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1. 发明专利

JP2019114574A 半導体装置、撮像装置及び光センサ审中-公开
公开(公告)号：JP2019114574A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2017244335
申请日：2017-12-20
申请人：株式会社リコー
发明人：櫻野勝之 , 根来宝昭 , 渡辺博文
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/355 , H01L27/146
摘要：【課題】ダイナミックレンジが広い入射光に対応する信号を適切なダイナミックレンジに圧縮して出力することができる半導体装置、撮像装置及び光センサを提供する。【解決手段】半導体装置100の一態様は、電界効果トランジスタ110と、電界効果トランジスタ110のチャネル114に接続され、電界効果トランジスタ110のしきい値電圧を変化させる光電変換部120と、を有する。電界効果トランジスタ110は、例えばゲート111、ソース112、ドレイン113及びチャネル114を含むMOSトランジスタである。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2016092348A 半導体デバイス及びその製造方法、撮像装置审中-公开
标题翻译：半导体器件，其制造方法和成像器件
公开(公告)号：JP2016092348A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014228766
申请日：2014-11-11
申请人：株式会社リコー
发明人：根来宝昭 , 上田佳徳 , 桜野勝之 , 中谷寧一 , 米田和洋 , 愛須克彦
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/14681 , H01L27/14612 , Y02P70/521
摘要：【課題】暗電流の増加を抑制しつつ光強度に対する感度を向上することが可能な半導体デバイスを提供すること。【解決手段】本半導体デバイスは、半導体基板と、前記半導体基板に埋め込まれた電極と、前記半導体基板内で前記電極と接する絶縁膜と、前記半導体基板の表面側から深さ方向に順次形成された、第1導電型の第1半導体領域、第2導電型の第2半導体領域、及び第1導電型の第3半導体領域と、前記絶縁膜及び前記第2半導体領域と接する、前記第2半導体領域よりも不純物濃度が高い第2導電型の第4半導体領域と、を有し、入射光を光電変換する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在抑制暗电流增加的同时增加光强的灵敏度的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：半导体衬底; 嵌入在半导体衬底中的电极; 与半导体衬底中的电极接触的绝缘膜; 以及从半导体衬底的表面侧在深度方向上连续形成的第一导电型第一半导体区域，第二导电型第二半导体区域和第一导电型第三半导体区域; 以及与绝缘膜和第二半导体区域接触并且具有比第二半导体区域更高的杂质浓度的第二导电类型的第四半导体区域，其中入射光被光电转换。图1

3. 发明专利

JP5907500B2 光電変換装置、光電変換アレイおよび撮像装置有权
标题翻译：的光电转换装置，光电转换阵列和成像装置
公开(公告)号：JP5907500B2
公开(公告)日：2016-04-26
申请号：JP2011222020
申请日：2011-10-06
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社リコー
发明人：林豊 , 太田敏隆 , 永宗靖 , 渡辺博文 , 根来宝昭 , 君野和也
IPC分类号： H01L31/10 , H04N5/3745
CPC分类号： H01L27/14681 , H01L27/1443 , H01L27/14609 , H01L27/14656 , H04N5/3745 , H04N5/378

