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1. 发明专利

JP6362527B2 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6362527B2
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：JP2014247337
申请日：2014-12-05
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：岩崎敏文
IPC分类号： H04N5/374 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14614 , H01L27/1462 , H01L27/14689

2. 发明专利

JP6326487B2 CMOS画像センサ用のゲート制御型電荷変調デバイス有权
公开(公告)号：JP6326487B2
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：JP2016521846
申请日：2014-06-20
申请人：ストレイティオ, インコーポレイテッド , STRATIO, INC.
发明人：ジェヒュンリー , ヨルナ , ヨンシクキム , ウーシクジュン
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/1136 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14649 , H01L27/14689 , H01L31/1804 , H04N5/361 , H04N5/378

3. 发明专利

JP2018026434A 固体撮像素子及び電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2018026434A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2016156735
申请日：2016-08-09
申请人：ソニー株式会社
发明人：石井俊輔
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/37455 , H01L27/146 , H01L27/14614 , H01L27/14643 , H04N5/3572 , H04N5/3696
摘要：【課題】ノイズ特性や感度特性を犠牲にすることなく行えるシェーディング補正を実現する。【解決手段】二次元配列され、フォトダイオードで発生する電子に応じたアナログ電圧をそれぞれ出力する複数の画素と、前記画素が出力するアナログ電圧をデジタル信号に変換するAD変換部と、を備え、複数の前記画素を構成する第1画素と第2画素との間で、前記フォトダイオードが出力する単位量電子を前記アナログ電圧へ変換する変換効率が相違する、ことを特徴とする固体撮像素子。【選択図】図7

4. 发明专利

JP6279332B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6279332B2
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：JP2014009003
申请日：2014-01-21
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：山本有紀 , 西田征男 , 山下朋弘
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/76897 , H01L27/10876 , H01L27/14609 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14641 , H01L27/14812 , H01L27/14831 , H01L27/14887 , H01L29/1091 , H01L29/42396

5. 发明专利

JP2017195330A 撮像素子、撮像システム、および撮像素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017195330A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2016086156
申请日：2016-04-22
申请人：キヤノン株式会社
发明人：高田佳明 , 岩根正晃 , 河野祥士 , 福田浩一 , 斎藤潤一 , 高尾友美
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/365 , H01L21/265 , G02B7/34 , G03B13/36 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/3696 , G02B7/34 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H04N9/045 , H04N2209/045
摘要：【課題】瞳分割位相差方式の固体撮像素子に対しておいて、撮像特性を劣化させることなく、短瞳距離レンズの高入射角光に対する焦点検出精度を向上する。【解決手段】撮像素子は、分離帯により互いに分離され、第1の方向に沿って並ぶ複数の光電変換部、および、複数の光電変換部の電荷を転送する複数の転送ゲートをそれぞれが有する複数の画素を備えた、第1の画素群および第2の画素群を備える。第1の画素群を構成する画素内における分離帯の少なくとも一部の位置と、第2の画素群を構成する画素内における分離帯の少なくとも一部の位置とは、第1の方向にずれている。複数に分離された光電変換部が平面視において複数の転送ゲートに重なる部分の幅はそれぞれ等しい。【選択図】図4

6. 发明专利

JP2017163139A 撮像装置、モジュール、および電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2017163139A
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：JP2017037883
申请日：2017-03-01
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：池田隆之
IPC分类号： H01L29/786 , H04N5/374 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14616 , H01L27/14614 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H04N5/2353 , H04N5/353 , H04N5/378
摘要：【課題】撮像データに対応する電荷の転送効率が高い撮像装置を提供する。【解決手段】第1乃至第5の導電体と、第1および第2の絶縁体と、酸化物半導体と、光電変換素子と、トランジスタと、を有する撮像装置。第1の導電体は第1の絶縁体の下面および側面と接し、第1の絶縁体は酸化物半導体の下面と接し、酸化物半導体は第2および第3の導電体、および第2の絶縁体の下面と接し、第2の導電体および第3の導電体は第2の絶縁体の下面および側面と接し、第2の絶縁体は第4および第5の導電体の下面と接する。第1の導電体は第4および第5の導電体と重なる領域を有し、第2の導電体は第4の導電体と重なる領域を有し、第3の導電体は第5の導電体と重なる領域を有する。第2の導電体は光電変換素子の一方の電極と電気的に接続され、第3の導電体はトランジスタのゲートと電気的に接続される。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2017153074A 撮像装置および電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2017153074A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2017026866
申请日：2017-02-16
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：黒川義元
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/14 , H01L29/786 , H04N5/3745
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L27/1461 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/307 , H04N5/2253 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要：【課題】画素領域に信号の読み出し回路を設けた撮像装置を提供する。【解決手段】第1の画素および第2の画素を有する撮像装置であって、第1の画素は、第1の画素が有する画素回路から出力される第1の信号、または前段に接続された第1の画素から入力される第2の信号を後段に接続された第1の画素または第2の画素に出力することができる。第2の画素は、前段に接続された第1の画素から入力される第1の信号、第2の信号、または第2の画素が有する画素回路から出力される第3の信号を外部に出力することができる。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2017103550A 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017103550A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2015233972
申请日：2015-11-30
申请人：キヤノン株式会社
发明人：山崎和男 , 酒井誠一郎 , 小黒康裕
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/347 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/23245 , H01L27/14614 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H04N5/23241 , H04N5/3742 , H04N5/378
摘要：【課題】パワーセーブしない列信号処理回路とパワーセーブする列信号処理回路との間のクロストークを抑制し、高精細な画像を取得しうる固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法を提供する。【解決手段】複数の行及び複数の列に渡って配された複数の画素を含む画素アレイと、画素アレイの列に対応して設けられ、画素の出力信号と、時間に応じて変化するアナログ信号とが入力される複数の列信号処理回路と、を有し、複数の列信号処理回路は、駆動状態とパワーセーブ状態とを互いに独立して切り替え可能な第1の列信号処理回路と第2の列信号処理回路とを含み、第1の列信号処理回路にアナログ信号を供給する信号線と、第2の列信号処理回路にアナログ信号を供給する信号線とが別々の信号線である。【選択図】図4

