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11. 发明专利

JP2016201448A ダイオード及びダイオードの製造方法审中-公开
标题翻译：制造一个二极管和一个二极管的方法
公开(公告)号：JP2016201448A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2015080217
申请日：2015-04-09
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
发明人：三宅裕樹 , 永岡達司 , 宮原真一朗 , 青井佐智子
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/861
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要：【課題】p型コンタクト領域とn型コンタクト領域を有するダイオードの耐圧を向上させる。【解決手段】ダイオードであって、アノード電極14に接触する複数のp型コンタクト領域20と、隣り合う2つのp型コンタクト領域20の間でアノード電極14に接触するn型コンタクト領域25と、p型コンタクト領域20とn型コンタクト領域25の裏面側に配置されており、カソード電極に接触するカソード領域を有している。p型コンタクト領域20が、アノード電極14に接触している第1領域21と、第1領域21の裏面側に配置されており、第1領域21のp型不純物濃度よりも低いp型不純物濃度を有している第2領域22と、第2領域22の裏面側に配置されており、第2領域22のp型不純物濃度よりも低いp型不純物濃度を有する第3領域23を有している。第2領域22の厚みが、第1領域21の厚みよりも厚い。【選択図】図3
摘要翻译：为了改善具有p型接触区域和n型接触区域的二极管的击穿电压。本发明涉及一种二极管，与阳极电极14接触的多个p型接触区域20的，在与两个p型接触区域20相邻，P之间的阳极电极14接触的n型接触区域25 它被设置在型接触区域20和n型接触区25和阴极区的与阴极电极接触的背面侧。 p型接触区域20，在与阳极电极14接触的第一区域21被设置在第一区域21，一个低的p型杂质浓度比第一区域21的p型杂质浓度的背面侧第二区域22具有一个设置在第二区域22的背面侧，且具有低的p型杂质浓度比第二区域22的p型杂质浓度的第三区域23 那里。第二区域22的厚度大于第一区域21的厚度更厚。点域

12. 发明专利

JP2016162918A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016162918A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2015041260
申请日：2015-03-03
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：池田知治 , 宮原真一朗 , 青井佐智子
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/0475 , H01L21/324 , H01L21/6835 , H01L29/1608 , H01L21/0455 , H01L2221/6834
摘要：【課題】熱処理時にトレンチの側面からのSiの昇華を抑制することができる技術を提供する。【解決手段】SiC基板12の表面にトレンチ20を形成する工程と、トレンチ20を覆うように表面に保護基板62を配置する工程と、SiC基板12と保護基板62を熱処理する工程を有する。保護基板62がトレンチ20を覆うので、トレンチ20の内面からSiが昇華するとトレンチ20の内部の気圧が上昇するので、トレンチ20の側面からSiが昇華することが抑制される。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在热处理时抑制Si从沟槽的侧面升华的技术。解决方案：一种半导体器件制造方法包括：在一个表面上形成沟槽20的工艺 SiC衬底12; 将保护基板62布置在表面上以覆盖沟槽20的过程; 以及对SiC衬底12和保护衬底62进行热处理的过程。由于保护衬底62覆盖沟槽20，并且当硅从沟槽20的内表面升华时，沟槽20中的空气压力升高，升华来自沟槽20的侧面的Si被抑制。选择图：图8

13. 发明专利

JP2016111287A 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016111287A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014249818
申请日：2014-12-10
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 小野木淳士 , 青井佐智子 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】被覆絶縁膜の耐圧低下を抑制できる技術を提供する。【解決手段】半導体装置1は、半導体素子が形成された半導体基板2と、半導体基板2の上に形成された被覆絶縁膜31とを備えている。半導体基板2は、第1部分10と、第1部分10より厚みが薄い第2部分20とを備えている。第1部分10と第2部分20が隣り合う部分に段差部90が形成されている。段差部90の側面と第2部分20の上面の間の角部40に角部材50が形成されている。角部材50の上面51は、段差部90の側面92より第2部分20側に向かうにしたがって下方に下がってゆく。被覆絶縁膜31が、第1部分10から第2部分20に亘って延びており、角部材50を覆っている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制覆盖绝缘膜的击穿电压降低的技术。解决方案：半导体器件1包括形成半导体元件的半导体衬底2和形成在半导体上的覆盖绝缘膜31 基板2.半导体基板2包括第一部分10和比第一部分10薄的第二部分20.在第一和第二部分10,20的相邻部分中形成台阶部分90.角部件50是形成在阶梯部90的侧面和第二部20的上表面之间的角部40处。角部件50的上表面51从台阶部90的侧面92朝向第二部20向下方侧。覆盖绝缘膜31从第一部分10延伸穿过第二部分20，并且覆盖角部件50.选择的图示：图2

14. 发明专利

JP2016111283A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016111283A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014249645
申请日：2014-12-10
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 永岡達司 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 宮原真一朗 , 金村高司
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】トレンチの底面を覆うゲート絶縁膜の耐圧を確保しながら、スイッチング損失を抑制することが可能な技術を提供する。【解決手段】半導体装置1は、表面にトレンチ30が形成された半導体基板10と、トレンチ30の内面を覆うゲート絶縁膜51と、トレンチ30の内部に配置され、ゲート絶縁膜51により半導体基板10から絶縁されたゲート電極52と、トレンチ30の両側面を覆うゲート絶縁膜51に接するn型のソース領域11と、トレンチ30の両側面を覆うゲート絶縁膜51に接するp型のベース領域12と、トレンチ30の両側面31、32と底面40を覆うゲート絶縁膜51に接するn型のドリフト領域15とを備えている。トレンチ30の底面40は、短手方向おいて中心部が周縁部より上に突出するように形成されている。周縁部を覆うゲート絶縁膜51の厚みが、中心部を覆うゲート絶縁膜51の厚みより厚い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制开关损耗的技术，同时确保覆盖沟槽底面的栅极绝缘膜的耐电压。解决方案：半导体器件1包括：半导体衬底10，其中沟槽30形成在表面; 覆盖每个沟槽30的内表面的栅极绝缘膜51; 栅极电极52，其布置在每个沟槽30的内部，并通过栅极绝缘膜51与半导体衬底10绝缘; n型源极区域11，其接触覆盖每个沟槽30的两个侧面的栅极绝缘膜51; p型基极区域12，其接触覆盖每个沟槽30的两个侧面的栅极绝缘膜51; 以及接触覆盖每个沟槽30的两个侧面31,32和底面40的栅极绝缘膜51的n型漂移区15.沟槽30的底面40形成为使得中心部分在较短的方向上从周边部分向上突出。覆盖周边部分的栅极绝缘膜51的厚度比覆盖中心部分的栅极绝缘膜51的厚度厚。图1