4. 发明专利

JP2016039265A 光検出素子审中-公开
标题翻译：光电探测器
公开(公告)号：JP2016039265A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2014161871
申请日：2014-08-07
申请人：株式会社リコー
发明人：根来宝昭 , 中谷寧一 , 愛須克彦 , 米田和洋 , 桜野勝之 , 上田佳徳 , 渡辺博文
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
摘要：【課題】光検出素子の電流増幅率を大きくする。【解決手段】光検出素子1は、電極5と、絶縁膜7と、第1半導体領域9、第2半導体領域11及び第3半導体領域13を含む半導体層3bと、を備えている。電極5は半導体層3bの表面から内部にかけて第1の方向に沿って半導体層3bに埋め込まれている。絶縁膜7は電極5と半導体層3bの間に配置されている。N型の第1半導体領域9は半導体層3bの表面に配置されている。P型の第2半導体領域11は絶縁膜7及び第1半導体領域9に隣接している。N型の第3半導体領域13は第2半導体領域11に隣接している。第2半導体領域11のP型不純物濃度は、上記第1の方向に直交する第2の方向で絶縁膜7から離れている領域11の第1の領域と、上記第1の領域よりも絶縁膜7に近い領域11の第2の領域について、上記第2の領域のP型不純物濃度の方が上記第1の領域のP型不純物濃度よりも低くなっている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：增加光检测器的电流放大系数。解决方案：光检测器1包括：电极5; 绝缘膜7; 以及包括第一半导体区域9，第二半导体区域11和第三半导体区域13的半导体层3b。电极5从半导体层3b的表面向内部的第一方向嵌入半导体层3b中。绝缘膜7配置在电极5和半导体层3b之间。 N型第一半导体区域9布置在半导体层3b的表面上。 P型第二半导体区域11与绝缘膜7和第一半导体区域9相邻.N型第三半导体区域13与第二半导体区域11相邻。关于第二半导体区域的P型杂质浓度半导体区域11中，比第一区域更靠近绝缘膜7的区域11中的第二区域中的P型杂质浓度低于与绝缘膜分离的区域11中的第一区域中的P型杂质浓度 7在垂直于第一方向的第二方向上。选择图：图1

5. 发明专利

JP2015141946A フォトトランジスタ、及び半導体装置有权
标题翻译：光电子器件和半导体器件
公开(公告)号：JP2015141946A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014012762
申请日：2014-01-27
申请人：株式会社リコー
发明人：根来宝昭 , 三木芳彦 , 桜野勝之 , 津田敬二 , 渡辺博文
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L27/1443 , H01L31/02019 , H01L27/14681
摘要：【課題】高精度の光電流を出力する。【解決手段】フォトトランジスタ10は、光受光側Lから深さ方向Zに、第1エミッタ領域12と、少なくとも一部が光受光側Lに露出した第1ベース領域14と、第1コレクタ領域25と、をこの順に備えたフォトトランジスタである。第1コレクタ領域25は、第2コレクタ領域22と、第2コレクタ領域22の深さ方向Z下流側に接して設けられ、第2コレクタ領域22より抵抗の低い第3コレクタ領域24と、を有する。また、フォトトランジスタ10は、光受光側Lの面における第1ベース領域14の外側に、該第1ベース領域14から間隔を隔てて設けられ、第1コレクタ領域25とは逆の導電型の第1領域18を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：输出高精度的光电流。解决方案：光电晶体管10包括第一发射极区域12，其至少一部分暴露于光接收侧L的第一基极区域14和第一集电极区域如图25所示，从深度方向Z的受光面L开始依次。第一集电区域25具有第二集电区域22和与深度方向的下游侧接触的第三集电区域24 Z，并且具有比第二集电区域22低的电阻。光电晶体管10包括设置在光接收侧L的表面上的第一基区14的外侧的第一区域18，间隔从第一基区14开始，并具有与第一集电区25相反的导电类型。

6. 发明专利

JP6354221B2 撮像装置及び電子機器有权
公开(公告)号：JP6354221B2
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：JP2014048853
申请日：2014-03-12
申请人：株式会社リコー
发明人：米田和洋 , 渡辺博文 , 根来宝昭 , 愛須克彦 , 中谷寧一 , 桜野勝之
IPC分类号： H04N5/369 , H01L27/146 , H04N5/355
CPC分类号： H04N5/374 , H04N5/35527

7. 发明专利

JP2017076727A 半導体デバイス、光検出器、撮像装置及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017076727A
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2015204032
申请日：2015-10-15
申请人：株式会社リコー
发明人：上田佳徳 , 愛須克彦 , 中谷寧一 , 根来宝昭 , 桜野勝之 , 米田和洋
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/361 , H01L31/10
摘要：【課題】低照度時のS/Nを向上することができる半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体デバイス100は、エミッタ、ベース及びコレクタがこの順に並ぶバイポーラ構造(フォトトランジスタ)を備える半導体デバイスであって、エミッタのベースとは反対側に配置されたシリコン酸化膜と、エミッタとシリコン酸化膜との間に配置された暗電流抑制層と、エミッタから電荷を取り出す電荷取り出し手段と、を更に備える。【選択図】図2

