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101. 发明专利

JP2011082200A Developing method 有权
标题翻译：发展方法
公开(公告)号：JP2011082200A
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：JP2009230642
申请日：2009-10-02
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： INATOMI YUICHIRO , IWASHITA MITSUAKI
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/3021 , G03F7/405 , H01L21/6715
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a development processing method of preventing a pattern collapse, when removing a rinse liquid on a substrate, even if a resist pattern is made finer and the height is increased. SOLUTION: The development processing method includes processing liquid supply processes S14-S16 of supplying a processing liquid, where a hydrophobic agent for hydrophobizing the resist pattern is diluted by hydrofluoroether onto the substrate where the rinse liquid is supplied, after the resist pattern is developed; and processing liquid removal steps S18, S19 for removing the processing liquid from an area on the substrate to which the processing liquid has been supplied. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供防止图案塌陷的显影处理方法，即使在去除基板上的冲洗液体时，即使抗蚀剂图案更细且高度增加。解决方案：显影处理方法包括处理供给处理液体的液体供应过程S14-S16，其中将抗氧化剂图案疏水化的疏水剂通过氢氟醚稀释到提供漂洗液体的基材上，在抗蚀剂图案发达国家以及用于从已经供给了处理液的基板上的区域除去处理液的处理液去除步骤S18，S19。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

102. 发明专利

JP2010113345A Patterning process 有权
标题翻译：绘图过程
公开(公告)号：JP2010113345A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：JP2009215391
申请日：2009-09-17
申请人： Shin-Etsu Chemical Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： HATAKEYAMA JUN , IIO TADASHI , WATANABE TAKESHI , KANAO GO , ISHIHARA TOSHINOBU
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/11 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0035 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a patterning process capable of efficiently insolubilizing a first positive resist pattern, thus achieving effective double patterning. SOLUTION: The patterning process includes steps of: applying a positive resist material onto a substrate to form a resist film, heat treating, exposing the resist film to high-energy radiation, heat treating, then developing with a developer to form a first resist pattern; applying a protective coating solution containing a silicon compound having at least one amino group and a hydrolyzable reactive group onto the first resist pattern, heating to cover the first resist pattern surface with a protective coating; and applying a second positive resist material on the substrate to form a second resist film, heat treating, exposing the second resist film to high-energy radiation, heat treating, and then developing the second resist film with a developer. For example, by double patterning of forming the second pattern in a space portion of the first pattern to reduce the pattern pitch to one half, the substrate can be processed by a single dry etching. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够有效地使第一正性抗蚀剂图案不溶化的图案化工艺，从而实现有效的双重图案化。图案化方法包括以下步骤：将正性抗蚀剂材料施加到基材上以形成抗蚀剂膜，热处理，将抗蚀剂膜暴露于高能量辐射，热处理，然后用显影剂显影以形成第一抗蚀剂图案; 将含有至少一个氨基的硅化合物和可水解反应性基团的保护涂层溶液涂覆到第一抗蚀剂图案上，加热以用保护涂层覆盖第一抗蚀剂图案表面; 以及在所述基板上施加第二正性抗蚀剂材料以形成第二抗蚀剂膜，热处理，将所述第二抗蚀剂膜暴露于高能量辐射，热处理，然后用显影剂显影所述第二抗蚀剂膜。例如，通过在第一图案的空间部分中形成第二图案的双重图案化以将图案间距减小到一半，可以通过单次干蚀刻来处理基板。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

103. 发明专利

JP2009278091A Lithography method 有权
标题翻译： LITHOGRAPHY方法
公开(公告)号：JP2009278091A
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：JP2009114604
申请日：2009-05-11
申请人： Asml Netherlands Bv , エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
发明人： FLAGELLO DONIS GEORGE
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/42 , G03F7/095 , G03F7/12 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/405 , G03F7/70325 , Y10T428/24479 , Y10T428/24802
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lithography method wherein a mask for generation of near-field radiation is not required to be accurately spaced from a resist-applied substrate or be brought into contact with a resist. SOLUTION: A lithographic method for a substrate provided with a resist layer and a further layer on the resist layer includes: providing a pattern in the further layer so that the resist layer may be exposed to radiation via a space defined by a distance between features of the pattern; and exposing the resist layer to radiation having a wavelength greater than the distance between features of the pattern defining the space, such that near-field radiation is generated which propagates into and exposes an area of the resist. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种光刻方法，其中用于产生近场辐射的掩模不需要与抗蚀剂涂覆的基板准确地间隔开或与抗蚀剂接触。解决方案：在抗蚀剂层上设置有抗蚀剂层和另外的层的基板的光刻方法包括：在另一层中提供图案，使得抗蚀剂层可以通过由距离限定的空间暴露于辐射在模式的特征之间; 以及将抗蚀剂层暴露于具有大于限定空间的图案的特征之间的距离的波长的辐射，使得产生传播进入并暴露抗蚀剂的区域的近场辐射。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