15. 发明专利

JP2016063107A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016063107A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014190810
申请日：2014-09-19
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：高谷秀史 , 斎藤順 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 宮原真一朗 , 水野祥司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/76 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , G01R31/2621 , H01L29/0696 , H01L29/4238 , H01L29/7815 , H01L29/04 , H01L29/0623 , H01L29/1608
摘要：【課題】メインセル領域とセンスセル領域との間の分離領域において高い耐圧特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板がメインセル領域とセンスセル領域を有し、半導体基板の上面にメイン第2半導体領域をセンス第2半導体領域から分離している分離トレンチが形成されており、前記第3半導体領域によって前記メイン第2半導体領域及び前記センス第2半導体領域から分離されている第2導電型の分離第4半導体領域をさらに有する半導体装置。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供在主单元区域和感测单元区域之间的隔离区域中具有高耐压特性的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：主单元区域和感测单元区域; 隔离沟槽，形成在所述半导体衬底的顶面上，并将主第二半导体区域与感测第二半导体区域隔离; 以及由第三半导体区域与主第二半导体区域和感测第二半导体区域隔离的第二导电类型隔离第四半导体区域。图4

16. 发明专利

JP6411929B2 MOSFET 审中-公开
公开(公告)号：JP6411929B2
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：JP2015060633
申请日：2015-03-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：杉本雅裕 , 渡辺行彦 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/063 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608

17. 发明专利

JP2018082079A 炭化珪素半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018082079A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016224063
申请日：2016-11-17
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：青井佐智子 , 山下侑佑 , 渡辺行彦 , 杉本雅裕 , 三角忠司 , 水野祥司 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/3065 , H01L21/336
摘要：【課題】導電層をエッチバックしてトレンチ内にゲート電極を形成するエッチバック工程において、ゲート電極の上面を所望の位置に位置決めすることができる製造技術を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置1の製造方法は、ポリシリコン層38をエッチバックしてトレンチTr10内にゲート電極34を形成するエッチバック工程を備える。エッチバック工程は、反応室内のガスのうちの少なくとも1種類の被監視ガスの濃度を監視することと、被監視ガスの濃度が角部15に応じて変化したときに、ポリシリコン層38のエッチバックを停止することと、を有する。【選択図】図7

18. 发明专利

JP2016139676A 半導体装置と、その製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016139676A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2015012942
申请日：2015-01-27
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：福岡佑二 , 渡辺行彦 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4236
摘要：【課題】絶縁膜または半導体基板にクラックが発生することを抑制する技術を提供する。【解決手段】半導体装置1は、半導体基板2と、半導体基板2の表面21から裏面22側に延びているゲートトレンチ30と終端トレンチ40を備えている。ゲートトレンチ30の内部にゲート電極32が収容されている。終端トレンチ40の内部に絶縁材41が収容されている。終端トレンチ40の底面44と側面45がなす角度θ45がゲートトレンチ30の底面34と側面35がなす角度θ35より大きい。終端トレンチ40内の絶縁材41の内部に空隙42が形成されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供抑制绝缘膜或半导体衬底中的裂纹发生的技术。解决方案：半导体器件1包括：半导体衬底2; 从半导体衬底2的表面21到背面22侧延伸的栅极沟槽30和端接沟槽40; 容纳在栅沟槽30内的栅电极32; 绝缘材料41被容纳在端子沟槽40的内部。由端面沟槽40的底面44和侧面45形成的角度θ45大于由底面34和侧面35形成的角度θ35 端子沟槽30中的绝缘材料41具有形成在内部的空腔42.选择的图示：图2

19. 发明专利

JP2015207701A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015207701A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014088293
申请日：2014-04-22
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：朽木克博 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 添野明高 , 宮原真一朗
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/06
摘要：【課題】半導体装置の耐圧を向上させること。【解決手段】半導体装置1の半導体層10は、活性部12と終端部14を有する。終端部14には、平面視したときに、活性部12の周囲を囲むように設けられている複数の終端耐圧構造40a,40b,40c,40dが形成されている。最内周の終端耐圧構造40aは、終端部14のコーナー範囲14Bにおいて、曲率半径が大きくなるような形態を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体器件的击穿电压。解决方案：半导体器件1的半导体层10包括：有源部分12; 和终端部分14.在终端部分14处形成有以平面图的方式设置为围绕有源部分12的周围设置的多个终止击穿电压结构40a，40b，40c，40d。终端击穿电压结构 40a在终端部14的拐角范围14B中具有曲率半径大的形状。

20. 发明专利

JP5790573B2 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5790573B2
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：JP2012084910
申请日：2012-04-03
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社
发明人：遠藤剛 , 宮原真一朗 , 松木英夫 , 森本淳 , 成岡英樹 , 副島成雅 , 石川剛
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78

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