9. 发明专利

JP2017037938A 光電変換素子およびそれを用いた光電変換装置、距離検出用センサ並びに情報処理システム审中-公开
标题翻译：使用相同的，距离检测传感器和所述信息处理系统中的光电转换元件和光电转换装置
公开(公告)号：JP2017037938A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015157641
申请日：2015-08-07
申请人：キヤノン株式会社
发明人：池田一 , 郷田達人 , 和田洋一 , 太田径介 , 長谷川利則
IPC分类号： H04N5/369 , G01S17/08 , G01S7/481 , H01L27/146
CPC分类号： G01S17/08 , G01S17/93 , G05D1/0238 , H01L27/14614 , H01L27/14643 , H01L31/173
摘要：【課題】信頼性の高い信号を得ることのできる光電変換素子を提供する。【解決手段】信号電荷として電子を生成する第1光電変換部と、信号電荷として正孔を生成する第2光電変換部と、前記第1光電変換部で生成された電子が転送される第1フローティングディフュージョンと、前記第2光電変換部で生成された正孔が転送される第2フローティングディフュージョンと、前記第1フローティングディフュージョンおよび前記第2フローティングディフュージョンに電気的に接続されたゲートを備える増幅トランジスタと、前記第1光電変換部で生成された電子を排出する第1電荷排出部と、前記第2光電変換部で生成された正孔を排出する第2電荷排出部と、を有し、前記第1光電変換部と前記第2光電変換部とを半導体基板の主面に沿って並んで設ける。【選択図】図5
摘要翻译：提供一种能够获得一个可靠的信号的光电转换装置。用于生成电子作为信号电荷，第一到产生空穴作为信号电荷的第二光电转换单元，在所述第一光电转换单元中生成的电子的第一光电转换单元传送浮置扩散，被转移通过第二光电转换单元产生的第二浮动扩散孔，具有电耦合到所述第一浮动扩散和第二浮动扩散的栅极的放大晶体管具有第一电荷放电单元，用于排出在第一光电转换单元产生的电子，以及第二电荷用于排出由第二光电转换部分产生的空穴排出部分，所述第二沿着并排设置所述一个光电转换部和所述半导体衬底的主表面上的第二光电转换部。点域5

10. 发明专利

JPWO2014132822A1 固体撮像素子、駆動方法、及び、電子機器有权
标题翻译：的固态成像装置，驱动方法，以及电子设备
公开(公告)号：JPWO2014132822A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015502865
申请日：2014-02-17
申请人：ソニー株式会社
发明人：静徳松本 , 静徳松本
IPC分类号： H04N5/378
CPC分类号： H04N9/045 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H04N5/357 , H04N5/3575 , H04N5/3692 , H04N5/37455 , H04N5/378
摘要：本技術は、より確実に、AD変換におけるリニアリティの劣化と、量子化誤差により生じる量子化縦筋を抑制することができるようにする固体撮像素子、駆動方法、及び、電子機器に関する。AD変換部は、ランプ波である参照信号と、列信号線を通して伝送される画素信号とを比較する比較器を有し、比較器の比較結果に基づいて、画素信号の基準レベルと信号レベルを独立にデジタル信号に変換し、スイッチは、列信号線と接続され、制御部は、比較器をリセットする期間のうち、一定期間のみスイッチをオンさせて、列信号線同士をショートさせる。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用することができる。
摘要翻译：这种技术是更可靠，并且在AD转换降解的线性度，固态成像设备，以便能够抑制由量化误差，驱动方法，以及电子设备的量化垂直条纹。 AD转换单元，并且所述参考信号是一个斜波，用于比较通过列信号线传输的像素信号的比较器，基于所述比较器，所述参考电平与像素信号的信号电平的比较结果独立地被转换为数字信号，开关被连接到所述列信号线，所述控制单元，所述时间段的用于复位所述比较器，通过打开开关仅在一定期间，以短列信号线彼此连接。这种技术，例如，可以适用于CMOS图像传感器。

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