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91. 发明专利

JP2014231071A レーザ光による基板切断装置审中-公开
标题翻译：使用激光束的基板切割装置
公开(公告)号：JP2014231071A
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：JP2013112765
申请日：2013-05-29
申请人：三星ダイヤモンド工業株式会社 , Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
发明人： FUKUHARA KENJI
IPC分类号： B23K26/382 , B23K26/064 , B23K26/082 , C04B41/91
CPC分类号： B23K26/06 , B23K26/082 , B23K26/38 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K2203/30 , B23K2203/50 , B23K2203/52
摘要：【課題】レーザ光の吸収率が高い厚板材料基板に対して、短時間で容易に孔あけ加工等を行うことができるようにする。【解決手段】この装置は、基板が載置されるワークテーブル2と、レーザ光出力部15と、回転手段と、集光手段と、走査手段と、を備えている。レーザ光出力部15は、基板に対して、吸収率が50%以上の波長を有するレーザ光を出力する。回転手段はレーザ光出力部から出射されたレーザ光を所定の回転半径で回転させる。集光手段は、回転手段からのレーザ光を、基板においてレーザ光の照射側の深さ位置に集光させる。走査手段は、集光されかつ回転するレーザ光を加工ラインに沿って走査するとともに、走査を繰り返し実行して基板を加工する。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：使得可以在短时间内对具有高激光束吸收速率的厚板材实现钻孔加工等。解决方案：一种装置包括其上装载有基板的工作台2，激光光束输出部15，旋转装置，冷凝装置和扫描装置。激光束输出部15将具有吸收率等于或大于50％的波长的激光束输出到基板。旋转装置以规定的旋转半径旋转从激光束输出部发出的激光束。冷凝装置将来自旋转装置的激光束聚集到基板处的激光束照射侧的深度位置。扫描装置通过使用聚光并旋转的激光束沿着处理线进行扫描，并执行扫描重复，以处理基板。

92. 发明专利

JP2014229702A レーザー加工装置审中-公开
标题翻译：激光加工设备
公开(公告)号：JP2014229702A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：JP2013107187
申请日：2013-05-21
申请人：株式会社ディスコ , Disco Abrasive Syst Ltd
发明人： TOGASHI KEN
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/18 , B23K26/38
CPC分类号： H01L21/67132 , B23K26/009 , B23K26/18 , B23K26/40 , B23K2203/50 , H01L21/67092 , H01L21/67115
摘要：【課題】レーザー加工が施された被加工物から表面保護部材を除去可能なレーザー加工装置を提供することである。【解決手段】表面に表面保護部材が配設されるとともに裏面に粘着テープが貼着され、該粘着テープの外周が環状フレームに貼着された被加工物の裏面に該粘着テープを介してレーザービームを照射して被加工物にレーザー加工を施すレーザー加工装置であって、被加工物の該表面保護部材側を保持して該粘着テープの裏面を露出させる保持手段と、該保持手段に保持された被加工物の裏面に該粘着テープを介してレーザービームを照射して、被加工物にレーザー加工を施すレーザービーム照射手段と、レーザー加工が施された被加工物から該表面保護部材を除去する表面保護部材除去手段と、を具備したことを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够从激光加工工件去除表面保护构件的激光加工装置。解决方案：提供一种激光加工装置，其通过胶带用激光束照射工件的后表面以执行对工件进行激光加工。在工件中，表面保护构件设置在前表面上，并且粘合带粘附在后表面上，并且粘合带的外周边粘附到环形框架上。激光加工装置包括：保持装置，其保持工件的表面保护构件侧以露出胶带的后表面; 激光束照射装置用激光束经由粘合带照射由保持装置保持的工件的后表面，对工件进行激光加工; 以及表面保护构件去除装置，从激光加工的工件移除表面保护构件。

