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    • 95. 发明专利
    • 信号処理装置、超音波診断装置及び信号処理方法
    • 信号处理器,超声诊断装置及信号处理方法
    • JP2015211733A
    • 2015-11-26
    • JP2014094935
    • 2014-05-02
    • コニカミノルタ株式会社
    • 武田 義浩
    • A61B8/08
    • G01N29/07A61B8/485G01S15/00G01S15/8915G01S15/899G01S7/52042A61B8/4405A61B8/5246G01N2291/012G01N2291/02827G01N2291/0289G01N2291/044
    • 【課題】容易な処理で歪みの算出誤差を低減することが可能な信号処理装置、超音波診断装置及び信号処理方法を提供する。 【解決手段】第1加圧状態の被検体により反射された超音波の第1信号波形と、第2加圧状態の被検体により反射された超音波の第2信号波形と、を用いて加圧状態の変化に係る被検体の歪みを算出する信号処理装置であって、第1信号波形と第2信号波形との間での各時間における位相差成分を抽出する位相差抽出手段と、各時間と、これら各時間における位相差成分との相関関係に応じて、第1信号波形と第2信号波形との間の角周波数の差分に係る歪み差及び初期位相差を算出する相関算出手段と、歪み差に基づいて歪みを算出する歪み算出手段と、を備える。 【選択図】図6
    • 要解决的问题:提供一种信号处理器,超声波诊断装置和信号处理方法,其可以通过容易处理来减少失真的计算误差。解决方案:一种用于计算与加压状态变化相关的受试者的畸变的信号处理器 通过使用在第一加压状态下由被检体反射的超声波的第一信号波形和由受检者在第二加压状态下反射的超声波的第二信号波形,包括:相位差提取单元,其提取相位差分量 在第一信号波形和第二信号波形之间的每一次; 相关计算装置,其根据每次时间和相位差分量之间的相关性计算与第一信号波形和第二信号波形之间的角频率差异相关的失真差和初始相位差; 以及基于失真差来计算失真的失真计算装置。
    • 97. 发明专利
    • 振動式トランスデューサおよびその製造方法
    • 振动式传感器及其制造方法
    • JP2015025684A
    • 2015-02-05
    • JP2013153874
    • 2013-07-24
    • 横河電機株式会社Yokogawa Electric Corp
    • YOSHIDA TAKASHIOKUDA SHUJIIWAI SHIGETO
    • G01L1/10H01L29/84
    • B81B3/0021B81B3/0002B81B7/02B81B2201/0271B81B2201/0285B81C1/00198B81C1/00293B81C2203/0145G01L1/14G01N29/12G01N2291/014G01N2291/02827H01L41/094H03H3/0072H03H9/2463
    • 【課題】振動子を第一層へ吸着させることなく形成して、高精度な応力の検出を可能にし、特性の揃った振動式トランスデューサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】シェル14には、第一ポリシリコン層26と第二ポリシリコン層27との対向領域において、第二ポリシリコン層27が振動子12に対向する部位E1と、第二ポリシリコン層27が第三ポリシリコン層28に接する部位E2とを連通させる空隙部31が形成されている。真空室21を形成した廃液を外部に排出する際に、少量の廃液が振動子12と第二ポリシリコン層27の突出部29の頂面29aとの間にあっても、空隙部31で生じる毛細管現象によって速やかにこの廃液が吸い上げられる。よって、廃液のメニスカス力によって振動子12が第一ポリシリコン層26に吸着されてしまうことを確実に防止することができる。真空室12の内部に堆積するポリシリコン層による特性のばらつきを防ぐ。【選択図】図3
    • 要解决的问题:为了提供一种在不将振动器粘附到第一层上的情况下形成的振动型换能器,可以高精度地检测应力,并且具有平衡的良好特性,以及制造振动型换能器的方法。 在外壳14中形成有间隙部分31,在第一多晶硅层26和第二多晶硅层27彼此面对的区域中,第二多晶硅层27面向振动器12的部分E1和部分E2, 第二多晶硅层27与第三多晶硅层28相接触。 即使当已经形成真空室21的废液被排放到外部时,在振动器12和第二多晶硅层27的保护部分29的顶面29a之间存在痕迹的废液,该废溶液 通过在间隙部31中产生的毛细管作用而迅速吸收。因此,可以可靠地防止振动器12被废溶液的弯月面力吸附到第一多晶硅层26。 防止了由于积聚在真空室21内的多晶硅层引起的特性变化。