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    • 91. 发明专利
    • Waste gas treatment apparatus
    • 废气处理设备
    • JP2007196160A
    • 2007-08-09
    • JP2006019332
    • 2006-01-27
    • Taiyo Nippon Sanso Corp大陽日酸株式会社
    • SUZUKI KATSUMASAYAMAWAKI MASAYASATO TAKAYUKI
    • B01D53/70B01D53/34B01D53/46
    • B01D53/46B01D53/323B01D53/346B01D2258/0216B01D2259/818
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a waste gas treatment apparatus capable of completely removing a compound to be removed such as a halogen containing compound contained in a waste gas regardless of changes of the concentration and the species of a compound to be removed in the waste gas upon removing a compound to be removed such as a halogen containing compound in a waste gas discharged from a gas using apparatus such as a semiconductor production apparatus by virtue of a treatment such as a plasma treatment. SOLUTION: The waste gas treatment apparatus is equipped with an arithmetic processing section 35 that is input with the species, flow rate, and supply time of a gas supplied from a gas supply apparatus 2 to a gas using apparatus 1 and calculates the species, flow rate, and adding time of an addition gas to be added to the waste gas, and the electric power to be applied in the plasma treatment from the input parameters; an addition gas supply section 33 for controlling the species, flow rate, and adding time of the addition gas and adding the addition gas to the waste gas from the command signals of the arithmetic processing section 35; and a power source section 343 for controlling and applying electric power to be applied from the command signals of the arithmetic processing section 35. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
    • 待解决的问题:提供一种能够完全除去待除去的化合物的废气处理装置,而不考虑待除去化合物的浓度和种类的变化,废气中所含的含卤素化合物如何。 在通过诸如等离子体处理的处理从诸如半导体制造装置的装置排出的气体排出的废气中除去诸如含卤化合物的待除去化合物之后的废气中。 解决方案:废气处理装置配备有运算处理部35,其输入从气体供给装置2向气体使用装置1供给的气体的种类,流量和供给时间,并计算 物质,流量和添加到废气中的添加时间,以及根据输入参数在等离子体处理中施加的电力; 用于控制添加气体的种类,流量和添加时间并从运算处理部35的命令信号向废气中添加添加气体的附加气体供给部33; 以及用于根据算术处理部分35的命令信号控制和施加要施加电力的电源部分343.权利要求(C)2007,JPO&INPIT
    • 100. 发明专利
    • ガス処理装置
    • 气体处理设备
    • JP2015182004A
    • 2015-10-22
    • JP2014060064
    • 2014-03-24
    • 株式会社東芝
    • 宇井 明生佐藤 陽介秋田 征人真田 恭
    • A61L9/22H05H1/24B01D53/32
    • A61L9/16A61L9/22B01D53/323B01D53/8631B01D53/869A61L2209/212B01D2251/104B01D2255/802B01D2257/406B01D2257/702B01D2257/708B01D2257/90
    • 【課題】効率的なガスの処理を可能とするガス処理装置を提供する。 【解決手段】実施形態のガス処理装置は,互いに対向する第1、第2の誘電体基板と、前記第1、第2の誘電体基板の対向する一対の主面上それぞれに配置される第1、第2の放電電極と、前記第1、第2の誘電体基板の前記一対の主面と反対側の一対の主面上それぞれに配置される第1、第2の接地電極と、前記第1、第2の放電電極間に被処理ガスを供給するガス流路と、前記第1、第2の放電電極と前記第1、第2の接地電極との間それぞれに交流電圧を印加することで、前記被処理ガスを放電させ、第1、第2のプラズマ誘起流を生成する交流電源と、前記第1、第2の放電電極の下流の前記第1、第2の誘電体基板間に配置され、前記第1、第2の誘電体基板の間隔が、前記第1、第2のプラズマ誘起流の厚さの合計の1.3倍以下である領域と、を備える。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种能够有效地处理气体的气体处理装置。解决方案:根据实施方式的气体处理装置包括:彼此面对的第一和第二电介质基板; 第一和第二放电电极分别设置在彼此面对的一对主表面上;第一和第二电介质基板; 第一和第二接地电极分别设置在与具有第一和第二电介质基板的一对主表面相对的一对主表面上; 用于将待处理气体供给到第一和第二放电电极之间的部分的气体流路; 用于分别在第一和第二放电电极与第一和第二接地电极之间施加交流电压的交流电源,从而产生被处理气体的放电,并产生第一和第二等离子体感应流; 以及设置在所述第一和第二电介质基板之间以及所述第一和第二放电电极的下游的区域,其中所述第一和第二电介质基板之间的间隔是所述第一和第二等离子体诱导的总和的总和的1.3倍或更短 流动。