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11. 发明专利

JP2017508713A 非常に小さいＣＴＥ勾配を有するホウ素ドープチタニア−シリカガラス审中-公开
公开(公告)号：JP2017508713A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2016575614
申请日：2015-03-12
申请人：コーニングインコーポレイテッド , コーニングインコーポレイテッド
发明人：アナマライ，セジアン , アルベルトデュラン，カルロス , アルベルトデュラン，カルロス , エドワードハルディナ，ケネス , エドワードハルディナ，ケネス
IPC分类号： C03C3/089 , C03B20/00 , C03C3/06 , C03C3/091
CPC分类号： C03C3/06 , C03B25/02 , C03C3/089 , C03C3/091 , C03C3/097 , C03C3/115 , C03C2201/10 , C03C2201/42 , C03C2203/40 , C03C2203/52 , G03F1/22 , G03F1/60
摘要： 0.1重量%〜8.0重量%のホウ素、9.0重量%〜16.0重量%のTiO2及び76.0重量%〜90.9重量%のSiO2を含有するホウ素ドープチタニア−シリカガラス。ガラスはさらにF、Nb、Ta、Al、Li、Na、K、Ca及びMgを、個々にまたは2つ以上の組合せで、4重量%までのレベルで含有することができる。ガラスは10ppmより高いOH濃度を有することができる。ガラスは1ppb/K2より小さい20℃におけるCTE勾配を特徴とする。ガラスの仮想温度は825℃より低く、ガラスのピークCTEは30ppb/Kより小さい。ガラスは2つのクロスオーバー温度及び、それにわたってCTEがゼロに近い、広い温度区間を有する。少なくとも50cm3の体積にわたるそれぞれのクロスオーバー温度のその平均値に対する一様性は±5℃内である。

12. 发明专利

JPWO2015022966A1 低散乱シリカガラスおよびシリカガラスの熱処理方法审中-公开
标题翻译：低散射石英玻璃和石英玻璃的热处理方法
公开(公告)号：JPWO2015022966A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015531827
申请日：2014-08-12
申请人：旭硝子株式会社
发明人：円佳小野 , 節郎伊藤 , 脩本間 , 陽介網野
IPC分类号： C03C3/06 , C03B20/00 , C03B25/02 , G02B6/02 , G03F1/60 , G03F7/20
CPC分类号： C03B25/02 , C03B19/1453 , C03B32/005 , C03B37/02727 , C03B2201/04 , C03B2201/075 , C03B2201/31 , C03B2201/42 , C03B2205/56 , C03C3/06 , Y02P40/57
摘要：光通信用ファイバの材料に好適な低散乱シリカガラスを提供する。仮想温度が1000℃以上であって、陽電子消滅寿命法によって観測される空隙半径が0.240nm以下であるシリカガラス。熱処理されるシリカガラスを1200℃以上2000℃以下の温度、かつ30MPa以上の圧力の雰囲気下に保持し、ついで冷却する際に、1200℃から900℃までの温度範囲を、40℃/分以上の平均降温速度で冷却するシリカガラスの熱処理方法。熱処理されるシリカガラスを1200℃以上2000℃以下の温度、かつ140MPa以上の圧力の雰囲気下に保持し、ついで冷却する際に、1200℃から900℃までの温度範囲を、140MPa以上の圧力の雰囲気下に冷却するシリカガラスの熱処理方法。
摘要翻译：提供一种用于光通信纤维合适的低散射的二氧化硅玻璃材料。 A为1000℃或更高的温度虚拟，二氧化硅玻璃孔隙半径小于由正电子湮没寿命谱观察到0.240nm。热由石英玻璃处理1200℃以上2000℃以下的温度，并且保持的压力的气氛下高于30兆帕，然后冷却的时间，该温度范围从1200℃至900℃，40℃/ min或更高石英玻璃的热处理方法的平均降温速度冷却。热由石英玻璃处理1200℃以上2000℃以下的温度，并保持高于140兆帕，然后冷却的时间，该温度范围从1200℃至900℃，压力为140MPa以上的大气压力的气氛下石英玻璃的热处理方法进行冷却。

