小，并且可以使厚度的面内均匀性降低。

18. 发明专利

JP5257328B2 Substrate processing apparatus, a substrate processing method and storage medium 有权
公开(公告)号：JP5257328B2
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：JP2009253321
申请日：2009-11-04
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：康一織戸 , 学本間 , 辰也田村
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/52 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67253 , C23C16/45502 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45587 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , Y10T137/8376

19. 发明专利

JP2013506292A Method and apparatus for high efficiency gas dissociation in the inductively coupled plasma reactor 有权
公开(公告)号：JP2013506292A
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：JP2012530921
申请日：2010-09-09
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：ロイシーナンゴイ , サラブジェートシン , ジョンシーファル , シャーマブイパマルシィ , アジャイクマル
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/45508 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45587 , C23C16/45591 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32458 , H01L21/30655 , H01L21/67069
摘要：本発明の実施形態は、改良されたプラズマ解離効率を備えたプロセスチャンバに処理ガスを供給するための方法及び装置に関する。本発明の一実施形態は、処理チャンバに接続される拡張容積を画定する外側本体を含むバッフルノズルアセンブリを提供する。処理ガスは、プラズマ生成用電源に曝露される拡張容積を通して処置チャンバへ流される。

20. 发明专利

JP2012216636A Substrate cleaning apparatus and vacuum processing system 有权
标题翻译：基板清洗装置和真空加工系统
公开(公告)号：JP2012216636A
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：JP2011080098
申请日：2011-03-31
申请人： Tokyo Electron Ltd , Iwatani Internatl Corp , 岩谷産業株式会社 , 東京エレクトロン株式会社
发明人： DOBASHI KAZUYA , INOUCHI KENSUKE , SHIMIZU AKITAKA , YASUDA KENTA , YOSHINO YUTAKA , AIDA TOSHIHIRO , SENOO TAKEHIKO
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67028 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/45587 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67051 , H01L21/67069
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique for cleaning an unnecessary part on a periphery of a substrate well while inhibiting an adverse effect on an effective region of the substrate.SOLUTION: A wafer W on which needle-like projections T are generated on a surface side bevel part and a complex compound P adheres to a rear face side bevel part by being exposed in an etching process is placed on a rotary stage in a vacuum chamber. In the vacuum chamber, gas cluster nozzles are provided on an above side and a below side of the wafer W and by irradiating clusters C of a cleaning gas corresponding to cleaning processing from the nozzles to the bevel parts on the surface side and the rear face side of the wafer W, the needle-like projections T and the complex compound P are removed due to a physical action caused by collision of the gas clusters C and a chemical action occurring between the gas and a removal target portion. Further, by discharging a purge gas on an irradiated place of the gas clusters C, reattachment of a scattering object caused by cleaning to the wafer W is prevented.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于在抑制对基板的有效区域的不利影响的同时清洁基板周边的不必要部分的技术。解决方案：通过在蚀刻工艺中暴露而在表面侧斜面部分上产生针状突起T的晶片W和通过暴露在蚀刻工艺中的复合化合物P附着到后侧侧斜面部分被放置在旋转台上一个真空室。在真空室中，在晶片W的上侧和下侧设置有气体簇喷嘴，并且通过将来自喷嘴的清洗处理对应的清洗气体的簇C照射到表面侧和后面的斜面部由于由气体簇C的碰撞引起的物理作用和在气体与除去目标部分之间发生的化学作用，因此移除了晶片W的侧面，针状突起T和配合物P。此外，通过在气体簇C的照射位置排出吹扫气体，防止了由清洗引起的散射物体重新附着在晶片W上。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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