8. 发明专利

JP2017017155A イメージセンサ、撮像装置及び電子機器审中-公开
标题翻译：一种图像传感器，成像装置和电子设备
公开(公告)号：JP2017017155A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2015131524
申请日：2015-06-30
申请人：株式会社リコー
发明人：桜野勝之 , 根来宝昭 , 上田佳徳 , 米田和洋 , 愛須克彦 , 中谷寧一
IPC分类号： H04N5/374 , H01L27/146
摘要：【課題】隣り合う画素同士で入射した光により発生する光電荷が混ざってしまうことを防止し、飽和露光量を大きくしても画素サイズが大きくならないイメージセンサを提供する。【解決手段】半導体基板上に、複数のフォトダイオードを配列して構成されたイメージセンサにおいて、互いに隣接するフォトダイオードの間の位置であって、上記フォトダイオードのカソード部に形成された深溝と、上記深溝内に絶縁酸化膜を介してポリシリコンを埋め込むことにより、上記フォトダイオードのカソード部と上記ポリシリコンとの間で形成されたキャパシタとを備え、上記ポリシリコンを上記フォトダイオードのアノード部に接続する。【選択図】図1
摘要翻译：通过光入射在彼此相邻的像素生成的，以防止光电荷成为混合，提供一种图像传感器，其不是像素尺寸是通过增加饱和曝光量。在半导体基板上，并通过安排多个光电二极管构成的图像传感器，彼此相邻的光电二极管之间的位置，形成在所述光电二极管的阴极部分的深沟，通过在所述深槽的绝缘氧化膜，阴极部和所述光电二极管的多晶硅，光电二极管的多晶硅阳极之间形成的电容器嵌入多晶硅连接。点域1

9. 发明专利

JP5967406B2 センス回路とその動作方法および光電変換アレイ有权
标题翻译：感测电路和它的操作方法和光电转换阵列
公开(公告)号：JP5967406B2
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：JP2012008686
申请日：2012-01-19
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社リコー
发明人：林豊 , 太田敏隆 , 永宗靖 , 渡辺博文 , 米田和洋 , 愛須克彦 , 根来宝昭
IPC分类号： H01L31/08 , G01J1/44
CPC分类号： H01L27/144 , H04N5/378

10. 发明专利

JP2016127456A 光電変換装置及び画像生成装置並びに光電変換装置の出力の補正方法审中-公开
标题翻译：光电转换装置，图像生成装置和光电转换装置的输出校正方法
公开(公告)号：JP2016127456A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2015000516
申请日：2015-01-05
申请人：株式会社リコー
发明人：愛須克彦 , 渡辺博文 , 根来宝昭 , 上田佳徳 , 中谷寧一 , 米田和洋 , 桜野勝之
IPC分类号： H03M1/06 , H04N5/357 , H04N5/378 , H04N101/00 , H03M1/10
CPC分类号： G01J1/44 , H04N5/361 , H04N5/3655 , H04N5/378 , G01J2001/444 , G01J2001/4473
摘要：【課題】光電変換素子としてフォトトランジスタを用いた光電変換装置において、フォトトランジスタのhFEのチップ間ばらつきや温度依存性による出力誤差を補正する。【解決手段】画素セルアレイ1にフォトトランジスタを含む画素セルが配列されている。リファレンスセル3は、画素セルアレイ1に配置されているフォトトランジスタと同じ温度特性をもち、動作状態が電気的に固定されたリファレンストランジスタを含んでいる。A/D変換器5は、画素セルのアナログ出力をデジタル出力に変換する。補正量演算部7は、リファレンスセル3の出力と基準値に基づいて上記デジタル出力に対する補正量を演算する。補正部9は、補正量演算部7が演算した補正量に基づいて上記デジタル出力を補正する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：使用光电晶体管作为光电转换元件来校正光电晶体管的光电晶体管的hFE的芯片间变化或温度依赖性导致的输出误差。解决方案：在光电转换装置中，每个像素单元包括光电晶体管排列在像素单元阵列1中。参考单元3具有与设置在像素单元阵列1中的光电晶体管相同的温度特性，并且包括其电气固定操作状态的参考晶体管。 A / D转换器5将像素单元的模拟输出转换为数字输出。基于参考单元3的输出和参考值，校正量计算单元7计算数字输出的校正量。基于由校正量计算单元7计算的校正量，校正单元9校正数字输出。图1：图1

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