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91. 发明专利

JP2009051701A Apparatus and method for producing silicon carbide single crystal 有权
标题翻译：用于生产碳化硅单晶的装置和方法
公开(公告)号：JP2009051701A
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：JP2007221128
申请日：2007-08-28
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： KONDO HIROYUKI , ONDA SHOICHI , MATSUI MASAKI
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a long high-quality SiC single crystal.
SOLUTION: A graphite crucible 1 is arranged such that a central axis R2 of the graphite crucible 1 is shifted by a certain distance L relative to a central axis R1 of a rotating device 5 or a heating device 6, and a region 4b in which screw dislocation can occur in a SiC single crystal substrate 3 is in agreement with the central axis R1 of the rotating device 5 and the heating device 6. Thereby, when growing up a SiC single crystal 4 on the SiC single crystal substrate 3, it is possible to prevent that the region 4b in which screw dislocation can occur in the SiC single crystal 4 have a higher temperature than the region surrounding the above region. Thus, the growth of a long SiC single crystal 4 becomes possible, and it also becomes possible to obtain many high-quality crystals having a large diameter.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：获得长质量的SiC单晶。解决方案：石墨坩埚1被布置成使得石墨坩埚1的中心轴线R2相对于旋转装置5或加热装置6的中心轴线R1偏移一定距离L，并且区域4b 其中在SiC单晶衬底3中发生螺旋位错与旋转装置5和加热装置6的中心轴R1一致。因此，当在SiC单晶衬底3上生长SiC单晶4时，可以防止在SiC单晶4中发生螺旋位错的区域4b的温度比围绕上述区域的区域高。因此，长的SiC单晶4的生长成为可能，并且也可以获得许多具有大直径的高品质晶体。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

92. 发明专利

JP2009018957A Method and apparatus for producing silicon carbide monocrystal 有权
标题翻译：用于生产碳化硅单晶的方法和装置
公开(公告)号：JP2009018957A
公开(公告)日：2009-01-29
申请号：JP2007181964
申请日：2007-07-11
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： YAMADA MASANORI , URAGAMI YASUSHI
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and a method, in an embedded growth process, capable of preventing the loss of the uniformity of the temperature in the growth space region by thermal radiation, to thereby prevent a crack of silicon carbide monocrystal.
SOLUTION: In a cylinder covering member 23c arranged in the hollow section of a cylinder 23b, the shape of inner wall surfaces 23e vertical to the central axis of a crucible is polygonal. Thereby, the thermal energy emitted from the inner wall surfaces 23e of the cylinder covering member 23c in the diameter direction of the crucible is reflected at the angle of reflection according to the angle of incidence entering each side of the polygonal, respectively.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在嵌入式生长工艺中能够通过热辐射防止生长空间区域中的温度均匀性丧失的装置和方法，从而防止碳化硅裂纹单晶体。解决方案：在布置在圆筒23b的中空部分中的圆筒覆盖部件23c中，与坩埚的中心轴垂直的内壁面23e的形状为多边形。因此，从坩埚的直径方向的气缸盖部件23c的内壁面23e发射的热能分别根据入射到多边形的每一侧的入射角以反射角反射。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

93. 发明专利

JP4178231B2 SiC epitaxial thin film produced in multi-form control of the method and the method of the SiC epitaxial thin film 有权
公开(公告)号：JP4178231B2
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：JP2003044966
申请日：2003-02-21
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：毅楠森 , 八三武藤
IPC分类号： C30B29/36 , C23C14/06 , C23C14/28 , C30B23/06 , H01L21/203

94. 发明专利

JP2008538542A Method and system for forming a spatial SiC crystal having a uniform doping impurities 有权
公开(公告)号：JP2008538542A
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：JP2008507787
申请日：2006-04-18
申请人：トゥー‐シックス・インコーポレイテッド
发明人：グプタ，アビナッシュ，ケー． , セメナス，エドワード , ソウジス，アンドリュー，イー． , ツビーバック，イルヤ , バレット，ドノバン，エル．
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
CPC分类号： C30B29/36 , C30B23/00 , Y10T117/10 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/108
摘要：物理的蒸気輸送方法及びそのシステムにおいて、源物質と種結晶とが空間的に関係して入れられた成長チャンバーが備えられている。カプセルの内部と外部との間に伸びた少なくとも１つの毛細管を有する少なくとも１つのカプセルもまた備えられているが、そこでは、カプセルの内部にはドーパントが入れられている。各カプセルは前記成長チャンバーに組み込まれている。各カプセルの組み込みに続いて前記成長チャンバーで行われる成長反応を経て、結晶は、前記源物質を用いて前記種結晶の上で形成されるが、そこでは、該形成された結晶は前記ドーパントがドーピングされる。
【選択図】図３ａ

