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11. 发明专利

JP2015173393A 撮像装置及び電子機器有权
标题翻译：成像设备和电子设备
公开(公告)号：JP2015173393A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2014048853
申请日：2014-03-12
申请人：株式会社リコー
发明人：米田和洋 , 渡辺博文 , 根来宝昭 , 愛須克彦 , 中谷寧一 , 桜野勝之
IPC分类号： H04N5/369 , H01L31/10 , H01L27/146 , H04N5/355
CPC分类号： H04N5/374 , H04N5/35527
摘要：【課題】従来技術に比較してダイナミックレンジを大幅に拡大させることができる撮像装置を提供する。【解決手段】本発明の撮像装置は、入射光を光電変換して信号電荷を生成し、当該信号電荷を蓄積増幅して光電流を出力する光電変換素子を備えた撮像装置であって、前記光電変換素子にて蓄積された第1の信号電荷が蓄積できる電荷の限界値であるしきい値を超えた場合の出力信号に、前記光電変換素子にて蓄積された信号電荷の読み出し時間中に前記光電変換素子にて受光し信号電荷に変換された第2の信号電荷の出力信号が含まれるように構成した。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种与现有技术相比可以显着延长动态范围的成像装置。本发明的成像装置包括光电转换元件，其对入射光进行光电转换以产生信号电荷并积累和放大所述信号充电以输出光电流，并且被配置为：当输出信号已经超过其中可以在光电转换元件中累积第一信号电荷的电荷的限制值的阈值时，输出信号可以包括在读取在光电转换元件中积累的信号电荷的周期期间接收到入射光之后由光电转换元件转换的第二信号电荷的输出信号。

12. 发明专利

JP6589275B2 信号処理装置及び方法、並びに撮像装置有权
公开(公告)号：JP6589275B2
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：JP2014259292
申请日：2014-12-22
申请人：株式会社リコー
发明人：中谷寧一 , 愛須克彦 , 根来宝昭 , 上田佳徳 , 米田和洋 , 桜野勝之 , 渡辺博文
IPC分类号： H04N5/378

13. 发明专利

JP6281297B2 フォトトランジスタ、及び半導体装置有权
公开(公告)号：JP6281297B2
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：JP2014012762
申请日：2014-01-27
申请人：株式会社リコー
发明人：根来宝昭 , 三木芳彦 , 桜野勝之 , 津田敬二 , 渡辺博文
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L27/1443 , H01L27/14681 , H01L31/02019

14. 发明专利

JP6263914B2 撮像装置、撮像装置の駆動方法、および、カメラ有权
公开(公告)号：JP6263914B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2013187663
申请日：2013-09-10
申请人：株式会社リコー
发明人：根来宝昭 , 渡辺博文 , 愛須克彦 , 米田和洋 , 桜野勝之
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/243 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/3559 , H01L27/14612 , H01L27/14638 , H01L27/14681 , H01L27/148 , H04N5/35509 , H04N5/3745 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H04N5/772 , H04N5/907

15. 发明专利

JP6086648B2 フォトトランジスタおよび撮像装置有权
标题翻译：光电晶体管和成像设备
公开(公告)号：JP6086648B2
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：JP2012054240
申请日：2012-03-12
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社リコー
发明人：根来宝昭 , 渡辺博文 , 林豊 , 太田敏隆 , 永宗靖
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/14681 , H01L27/14683 , H01L29/73 , H01L31/1105 , H01L29/739

16. 发明专利

JP5970763B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5970763B2
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2011202267
申请日：2011-09-15
申请人：株式会社リコー
发明人：根来宝昭
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/331

17. 发明专利

JP2015135944A 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015135944A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：JP2014174192
申请日：2014-08-28
申请人：株式会社リコー
发明人：桜野勝之 , 根来宝昭 , 愛須克彦 , 米田和洋 , 中谷寧一 , 渡辺博文 , 上田佳徳
IPC分类号： H01L21/76 , H01L31/08 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/1136 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/14689
摘要：【課題】深溝から引き出されて形成されたゲート電極による段差が低減された半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】複数の光電変換素子が配列された半導体基板の垂直方向に溝を形成する溝形成工程と、前記溝の内壁に酸化膜を形成した後に第1の導電体材料を埋め込み、当該溝およびその上部に亘って第1の導電体材料層を形成する第1の導電体材料層形成工程と、前記第1の導電体材料層のうち、前記溝に埋め込まれた第1の導電体部分以外の第1の導電体材料層部分を除去して第1の導電体を形成する第1の導電体形成工程と、前記第1の導電体の上部に、当該第1の導電体と導通してなる上部ゲート電極を形成する上部ゲート電極形成工程と、を備えることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种降低由从深沟槽引出形成的栅电极引起的电平差的半导体制造方法。解决方案：半导体器件制造方法包括：在半导体中形成沟槽的沟槽形成工艺在其上布置有多个光电转换元件的垂直方向的基板; 第一导体材料层形成工艺，其在沟槽的内壁上形成氧化膜之后，在沟槽中嵌入第一导体材料，以在沟槽中和沟槽上形成第一导体材料层; 第一导体形成工艺，除去嵌入每个沟槽中的第一导体部分之外的第一导体材料层的第一导体材料层部分以形成第一导体; 以及分别在第一导体上形成与第一导体电导电的上栅电极的上栅电极形成工艺。

18. 发明专利

JP6586793B2 光電変換装置及び画像生成装置有权
公开(公告)号：JP6586793B2
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：JP2015131277
申请日：2015-06-30
申请人：株式会社リコー
发明人：愛須克彦 , 中谷寧一 , 米田和洋 , 根来宝昭 , 上田佳徳 , 桜野勝之
IPC分类号： H01L31/10 , H04N5/374 , H04N5/341

19. 发明专利

JP6578658B2 光電変換装置及び画像生成装置並びに光電変換装置の出力の補正方法有权
公开(公告)号：JP6578658B2
公开(公告)日：2019-09-25
申请号：JP2015000516
申请日：2015-01-05
申请人：株式会社リコー
发明人：愛須克彦 , 渡辺博文 , 根来宝昭 , 上田佳徳 , 中谷寧一 , 米田和洋 , 桜野勝之
IPC分类号： H04N5/378 , H03M1/10 , H03M1/06 , H04N5/357

20. 发明专利

JP6238333B2 増幅形光電変換素子のゲイン可変方法、およびゲイン可変光電変換素子有权
公开(公告)号：JP6238333B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2013057133
申请日：2013-03-19
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社リコー
发明人：林豊 , 米田和洋 , 渡辺博文 , 愛須克彦 , 根来宝昭 , 太田敏隆 , 永宗靖
IPC分类号： H03F3/08 , H04N5/335 , H03G3/10
CPC分类号： H01L27/14681 , H04N5/243 , H04N5/3745

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