104. 发明专利

JPWO2007037553A1 金属配線付き基板の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2007037553A1
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：JP2007537783
申请日：2006-09-29
申请人：日本ゼオン株式会社
发明人：知彦牛島 , 知彦牛島 , 竹生藤野 , 竹生藤野
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： H05K3/048 , G03F7/0007 , G03F7/405 , H05K2203/0594
摘要： (a)基板上に、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物及び(C)溶剤を含むポジ型感光性樹脂組成物を塗布し、塗膜を形成する工程、(b)前記塗膜を減圧乾燥して感光層を形成する工程、(c)前記感光層をパターン露光したのち、現像して逆テーパー状のレジストパターンを形成する工程、(d)前記(c)工程により得られた逆テーパー状のレジストパターンを有する基板に対して金属を蒸着する工程、及び(e)リフトオフ操作により、前記(d)工程で金属蒸着した基板から逆テーパー状のレジストパターンとその上の金属蒸着膜とを共に除去する工程を有する、金属配線付き基板の製造方法。汎用のポジ型フォトレジストにより得られる逆テーパー状のレジストパターンを設けた基板を利用し、前記基板を安価に生産性よく製造できる。

105. 发明专利

JP2009016815A Formation method of fine pattern 有权
标题翻译：精细图案的形成方法
公开(公告)号：JP2009016815A
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：JP2008149272
申请日：2008-06-06
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NAKAJIMA SHIGERU , HASEBE KAZUHIDE , CHOU PAO-HWA , IWASHITA MITSUAKI , SHINNO REIJI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0035 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a formation method of a fine pattern capable of further improving CD uniformity of a fine pattern having a pitch smaller than a resolution limit.
SOLUTION: In this formation method, a source gas containing organic silicon, and activated oxygen species are alternately supplied on first resist patterns 103' and a thin film 102 to form a silicon oxide film 104 different from the thin film 102 and the first resist patterns 103'; a second resist film is formed on the silicon oxide film 104; the second resist film is processed into second resist patterns 105 having a predetermined pitch; and the thin film 102 is processed by using the first and second resist patterns 103' and 105' as a mask.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够进一步提高具有小于分辨率极限的间距的精细图案的CD均匀性的精细图案的形成方法。解决方案：在该形成方法中，在第一抗蚀剂图案103'和薄膜102上交替地供给含有有机硅和活性氧的源气体，以形成不同于薄膜102的氧化硅膜104和第一抗蚀剂图案103'; 在氧化硅膜104上形成第二抗蚀剂膜; 将第二抗蚀剂膜加工成具有预定间距的第二抗蚀剂图案105; 并且通过使用第一和第二抗蚀剂图案103'和105'作为掩模来处理薄膜102。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

106. 发明专利

JP4143023B2 Method of manufacturing a pattern forming method and a semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4143023B2
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：JP2003393038
申请日：2003-11-21
申请人：株式会社東芝
发明人：信一伊藤 , 謙治千葉 , 英志塩原 , 知之竹石 , 丈博近藤
IPC分类号： G03F7/40 , H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/00
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/405

108. 发明专利

JP2008511031A The process for producing a lithographic printing plate 审中-公开
公开(公告)号：JP2008511031A
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：JP2007528747
申请日：2005-08-25
申请人：コダックグラフィックコミュニケーションズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
发明人：エブハルト，タンヤ , シュトレーメル，ベルント , バウマン，ハラルト , フィーバク，ウルリッヒ
IPC分类号： G03F7/40 , C08G77/22 , G03F7/00
CPC分类号： B41C1/10 , B41C1/1008 , B41C1/1016 , B41C1/1058 , B41C1/1066 , B41C1/1091 , B41C2201/02 , B41C2201/14 , B41C2210/02 , B41C2210/04 , B41C2210/06 , B41C2210/22 , B41C2210/24 , B41N3/08 , G03F7/405
摘要： (a)平版用基板上に画像領域と非画像領域とを含む平版印刷版を、以下に規定する一般式（Ｉ）の少なくとも１種のホスホノ置換型シロキサンを含む溶液と接触させ、そして(b)乾燥させることを含んで成る画像形成された平版印刷版の後処理方法。

109. 发明专利

JP2008505497A Way of the two-layer resist plasma etching 审中-公开
公开(公告)号：JP2008505497A
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：JP2007519342
申请日：2005-06-27
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：グエン・ウェンディ , リー・クリス
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/027 , H01L21/3213
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/094 , H01L21/28123 , H01L21/3065 , H01L21/31138 , H01L21/32137 , H01L21/32139
摘要：【課題】
【解決手段】プラズマエッチング室内において、基板の上に形成された二層レジストをエッチングするための方法が提供される。該方法は、二層レジストの第１の層の上にパターンを形成された基板をエッチング室に導入する工程から開始される。次いで、ＳｉＣｌ
4 ガスがエッチング室に流し込まれる。次に、ＳｉＣｌ
4 ガスを流し入れつつエッチング室内においてプラズマを発生させる。次いで、二層レジストがエッチングされる。
【選択図】図１５

110. 发明专利

JP2005535910A Photomask manufacturing method for patterning the semiconductor substrate by photolithography 审中-公开
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2005535910A
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：JP2004509512
申请日：2003-04-30
申请人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
发明人：オリバーキルヒェ， , ミヒャエルゼバルト，
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/68 , G03F1/70 , G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , G03F1/08
CPC分类号： G03F7/405 , G03F1/78 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , G03F7/0758
摘要： The invention relates to a process for the production of photomasks for structuring semiconductors. A resist that contains a polymer having silicon-containing groups is used. During the structuring in an oxygen-containing plasma, the silicon atoms are converted into silica which protects absorber parts arranged under the silica from removal by the plasma.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造用于构造半导体的光掩模的方法。使用含有含硅基团的聚合物的抗蚀剂。在含氧等离子体中的结构化过程中，将硅原子转化成二氧化硅，其保护排列在二氧化硅之下的吸收体不被等离子体除去。

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