95. 发明专利

JP2008261052A Unibody crucible and effusion source employing the same 有权
标题翻译：使用它的UNIBODY可及性和效用来源
公开(公告)号：JP2008261052A
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：JP2008125091
申请日：2008-05-12
申请人： Veeco Compound Semiconductor Inc , ビーココンパウンドセミコンダクターインコーポレイテッド
发明人： COLOMBO PAUL E , DONADIO ROBERT F
IPC分类号： C23C14/24 , C30B23/08 , C04B35/583 , C23C16/01 , C23C16/34 , C30B23/06 , F27B14/10 , F27D1/16 , H01L21/203
CPC分类号： C23C16/01 , C04B35/583 , C23C14/243 , C23C16/342 , C30B23/066 , F27B14/10 , F27B2014/102 , F27D1/1636 , Y10T428/131
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a crucible which maximizes capacity, uniformity, and long term flux stability, and minimizes oval defects, depletion effects, and short term shutter-related flux transients. SOLUTION: The unibody, monolithic, negative draft crucible 40 for an MBE effusion source, formed of PBN via chemical vapor deposition is a cracking effusion cell and forms a neck section having a negative draft angle extending from a base section 41 and terminating at a neck orifice, and a cracking section extending from the neck orifice and terminating at a cracking orifice. The base section 41 has a first circumferential dimension and the neck orifice has a second circumferential dimension, with the second circumferential dimension being smaller than the first circumferential dimension. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供使容量，均匀性和长期通量稳定性最大化的坩埚，并且最小化椭圆缺陷，耗尽效应和短期快门相关的通量瞬变。解决方案：通过化学气相沉积由PBN形成的用于MBE渗流源的单体，整体式，负极牵伸坩埚40是裂解渗出池，并形成具有从基部41延伸的负牵伸角的颈部，并终止在颈部孔口处，以及从颈部孔口延伸并在破裂孔口终止的裂开部分。基部41具有第一周向尺寸，并且颈部孔具有第二周向尺寸，第二圆周尺寸小于第一周向尺寸。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

96. 发明专利

JP2008169111A Method for producing silicon carbide single crystal 有权
标题翻译：生产碳化硅单晶的方法
公开(公告)号：JP2008169111A
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：JP2008015928
申请日：2008-01-28
申请人： Showa Denko Kk , 昭和電工株式会社
发明人： YAMAMOTO ISAMU , KOMAKI KUNIO , YANO KOTARO , KOYANAGI NAOKI , NISHINO SHIGEHIRO
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a silicon carbide single crystal which is reduced in the content of inclusions, impurity elements and crystal defects, by using a sublimation-recrystallization method of silicon carbide.
SOLUTION: The method for producing the silicon carbide single crystal 5 on a silicon carbide substrate 2 uses a graphite crucible 1 having an inner surface covered with tantalum carbide as a crucible 1 for storing a raw material 3 for silicon carbide in order to eliminate the deviation and a variation factor of a sublimed composition of the raw material 3, and the influence on the single crystal 5 caused by the factors. On inner surface of the graphite crucible 1 having the inner surface covered with tantalum carbide, tantalum is deposited in layers utilizing an electron beam heating vapor depositing method, and then a carbide inner surface layer is formed by a carbonization method.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过使用碳化硅的升华 - 再结晶法来降低夹杂物含量，杂质元素和晶体缺陷的碳化硅单晶的制造方法。解决方案：在碳化硅基板2上制造碳化硅单晶5的方法使用具有覆盖有碳化钽的内表面的石墨坩埚1作为用于储存碳化硅原料3的坩埚1，以便消除原料3的升华组合物的偏差和变化因子，以及因素对单晶5的影响。在内表面被碳化钽覆盖的石墨坩埚1的内表面上，利用电子束加热气相沉积法层叠钽，然后通过碳化法形成碳化物内表面层。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

97. 发明专利

JP2008522943A Method for producing the large size of the silicon carbide crystal with high quality 有权
公开(公告)号：JP2008522943A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：JP2007545556
申请日：2005-12-07
申请人：クリーインコーポレイテッドCree Inc.
发明人：ツヴェトコフ，ヴァレリ・エフ , パウエル，エイドリアン , ブレイディ，マーク , レオナード，ロバート・タイラー
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
CPC分类号： C30B29/36 , C30B23/00
摘要：本発明は、種付け昇華システムにおいて炭化ケイ素の高品質のバルク単結晶を製造する方法の改良である。第一の態様において、この改良は、結晶成長の最初の１ミリメートルにおいて高濃度の窒素原子を添加することによって、成長しつつある結晶におけるマクロステップの数を減少させることを含む。
【選択図】図２