93. 发明专利

JP2014531984A 周波数または圧力制御されるガス・パルスを実装したレーザによるレーザ切断のための装置および方法有权
标题翻译：安装有气体脉冲频率或压力控制装置和方法，用于通过激光的激光切割
公开(公告)号：JP2014531984A
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：JP2014535076
申请日：2012-10-11
申请人：コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ , コミッサリアアレネルジーアトミークエオゼネルジザルタナテイヴ
发明人：アルフィーユ，ジャン−パスカル
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/144
CPC分类号： B23K26/04 , B23K26/032 , B23K26/14 , B23K26/142 , B23K26/1437 , B23K26/16 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K2203/50
摘要：レーザの切断装置(4)のヘッド(9)が、吹き付け流量を切り刻むバレル・ディスペンサなどのデバイスによるガス供給を有し、このガス供給により、被切断プレート(19)からのレーザビーム(16、18)によって溶融された液体スラグのより良好な排出が実現する。切断の良好な品質をチェックするために、後方散乱光の測定(36)が行われ、切断が実際にプレート(19)を貫通する場合はその測定量は小さくなる。スラグ排出条件を最適にすることによって測定値を最小値に保つように、制御デバイス(39)によって吹き付けパルスの周波数または圧力が調節される。【選択図】図1
摘要翻译：激光切割装置（4）主管（9）具有由所述装置的气体供给诸如桶分配器斩波通过气体供给，从切割板的激光束（16，18喷射流量（19））更好的液态炉渣的排出通过实现熔化。要检查切割的质量好，反向散射光的测量（36）被执行，如果切割实际上穿过板（19）是测得的量是小的。通过优化炉渣排出条件，频率或由所述控制装置的喷雾脉冲的压力保持的最小测量值（39）被调整。点域1

95. 发明专利

JP2014531778A ローカルバックコンタクトを有する太陽電池の製造方法审中-公开
标题翻译：生产具有本地背接触的太阳能电池
公开(公告)号：JP2014531778A
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：JP2014533926
申请日：2012-10-05
申请人：アイエムイーシー , トタルマルケタンセルヴィス , トタルマルケタンセルヴィス , カソリックユニヴェルシテイトルーヴェン,ケー.ユー. ルーヴェンアールアンドディーKatholieke Universiteit Leuven, K.U. Leuven R&D , カソリックユニヴェルシテイトルーヴェン,ケー.ユー. ルーヴェンアールアンドディーKatholieke Universiteit Leuven, K.U. Leuven R&D
发明人：ジャフレンヌーペリーヌ , ジャフレンヌーペリーヌ , ダヨハン , ダヨハン , ウリュナドゥカストロアンジェル , ウリュナドゥカストロアンジェル
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , B23K26/361 , B23K26/362 , B23K26/40 , B23K2203/172 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/061 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本発明は、バックコンタクトとパッシベーション化されたエミッタとを有する太陽電池の製造方法に関する。この太陽電池は、p型シリコン層3に接触するALOxからなる第1誘電体層11と、この第1誘電体層11に付着された第2誘電体層13との少なくとも2層からなる誘電体スタック10を備えている。さらに、この製造方法は、誘電体スタック10に、好ましくはレーザーアブレーションにより、少なくとも1個の部分的な開口15を、少なくとも上記第1誘電体層の一部がその開口内に残るようにして形成する工程を含んでいる。【選択図】図1
摘要翻译：本发明涉及一种制造太阳能电池的方法和发射极的背接触和钝化。该太阳能电池包括与所述p型硅层3接触制成ALOX的第一电介质层11，电介质，包括安装到所述第一介电层11中的第二电介质层13的至少两层并且它包括一组10。此外，该制造方法中，在电介质堆10，优选通过激光烧蚀，和至少一个部分开口15，作为至少所述第一介质层的一部分保持在所形成的开口它包括的步骤。点域1

