专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

101. 发明专利

JP6170856B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6170856B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2014052801
申请日：2014-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：河野洋志 , 野田隆夫
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7804 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/1095 , H01L29/7805 , H01L29/1608

102. 发明专利

JP6159471B2 炭化珪素半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6159471B2
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：JP2016503038
申请日：2014-11-26
申请人：新電元工業株式会社
发明人：中村俊一 , 菅井昭彦 , 井上徹人
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1045 , H01L21/0465 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/739 , H01L29/7395 , H01L29/7802

103. 发明专利

JP2017055027A 半導体装置有权
公开(公告)号：JP2017055027A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015179328
申请日：2015-09-11
申请人：株式会社東芝
发明人：鈴木拓馬 , 河野洋志
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/047 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1037 , H01L29/30 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7802
摘要：【課題】チャネルのキャリア移動度の向上を可能とする半導体装置を提供する。【解決手段】第1の面と第2の面とを有するSiC層10と、第1の面上に設けられたゲート絶縁膜16と、ゲート絶縁膜16上に設けられたゲート電極18と、SiC層10内に設けられ、一部が第1の面に設けられた第1導電型の第1のSiC領域24と、第1のSiC領域24内に設けられ、一部が第1の面に設けられた第2導電型の第2のSiC領域26と、第2のSiC領域26内に設けられ、一部が第1の面に設けられた第1導電型の第3のSiC領域28と、第2のSiC領域26とゲート絶縁膜16との間に設けられ、第1の面において第2のSiC領域26に挟まれ、第1の面において第1のSiC領域24と第3のSiC領域28との間に設けられた第1導電型の第4のSiC領域32と、を備える。【選択図】図1

104. 发明专利

JP6032624B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6032624B2
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：JP2014532734
申请日：2013-06-13
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：生田晃久 , 福本彰
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0808 , H01L29/0821 , H01L29/0847 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/66325 , H01L29/7393 , H01L29/7394 , H01L29/7824 , H01L29/7835 , H01L29/1045

105. 发明专利

JP6031681B2 縦型ゲート半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：垂直栅极半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP6031681B2
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2013510861
申请日：2012-04-05
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：溝口修二 , 大河亮介 , 佐藤直樹
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L21/2652 , H01L21/266 , H01L21/28035 , H01L21/3212 , H01L21/32133 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/086

106. 发明专利

JP2016174030A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016174030A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015052275
申请日：2015-03-16
申请人：株式会社東芝
发明人：河野洋志
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/167 , H01L29/42364 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/45
摘要：【課題】アバランシェ耐量の向上を可能とする半導体装置を提供する。【解決手段】SiCによるセル領域、ゲートパッド領域、セル端領域を備える。セル領域は、n+型ドレイン領域20と、nドリフト領域16と、pベース領域14と、nソース領域12と、pベース領域14内に設けられ、pベース領域14よりも濃度の高いpコンタクト領域18と、ゲート絶縁膜22と、セルゲート電極24と、ソース電極26と、ドレイン電極28と、を有する。ゲートパッド領域は、フィールド絶縁膜32と、p型不純物のピーク濃度が1×10 18 cm −3 以上であるフィールド領域36と、を有する。セル端領域は、フィールド領域36に接続されるp型領域40と、p型領域40よりも濃度の高いp+型領域42と、p+型領域42に第2のコンタクト部Bで接するソース電極26と、を有する。第2のコントタクト部Bでソース電極26が接する面の全面がp型のSiC領域である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高雪崩能力的半导体器件。解决方案：半导体器件包括由SiC构成的单元区域，栅极焊盘区域和单元边缘区域。单元区域具有形成在p基区14中的n +型漏极区20，n漂移区16，基极区14，n源极区12，ap接触区18，其浓度高于 p基极区域14，栅极绝缘膜22，单元栅极电极24，源极电极26和漏极电极28.栅极区域具有场绝缘膜32和场区域36，其中ap型杂质的峰值浓度等于或高于1×10cm。电池边缘区域具有连接在场区域36上的p型区域40，具有高于p型区域40的浓度的p +型区域42和在第二接触部分处接触p +型区域42的源电极26 B.源电极26接触的第二接触部分B中的面的整个面积是ap型SiC区域。图1

