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热词
    • 1. 发明专利
    • 熱電変換素子
    • 热电转换元件
    • JP2015170836A
    • 2015-09-28
    • JP2014047304
    • 2014-03-11
    • 株式会社東芝
    • 門 昌輝上口 裕三湯浅 裕美
    • H01L37/00H01L35/34H02N11/00H01L29/82
    • H01L37/00
    • 【課題】熱電変換効率を向上させることができる熱電変換素子を提供する。 【解決手段】熱電変換素子は、基体と、絶縁強磁性層と、非磁性金属層とを備える。絶縁強磁性層は、基体の上方に形成され所定の方向に固定された磁化を有する。この絶縁強磁性層の表面には、絶縁強磁性層の表面に沿う方向に延びるように少なくとも1つの溝が形成される。非磁性金属層は、溝の壁面を含む絶縁強磁性層の上方に、溝の形状に沿って形成される。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供一种能够提高热电转换效率的热电转换元件。解决方案:热电转换元件包括基板,绝缘铁磁层和非磁性金属层。 绝缘铁磁层形成在基板上方并且具有沿预定方向固定的磁化。 在绝缘铁磁层的表面上形成至少一个凹槽,以沿着绝缘铁磁层的表面的方向延伸。 非磁性金属层沿着绝缘铁磁层上方的凹槽的形状形成,包括凹槽的壁表面。
    • 3. 发明专利
    • 磁気記録装置
    • 磁记录装置
    • JP2015109134A
    • 2015-06-11
    • JP2015049355
    • 2015-03-12
    • 株式会社東芝
    • 福澤 英明湯浅 裕美
    • G11B5/02G11B5/66G11B5/65G11B5/39G11B5/31
    • 【課題】磁気記録装置における多層記録・多値記録を実現する解決手段を提供する。 【解決手段】実施形態の磁気記録装置は、第1の磁気共鳴周波数を有する第1の記録層と、前記第1の記録層に積層され、かつ前記第1の磁気共鳴周波数と異なる第2の磁気共鳴周波数を有する第2の記録層と、を含む磁気記憶媒体と、前記磁気記録媒体に対して情報を多値で書き込むための磁気記録ヘッドと、前記磁気記録媒体から前記情報を多値で読み取るための磁気再生ヘッドとを具え、前記磁気記録ヘッドは、前記第1および前記第2の記録層に対して前記情報の書き込みを磁気的にアシストする高周波発振素子を含み、前記高周波発振素子は、前記第1および前記第2の磁気共鳴周波数それぞれに対応する第1および第2の発振周波数を切り替えて、前記磁気記録媒体に印加することにより、前記第1および前記第2の記録層いずれか一方の磁化を変化させる、 【選択図】図8
    • 要解决的问题:提供允许多层记录和多值记录的磁记录装置。解决方案:磁记录装置包括:磁记录介质,包括具有第一磁共振频率的第一记录层和堆叠的第二记录层 在第一记录层上并具有与第一磁共振频率不同的第二磁共振频率; 用于将多值信息写入磁记录介质的磁记录头; 以及用于从磁记录介质读取多值信息的磁再现头。 磁记录头包括在写入信息时磁辅助第一和第二记录层的高频振荡元件。 高频振荡元件分别对应于第一和第二磁共振频率切换第一振荡频率和第二振荡频率,并将频率施加到磁记录介质,从而改变第一和第二记录层中的任一个的磁化。
    • 8. 发明专利
    • 圧力センサ及びマイクロフォン
    • 压力传感器和麦克风
    • JP2015064375A
    • 2015-04-09
    • JP2014245558
    • 2014-12-04
    • 株式会社東芝
    • 福澤 英明江波戸 明彦西村 修原 通子湯浅 裕美藤 慶彦紀伊 雅之藤澤 栄蔵
    • G01L9/16
    • 【課題】高感度の圧力センサ及びマイクロフォンを提供する。 【解決手段】実施形態によれば、基体と、基体の上に設けられたセンサ部と、を備えた圧力センサが提供される。センサ部は、トランスデュース薄膜と、第1、第2歪検知素子と、を含む。トランスデュース薄膜は、膜面を有し可撓性である。第1歪検知素子は、膜面上において膜面の重心とは異なる位置に設けられる。第1歪検知素子は、第1、第2磁性層と、それらの間に設けられた非磁性の第1中間層と、を含む。第2歪検知素子は、膜面上において第1歪検知素子と離間し重心とは異なる位置に設けられる。第2歪検知素子は、第3第4磁性層と、それらの間に設けられた非磁性の第2中間層と、を含む。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供具有高灵敏度的压力传感器和麦克风。解决方案:压力传感器包括基板和设置在基板上的传感器部分。 传感器部分包括传感薄膜以及第一和第二应变传感器元件。 换能薄膜具有膜表面并且是柔性的。 第一应变传感器元件设置在与膜表面上的膜表面的重心不同的位置。 第一应变传感器元件包括第一和第二磁性层以及设置在它们之间的第一非磁性中间层。 第二应变传感器元件设置在与第一应变传感器元件分离并且不同于膜表面上的重心的位置处。 第二应变传感器元件包括第三和第四磁性层以及设置在它们之间的第二非磁性中间层。