96. 发明专利

JP2014530771A 複数の砥粒を備えた回転工具の加工方法及び装置有权
标题翻译：处理方法和具有多个磨料颗粒的旋转工具的装置
公开(公告)号：JP2014530771A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2014536118
申请日：2011-10-19
申请人：ヴァルターマシーネンバウゲーエムベーハーWalter Maschinenbau GmbH , ヴァルターマシーネンバウゲーエムベーハーWalter Maschinenbau GmbH
发明人：プルスクリストフ , プルスクリストフ , ハインリッヒムースハート , ムースハートハインリッヒ , ヴェンケオリヴァ— , ヴェンケオリヴァ―
IPC分类号： B24B53/00 , B24B55/00
CPC分类号： B24B53/06 , B23K26/08 , B23K26/0823 , B23K26/40 , B23K2203/16 , B23K2203/50 , B24B49/12 , B24B53/00
摘要：【課題】材料を節約できる効率的な加工方法と、それを実施するための装置とを提供する。【解決手段】回転工具21は、回転軸Rを中心に駆動される。砥粒24は、領域を特定した又は領域を特定しない工具刃を形成する。これらの工具刃は、加工面23に統計的に分散するように配置することが好ましい。加工面23の実包絡面HFは、光学計測装置29により決定する。さらに、作業面23の微視的パラメータを表す少なくとも1つの別の目標変数GSを検出する。特定された各目標変数GSに対応する実変数GIと、実変数GIの値を決定する。実包絡面HFが、特定した目標包絡領域HRの外に位置する場合、又は実変数GIと、それに対応する目標変数GSとの間の偏差が受け入れられないほど大きい場合には、レーザ装置35により選択した第1砥粒及び/又は第2砥粒24a、24bを加工、及び/又は第2砥粒24a、24bを加工及び/又は除去する。この方法を回転工具21が全ての仕様を満足するまで繰り返し行う。【選択図】図1
摘要翻译： A和有效的处理方法节省材料，用于实现它的装置。的旋转工具21被驱动围绕旋转R的轴线它磨料磨具24所形成工具刀不识别的标识或范围区域。这些工具刀片优选地被布置为使得统计分布的经处理的表面23上。加工表面23的实际的包络面HF由光学测量装置29来确定。此外，以检测至少一个另外的目标变量GS表示的工作表面23的微观参数。对应于指定的每个目标变量GS一个真正的可变GI，决定实际变量GI的值。实际信封HF是，位于指定的目标区域的信封HR，或实数变量GI以外时，在情况下，相应大不可接受目标变量GS之间的偏差，激光装置35 第一磨料和/或第二磨粒24A被选定，24B的处理和/或第二磨粒24A，24B，处理和/或移除。重复这个过程，直到旋转工具21个，均满足规范。点域1

98. 发明专利

JP5620669B2 レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置有权
标题翻译：激光切割方法和激光切割装置
公开(公告)号：JP5620669B2
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：JP2009245573
申请日：2009-10-26
申请人：東芝機械株式会社
发明人：林　誠 , 誠林
IPC分类号： B23K26/382 , H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/08 , B23K26/082 , B23K26/40 , B28D5/00 , H01S3/10
CPC分类号： B23K26/36 , B23K26/0861 , B23K26/40 , B23K2203/50

100. 发明专利

JP2014526146A Wafer dicing using a hybrid split beam laser scribing process with a plasma etching 审中-公开
公开(公告)号：JP2014526146A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：JP2014520222
申请日：2012-07-05
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：ウェイシェンリ , ブラッドイートン , マドハバラオヤラマンチリ , サラブジートシン , アジャイクマー , アパルナアイヤー
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/067 , B23K26/351 , H01L21/302 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , B23K26/00 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/0624 , B23K26/0661 , B23K26/0676 , B23K26/083 , B23K26/0869 , B23K26/361 , B23K26/40 , B23K37/047 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , H01L21/67207 , H01L21/78
摘要：各ウェハが複数の集積回路を有する半導体ウェハをダイシングする方法が記載される。本方法は、半導体ウェハの上方にマスクを形成する工程を含む。マスクは、集積回路を覆い、保護する層から成る。マスクは、分割ビームレーザスクライビングプロセスによってパターニングされ、これによってギャップを有するパターニングされたマスクを提供する。パターニングは、集積回路間の半導体ウェハの領域を露出させる。その後、半導体ウェハは、パターニングされたマスク内のギャップを貫通してエッチングされ、これによって集積回路を個片化する。

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