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1. 发明专利

JP2019056725A 炭化珪素半導体基板を用いた半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019056725A
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2017179509
申请日：2017-09-19
申请人：株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：梶愛子 , 箕谷周平 , 市川治人 , 竹内有一 , 渡辺行彦 , 成岡英樹
IPC分类号： H01L21/68 , G03F9/00
摘要：【課題】製造工程が増加したり複雑化したりすることなく、エピタキシャル層に形成されるトレンチを高精度に読み取ることができるSiC半導体装置の製造方法を提供する【解決手段】(0001)面にオフ角が設けられている主表面を有すると共に、オフ方向が〈11〉である炭化珪素単結晶で構成された炭化珪素半導体基板10を用意することと、主表面に第1トレンチ12を形成することと、主表面の上に、当該主表面に形成された第1トレンチ12の形状を引き継ぐ第2トレンチを有する炭化珪素で構成されたエピタキシャル層を成長させることと、を行い、第1トレンチ12を形成することでは、開口部が長方形状であって長手方向がオフ方向と平行とされた第1トレンチ12をオフ方向と直交する方向に沿って複数形成する。【選択図】図1B

2. 发明专利

JP6284292B2 炭化珪素半導体装置有权
公开(公告)号：JP6284292B2
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：JP2012084912
申请日：2012-04-03
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社
发明人：渡辺弘紀 , 山本建策 , 森本淳 , 成岡英樹 , 渡辺行彦 , 副島成雅
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L29/78

3. 发明专利

JP5790573B2 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP5790573B2
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：JP2012084910
申请日：2012-04-03
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社
发明人：遠藤剛 , 宮原真一朗 , 松木英夫 , 森本淳 , 成岡英樹 , 副島成雅 , 石川剛
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78

4. 发明专利

JP5846153B2 半導体装置および半導体装置の研磨方法有权
标题翻译：的半导体装置的研磨方法及半导体装置
公开(公告)号：JP5846153B2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：JP2013094063
申请日：2013-04-26
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：近藤健 , 成岡英樹 , 束原肇
IPC分类号： H01L21/304 , H01L23/48
CPC分类号： B24B7/228 , B24B37/013 , B24B37/042 , H01L23/4334 , H01L23/488 , H01L24/33 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/181

5. 发明专利

JP2015170765A 半導体モジュール审中-公开
标题翻译：半导体模块
公开(公告)号：JP2015170765A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2014045234
申请日：2014-03-07
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：束原肇 , 成岡英樹
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/36 , H01L25/04
CPC分类号： H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181
摘要：【課題】放熱部材の切断効率をより向上させる技術を提供する。【解決手段】半導体モジュール10は、第1半導体チップ12と、第2半導体チップ14と、放熱部材20と、を備える。放熱部材20は、一方の表面20bに第1半導体チップ12と第2半導体チップ14が接続されており、一方の表面20bとその裏側の表面20aのいずれか一方に、当該一方を平面視したときに、第1半導体チップ12の接続領域20b1と第2半導体チップ14の接続領域20b2との間を延びている第1溝32が形成されており、一方の表面20bと裏側の表面20aのいずれか他方に、当該他方を平面視したときに、第1溝32の両側に、第1溝32に沿って延びる第2溝34が形成されており、第1溝32の深さと第2溝34の深さの和以上の厚みを有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供进一步提高散热构件的切割效率的技术。解决方案：半导体模块10包括第一半导体芯片12，第二半导体芯片14和散热构件20.第一半导体芯片 12和第二半导体芯片14连接到散热构件20的一个表面20b上。第一凹槽32在第一半导体芯片12的连接区域20b1和第二半导体芯片14的连接区域20b2之间延伸，一个表面20b和后表面20a中的一个被平面地看到，形成在一个表面20b和后表面20a中的一个中。当一个表面20b和后表面20a中的另一个被平面地看时，沿着第一凹槽32的两侧延伸的第二凹槽34形成在一个表面20b和后表面中的另一个中 20a。散热构件20的厚度等于或大于第一槽32的深度和第二槽34的深度之和的厚度。

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