98. 发明专利

JP4087715B2 Cesium supply device and methods of use thereof 有权
公开(公告)号：JP4087715B2
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：JP2002590432
申请日：2002-05-07
申请人：サエスゲッタースソチエタペルアツィオニ
发明人：ボッフィトクラウディオ , トイアルカ , カッタネオロレナ
IPC分类号： C23C14/24 , H05B33/10 , B01J4/00 , B01J7/00 , C23C14/06 , C30B23/06 , H01J9/12 , H01J27/26 , H01J37/08 , H01L51/40 , H01L51/50 , H05B33/22
CPC分类号： H01J9/12 , C23C14/06 , C23C14/243 , C30B23/06 , H01L51/002 , H01L51/5012 , H05B33/10 , H05B33/22

99. 发明专利

JP2008019166A Method of fixing seed crystal and method of manufacturing single crystal using the same 审中-公开
标题翻译：固定晶种的方法及使用其制造单晶的方法
公开(公告)号：JP2008019166A
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：JP2007215726
申请日：2007-08-22
申请人： Matsushita Electric Ind Co Ltd , 松下電器産業株式会社
发明人： NORIKANE TETSUYA , HOSHIKAWA KOSUKE
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of fixing a seed crystal used for growing a silicon carbide single crystal in which development of microscopic defects extending in a grown single crystal are inhibited, and to provide a method of manufacturing the single crystal using the same.
SOLUTION: The method of fixing the seed crystal used for growing the silicon carbide single crystal from the seed crystal 3 fixed to a graphite base 1 comprises: forming a laminated product 25 obtained by placing a metal material 2 composed of titanium on the graphite base 1, disposing the seed crystal 3 on the metal material 2, and further placing a pressing member 4 for imposing a load on the seed crystal 3 thereon; then heat-treating the layered product 25 within the temperature range of 1,700-2,000°C to fix the graphite base 1, the metal material 2, and the seed crystal 3 to each other to form one body; cooling the layered product 25; and removing the pressing member 4 from the layered product 25.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种固定用于生长在生长的单晶中延伸的微观缺陷的显影的碳化硅单晶的晶种的方法，并且提供制造单晶的方法使用相同解决方案：将固定在石墨基体1上的晶种3固定用于生长碳化硅单晶的晶种的方法包括：将形成钛的金属材料2 石墨基底1，将晶种3设置在金属材料2上，并且在其上进一步放置用于施加负载的加压构件4; 然后在1700〜2000℃的温度范围内对层叠体25进行热处理，将石墨基体1，金属材料2和晶种3彼此固定，形成一体; 冷却层叠体25; 并从层叠体25中取出按压部件4.（C）2008，JPO＆INPIT

100. 发明专利

JP2007145651A Hexagonal single crystal nanotube and method for producing the same 有权
标题翻译：六角单晶纳米管及其制造方法
公开(公告)号：JP2007145651A
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：JP2005342993
申请日：2005-11-29
申请人： National Institute For Materials Science , 独立行政法人物質・材料研究機構
发明人： BANDO YOSHIO , JINTSUI FUU
IPC分类号： C30B29/66 , B01J23/14 , B01J27/057 , B01J35/02 , B01J37/04 , B01J37/08 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01G11/00 , C01G11/02 , C30B23/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide nanotubes comprising a hexagonal single crystal capable of being utilized for optical elements, electronics, optoelectronics, photocatalysts or the like; and a method for producing the same.
SOLUTION: Cadmium sulfide nanotubes comprising a hexagonal single crystal are formed by charging a mixture of cadmium sulfide powder, tin monoxide powder, tin dioxide powder and activated carbon powder into a graphite crucible and heating the mixture at 1,100-1,200°C for 3-5 h in a stream of an inert gas such as nitrogen gas. It is possible to fill a portion of inside the nanotube with tin. Further, it is possible to form cadmium selenide nanotubes comprising a hexagonal single crystal by using cadmium selenide powder in place of the cadmium sulfide powder.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供包含能够用于光学元件，电子学，光电子学，光催化剂等的六边形单晶的纳米管; 及其制造方法。解决方案：通过将硫化镉粉末，一氧化碳粉末，二氧化锡粉末和活性炭粉末的混合物加入到石墨坩埚中并将混合物在1100-1200℃下加热来形成包含六方晶单晶的硫化镉纳米管，在惰性气体如氮气流中3-5小时。可以用锡填充纳米管内部的一部分。此外，可以通过使用硒化镉粉末代替硫化镉粉末来形成包含六方晶单晶的硒化镉纳米管。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

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