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11. 发明专利

JP5814898B2 磁気抵抗効果素子、およびその製造方法有权
标题翻译：磁阻元件，以及它们的制造方法
公开(公告)号：JP5814898B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2012229737
申请日：2012-10-17
申请人：株式会社東芝 , TDK株式会社
发明人：藤慶彦 , 福澤英明 , 湯浅裕美 , 張坤亮 , 李民 , 原通子 , 黒崎義成
IPC分类号： H01L43/10 , H01L21/8246 , H01L27/105 , G11B5/39 , H01L43/08

12. 发明专利

JP6054479B2 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、磁気メモリ、磁界センサ有权
标题翻译：磁阻效应元件，磁头，磁记录和再现装置，磁存储器，磁场传感器
公开(公告)号：JP6054479B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2015131471
申请日：2015-06-30
申请人：株式会社東芝 , TDK株式会社
发明人：藤慶彦 , 福澤英明 , 湯浅裕美 , 張坤亮 , 李民 , 原通子 , 黒崎義成
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12 , G11B5/39

13. 发明专利

JP2016054254A 熱電変換素子审中-公开
标题翻译：热电转换元件
公开(公告)号：JP2016054254A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2014180207
申请日：2014-09-04
申请人：株式会社東芝
发明人：湯浅裕美 , 門昌輝
IPC分类号： H01L37/00 , H02N11/00 , H01L29/82
CPC分类号： H01L37/00
摘要：【課題】フレキシブル性と高い発電効率を兼ね備えた熱電変換素子の提供。【解決手段】基板10と、基板10上に設けられ、磁化が一方向に固定された絶縁性の強磁性層20と、強磁性層20上に設けられた非磁性の金属層30と、を備える熱電変換素子。基板20は、熱伝導率が0.15W/Km以上1.5W/Km以下、ヤング率が0.2Gpa以上7Gpa以下、且つ膜厚が100μm以下の有機系材料からなることを特徴とする。本構成によれば、フレキシブル性と高い発電効率を兼ね備えた熱電変換素子を提供することができる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供具有灵活性和高发电效率的热电转换元件。解决方案：热电转换元件包括：基板10; 设置在基板10上并具有沿一个方向固定的磁化的绝缘铁磁层20; 以及设置在铁磁性层20上的非磁性金属层30.基板10由热导率为0.15〜1.5W / Km（含有率），杨氏模量为0.2〜7GPa的有机材料形成，膜厚为 100μm以下。根据该结构，能够提供具有灵活性和高发电效率的热电转换元件

14. 发明专利

JP2015212996A 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、磁気メモリ有权
标题翻译：磁电效应元件，磁阻效应元件，磁头，磁记录/再现装置和磁记忆的制造方法
公开(公告)号：JP2015212996A
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：JP2015131471
申请日：2015-06-30
申请人：株式会社東芝 , TDK株式会社
发明人：藤慶彦 , 福澤英明 , 湯浅裕美 , 張坤亮 , 李民 , 原通子 , 黒崎義成
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12 , G11B5/39
摘要：【課題】CCP−CPP素子のMR変化率を向上させる。【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層とを備える磁気抵抗効果素子において、前記磁化自由層の層中、並びに前記磁化自由層及び前記スペーサ層の界面の少なくとも一か所に、Si、Mg、及びBから選択されFeよりも酸化物生成自由エネルギーが低い元素を少なくとも一つ含む機能層を設ける。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高CCP-CPP元件的MR变化率。解决方案：磁阻效应元件包括：磁化固定层，其中磁化在一个方向上基本上固定; 磁化自由层，其与磁化固定层相对地形成，并且其中磁化相对于外部磁场变化; 布置在磁化固定层和磁化自由层之间的间隔层，并且包括具有绝缘层和引起电流沿着层方向流过绝缘层的导体的电流收缩层; 以及在所述磁化自由层和所述磁化自由层与所述间隔层之间的边界面中的至少一个中含有选自Si，Mg和B中的至少一种元素并且具有比Fe低的氧化物产生自由能的功能层。

15. 发明专利

JP5711705B2 圧力検知素子及びその製造方法有权
标题翻译：压力感测装置及其制造方法
公开(公告)号：JP5711705B2
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2012198996
申请日：2012-09-10
申请人：株式会社東芝
发明人：湯浅裕美 , 福澤英明 , 藤慶彦 , 原通子 , 東祥弘 , 永田友彦 , 堀昭男
IPC分类号： H01L43/08 , H01L29/84 , G01L1/12
CPC分类号： G01L9/0051 , G01L1/125 , G01L9/16 , H01L41/125

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