13. 发明专利

JP2015526383A ガラス片のカットエッジのエッジ処理审中-公开
标题翻译：玻璃片的切割边缘的边缘处理
公开(公告)号：JP2015526383A
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：JP2015529987
申请日：2013-08-28
申请人：コーニングインコーポレイテッド , コーニングインコーポレイテッド
发明人：エスバルコム，ロビン , エスバルコム，ロビン , ダグラスマイルズノニ，ジュニア , ダグラスマイルズノニ，ジュニア , グラハムスクワイア，ゲイリー , グラハムスクワイア，ゲイリー , マリーヴィレーノ，エリザベス , マリーヴィレーノ，エリザベス , リーワッソン，ケヴィン , リーワッソン，ケヴィン
IPC分类号： C03C21/00
CPC分类号： C03C21/002 , C03B25/02 , C03B27/04 , C03B29/02 , C03C21/008 , C03C23/007
摘要：熱源および冷却システムを有する、ガラスシートのカットエッジをエッジ処理するための装置および方法が提供される。該ガラス片は、アクティブ領域および空縁部を有している。該熱源は、該空縁部に熱を向けて、該化学強化ガラス片の空縁部の温度を、350℃〜600℃まで上昇させるように配置される。該冷却システムは、該ガラス片のアクティブ領域の温度を250℃未満に維持する。くわえて、該冷却システムは、該ガラス片のアクティブ領域に熱結合されているヒートシンクアセンブリを含む。
摘要翻译：具有用于边缘加工玻璃板的切割边缘的热源和冷却系统，装置和方法被提供。玻璃片具有有源区和Soraen单元。朝向热到空气边缘热源，化学的空气边缘的温度强化玻璃件被布置成提高到350℃至600℃.. 冷却系统保持玻璃碎片的活性区域的，以小于250℃的温度下.. 另外，该冷却系统包括热耦合到所述玻璃件的有源区中的散热器组件。

14. 发明专利

JP2015155362A 合成石英ガラスの熱処理方法有权
标题翻译：热处理合成石英玻璃的方法
公开(公告)号：JP2015155362A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：JP2014031479
申请日：2014-02-21
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：八木寿 , 竹内正樹 , 原田大実
IPC分类号： C03B20/00
CPC分类号： C03B25/02 , C03B19/1453 , C03B32/00 , C03B2201/23
摘要：【解決手段】OH基濃度の最大値と最小値の差(ΔOH)が350ppm未満である合成石英ガラスを 1150〜1060℃にて一定時間保持する第1の熱処理工程と、第2の熱処理温度まで一定速度で冷却する冷却工程と、 1030〜950℃にて一定時間保持する第2の熱処理工程と、 −25〜−85℃/hrの速度で徐冷する工程とを含む合成石英ガラスの熱処理方法であって、前記第2の熱処理工程時間が5時間以上である合成石英ガラスの熱処理方法。【効果】本発明によれば、2段階の熱処理を行うことにより、ArFエキシマレーザ用光学部材としてレーザの照射を受ける有効範囲内において好適な低複屈折率の合成石英ガラスを得ることができる。【選択図】なし
摘要翻译：用于热处理具有最小/最小差（OH）小于350ppm的羟基浓度的合成石英玻璃的方法包括以下步骤：首先热处理在1,150-160℃下保持0.5-10分钟小时，以-7℃/小时的速度冷却至第二热处理温度至-30℃/小时，在1030-950℃保持5-20小时的第二次热处理和退火以-25℃/小时至-85℃/小时的速率。两个阶段的热处理确保玻璃具有低双折射率。用于热处理具有至少350ppm的最大/最小差异（“OH”）的羟基浓度的合成石英玻璃的方法包括第一和第二热处理和退火，其中第二热处理的持续时间为10至15 小时