107. 发明专利

JP2016171279A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016171279A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015051709
申请日：2015-03-16
申请人：株式会社東芝
发明人：山下浩明 , 小野昇太郎 , 浦秀幸 , 志村昌洋
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/7813 , H01L29/1095 , H01L29/7397
摘要：【課題】終端領域における電界の集中を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の複数の第2半導体領域と、第2導電形の第3半導体領域と、第1導電形の第4半導体領域と、ゲート電極と、絶縁層と、第1電極と、を有する。第1半導体層は、複数の第1半導体領域を有する。第2半導体領域は、第1半導体領域同士の間に設けられている。絶縁層は、第3半導体領域とゲート電極との間に設けられている。第1電極は、第1部分と、第2部分と、を有する。第1部分は、第1半導体領域に接続されている。第2部分は、第1部分に対して第4半導体領域側に設けられている。第1電極は、第1半導体領域の上および第2半導体領域の上に設けられている。第1電極は、第4半導体領域の周りに設けられている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以抑制端接区域中的电场浓度的半导体器件。解决方案：根据实施例的半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体层; 多个第二导电类型的第二半导体区域; 第二导电类型的第三半导体区域; 第一导电类型的第四半导体区域; 栅电极; 绝缘层; 和第一电极。第一半导体层具有多个第一半导体区域。第二半导体区域设置在第一半导体区域中。绝缘层设置在第三半导体区域和栅电极之间。第一电极具有第一部分和第二部分。第一部分连接到第一半导体区域。第二部分设置成比第一部分更靠近第四半导体区域侧。第一电极设置在第一半导体区域和第二半导体区域上。第一电极设置在第四半导体区域周围。选择图：图2

108. 发明专利

JP5983122B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5983122B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2012158405
申请日：2012-07-17
申请人：富士通セミコンダクター株式会社
发明人：小野田道広
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7833 , H01L27/0922 , H01L29/0611 , H01L29/402 , H01L29/66689 , H01L29/7816 , H01L21/823814 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/1087

109. 发明专利

JP5928429B2 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP5928429B2
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：JP2013204999
申请日：2013-09-30
申请人：サンケン電気株式会社
发明人：吉江徹
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/046 , H01L29/086 , H01L29/167 , H01L29/66068 , H01L29/66674 , H01L29/7802 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/45

110. 发明专利

JP2016040844A トレンチゲート型半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译： TRENCH门式半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016040844A
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：JP2015219218
申请日：2015-11-09
申请人：富士電機株式会社
发明人：中村俊一 , 河田泰之
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L21/02378 , H01L21/0337 , H01L21/265 , H01L21/28008 , H01L21/308 , H01L29/66068 , H01L29/66522 , H01L29/66848 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/47
摘要：【課題】ワイドバンドギャップ半導体を主たる半導体基板として用い、セルピッチを縮小することができ、良好なオーミック接触が得られ、トレンチ底の絶縁膜に過大な電界が印加されないトレンチゲート型半導体装置を提供すること。【解決手段】交差トレンチ10pの形成方法として、二重トレンチ構造としたゲートトレンチ10bを形成した後に、当該ゲートトレンチ10bをマスク材料で埋め戻し、その後、当該マスク材料をパターニングして、交差トレンチを形成するためのマスクとして用い、ゲートトレンチに交差する交差トレンチ10pをゲートトレンチ10bよりも深く設け、交差トレンチ10p底部にショットキー電極24を設けるトレンチゲート型MOSFETの製造方法とする。【選択図】図50
摘要翻译：要解决的问题：提供一种沟槽栅极半导体器件，其使用宽带隙半导体作为主要半导体衬底，并且可以减小电池间距并实现有利的欧姆接触，并且过多的场不会施加到底部的绝缘膜上沟槽。在沟槽栅极MOSFET的制造方法中，交叉沟槽10p的形成方法包括以下步骤：形成具有双沟槽结构的栅极沟槽10b; 用掩模材料填充栅极沟槽10b; 并且随后在掩模材料上进行图案化，并且使用掩模材料作为形成交叉沟槽的掩模，并提供在比栅极沟槽10b更深的位置处穿过栅极沟槽的交叉沟槽10p，并在底部提供肖特基电极24 的十字槽10p。选择图：图50

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式