15. 发明专利

JPWO2012118175A1 光学用セラミック材料の熱処理装置、光学用セラミック材料の熱処理方法、合成石英ガラスの熱処理方法、光学系の製造方法、および露光装置の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012118175A1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：JP2013502412
申请日：2012-03-02
申请人：株式会社ニコン
发明人：雄太原 , 雄太原
IPC分类号： C03B20/00
CPC分类号： C03B25/02 , C03B29/02 , C03B32/02 , C04B35/64 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , G02B1/02 , Y10T29/49826
摘要：光学用セラミック材料の熱処理装置は、熱処理すべき光学用セラミック材料を内部に収容する炉体と、熱処理すべき光学用セラミック材料を降温する際に、降温速度を制御するために発熱させる降温制御ヒーターと、炉体の内部に冷媒を流動させるために冷媒を導入する冷媒導入部と、降温速度を制御するための制御部と、を有し、降温制御ヒーターは、炉体の内部または/および前記冷媒導入部に配置され、制御部は、降温制御ヒーターの発熱量と、炉体の内部における冷媒の流量の少なくとも一方を制御して、熱処理すべき光学用セラミック材料またはその近傍における降温速度を予め定められたパターンに保つように制御する。

16. 发明专利

JP4563230B2 Method of manufacturing the AlGaN substrate 有权
公开(公告)号：JP4563230B2
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：JP2005092079
申请日：2005-03-28
申请人：昭和電工株式会社
发明人：章坂東 , 浩天野
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/34
CPC分类号： C03B25/02 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , Y10S117/915

17. 发明专利

JP2008285400A Method of producing optical component of synthetic quartz glass with enhanced radiation resistance, and blank for producing the component 有权
标题翻译：生产具有增强耐辐射电阻的合成石英玻璃的光学元件的方法和用于生产组件的空白
公开(公告)号：JP2008285400A
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：JP2008100081
申请日：2008-04-08
申请人： Heraeus Quarzglas Gmbh & Co Kg , Shinetsu Quartz Prod Co Ltd , ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフトHeraeus Quarzglas GmbH & Co. KG , 信越石英株式会社
发明人： KUEHN BODO , KAISER STEFFEN , KASSUBE DENIS , MERGET KERSTIN
IPC分类号： C03B20/00 , G03F1/14 , H01L21/027
CPC分类号： C03B25/02 , C03B19/1453 , C03B32/00 , C03B2201/075 , C03B2201/21 , C03C3/06 , C03C4/0085 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2203/42 , C03C2203/52 , Y02P40/57
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical component of synthetic quartz glass optimized with respect to compaction and central birefringence.
SOLUTION: The production method for an optical component of synthetic quartz glass includes subjecting a quartz glass blank to a multistage annealing treatment comprising the processes of: (a) a first treatment phase during which the quartz glass blank is treated in an upper temperature range between 1,130°C and 1,240°C; (b) cooling the quartz glass blank at a first-higher-mean cooling rate to a quenching temperature below 1,100°C, a fictive temperature with a high mean value of 1,100°C or more being reached in the quartz glass; and (c) a second treatment phase which comprises cooling of the quartz glass blank at a second-lower-mean cooling rate, and in which the quartz glass blank is treated in a lower temperature range between 950°C and 1,100°C such that a fictive temperature is reached in the quartz glass with a low mean value which is at least 50°C lower than the high mean value of the fictive temperature according to the process (b).
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供在压实和中心双折射方面优化的合成石英玻璃的光学部件。解决方案：合成石英玻璃的光学部件的制造方法包括对石英玻璃坯料进行多阶段退火处理，包括以下工序：（a）第一处理阶段，石英玻璃坯料在上部处理温度范围介于1130°C至1240°C之间; （b）将第一高平均冷却速度的石英玻璃坯料冷却至1100℃以下的淬火温度，在石英玻璃中达到1100℃以上的高平均值的假想温度; 和（c）第二处理阶段，其包括以第二低平均冷却速度冷却石英玻璃坯料，并且其中石英玻璃坯料在950℃至1100℃之间的较低温度范围内处理，使得根据方法（b），石英玻璃中的低温平均值比假想温度的平均值低至少50℃。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

18. 发明专利

JP2007261942A Optical synthetic quartz glass 审中-公开
标题翻译：光学合成石英玻璃
公开(公告)号：JP2007261942A
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：JP2007137062
申请日：2007-05-23
申请人： Shinetsu Quartz Prod Co Ltd , 信越石英株式会社
发明人： OSHIMA TAKAYUKI , FUJINOKI AKIRA
IPC分类号： C03B20/00 , C03B8/04 , C03B25/02 , G02B1/02
CPC分类号： C03B32/00 , C03B20/00 , C03B25/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide optical synthetic quartz glass which is ≤0.25 nm/cm in birefringence in optical transmission direction and is satisfactory in refractive index distribution.
SOLUTION: The optical synthetic quartz glass is manufactured by a method for manufacturing the optical synthetic quartz glass using an annealing furnace for heat treating the circular columnar-form optical synthetic quartz glass having top and bottom surfaces as light transmitting surfaces. The optical synthetic quartz glass is manufactured by giving a temperature difference of 1 to 20°C between the temperature on the light transmission surface of an optical synthetic quartz glass preform and the temperature of an outer peripheral surface of the optical synthetic quartz glass preform and making the temperature fall rate respectively at 2 to 50°C/h in the process of raising the temperature of the columnar-form optical synthetic quartz glass preform to 800 to 1,200°C and holding the temperature for a specified time, then making the temperature fall, in which the birefringence in the light transmission direction is controlled to be made into ≤0.25 nm/cm and/or the refractive index distribution Δn into ≤2x10
-6 .
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供在光传输方向上双折射≤0.25nm/ cm的光学合成石英玻璃，并且折射率分布令人满意。解决方案：光学合成石英玻璃通过使用退火炉来制造光学合成石英玻璃的方法制造，所述退火炉用于热处理具有顶表面和底表面的圆柱形光学合成石英玻璃作为透光表面。光学合成石英玻璃通过在光学合成石英玻璃预制棒的透光表面上的温度与光学合成石英玻璃预制件的外周表面的温度之间产生1至20℃的温度差来制造，并使在将柱状光学合成石英玻璃预制件的温度升高到800〜1,200℃，保持规定时间的温度的过程中，温度下降率分别为2〜50℃/ h，然后使温度下降其中光透射方向上的双折射被控制为≤0.25nm/ cm和/或折射率分布Δn变为≤2×10 -6 -6 。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

19. 发明专利

JP2006273618A AlGaN SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD 有权
标题翻译： AlGaN衬底及其制造方法
公开(公告)号：JP2006273618A
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：JP2005092079
申请日：2005-03-28
申请人： Showa Denko Kk , 昭和電工株式会社
发明人： AMANO HIROSHI , BANDO AKIRA
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/34
CPC分类号： C03B25/02 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , Y10S117/915
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an Al x Ga 1-x N (0≤x≤1) substrate which is used for manufacturing a group III nitride semiconductor device. SOLUTION: An Al x Ga 1-x N (0≤x≤1) layer is formed on a base material using one of sapphire, SiC, Si, ZnO and Ga 2 O 3 as the base material by an MOCVD method and then the Al x Ga 1-x N (0≤x≤1) substrate is manufactured by removing the base material under the conditions that growing velocity is 5 μm/hour or higher, the V/III ratio in a raw material is 1,000 or less and the temperature of film formation is 1,200°C or higher. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供用于制造III族氮化物半导体的Al x Ga 1-x N（0≤x≤1）设备。解决方案：使用蓝宝石，SiC，Si等中的一种，在基材上形成Al（SB）x Ga 1-x N（0≤x≤1）通过MOCVD法将ZnO和Ga O 3 作为基材，然后再将Al x SB > N（0≤x≤1）基板是通过在生长速度为5μm/小时以上，原料的V / III比为1000以下的条件下除去基材而成膜，成膜温度为1200℃以上。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

20. 发明专利

JP6372011B2 低散乱シリカガラスおよびシリカガラスの熱処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP6372011B2
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：JP2015531827
申请日：2014-08-12
申请人： AGC株式会社
发明人：小野円佳 , 伊藤節郎 , 本間脩 , 網野陽介
IPC分类号： C03B25/02 , C03B20/00 , G02B6/02 , G03F1/60 , G03F7/20 , C03C3/06
CPC分类号： C03B25/02 , C03B19/1453 , C03B32/005 , C03B37/02727 , C03B2201/04 , C03B2201/075 , C03B2201/31 , C03B2201/42 , C03B2205/56 , C03C3/06 , Y02P40/57

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