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1. 发明专利

JP4782217B2 Low-noise voltage controlled oscillator circuit 有权
公开(公告)号：JP4782217B2
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：JP2009137114
申请日：2009-06-08
申请人：日本電波工業株式会社
发明人：博之出村 , 康夫北山
IPC分类号： H03B5/12
CPC分类号： H03B5/1231 , H03B5/1203 , H03B5/1237

2. 发明专利

JP5922053B2 RF生成器の電力および周波数をバイモーダルで自動チューニングするためのシステムおよび方法有权
标题翻译：系统和方法，用于RF发生器的自动调谐双峰功率和频率
公开(公告)号：JP5922053B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2013060644
申请日：2013-03-22
申请人：エムケーエスインストルメンツインコーポレーテッド , MKS INSTRUMENTS,INCORPORATED
发明人：ラリー・ジェイ.・フィスク・ザ・セカンド , アミシュ・ラグフーナンドン
IPC分类号： H05H1/46 , H03F3/20 , H03F3/68 , H04B1/04
CPC分类号： H03B5/1237 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H03F3/20 , H03K3/55

3. 发明专利

JP2010283728A Low-noise voltage controlled oscillation circuit 有权
标题翻译：低噪声电压控制振荡电路
公开(公告)号：JP2010283728A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：JP2009137114
申请日：2009-06-08
申请人： Nippon Dempa Kogyo Co Ltd , 日本電波工業株式会社
发明人： KITAYAMA YASUO , DEMURA HIROYUKI
IPC分类号： H03B5/12
CPC分类号： H03B5/1231 , H03B5/1203 , H03B5/1237
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low-noise voltage controlled oscillation circuit capable of making characteristics of low-frequency noise excellent by canceling power supply noise.
SOLUTION: The present invention relates to a low-noise voltage controlled oscillation circuit where a capacitor C11 is provided between a base of a drive transistor Q1 and a GND, thereby canceling low-frequency noise inputted to the base and the drive transistor Q1 is made into transistor of low hFE, thereby canceling low-frequency noise inputted from a power source. A coil L3 is provided at an emitter side of an oscillation transistor Q2, thereby band-widening frequency characteristics to make frequency characteristics of phase noise excellent a resonant frequency in a resonance circuit comprised of a capacitor C7 and the coil L3 at the emitter side of the oscillation transistor Q2 is set to around the center of an oscillation frequency band of a VCO, thereby providing the oscillation frequency which is hardly affected by noise.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过消除电源噪声来优化低频噪声特性的低噪声压控振荡电路。解决方案：本发明涉及一种低噪声压控振荡电路，其中电容器C11设置在驱动晶体管Q1和GND的基极之间，从而抵消输入到基极的低频噪声和驱动晶体管 Q1被制成低hFE的晶体管，从而消除从电源输入的低频噪声。在振荡晶体管Q2的发射极侧设置有线圈L3，从而使频率特性变宽，使包含电容器C7和发射极侧的线圈L3的谐振电路的谐振频率的相位噪声的频率特性优异振荡晶体管Q2被设置在VCO的振荡频带的中心附近，从而提供几乎不受噪声影响的振荡频率。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2017512445A トランスコンダクタンス（ｇｍ）デジェネレーションを使用する低雑音および低電力電圧制御発振器（ＶＣＯ）审中-公开
公开(公告)号：JP2017512445A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016556866
申请日：2015-02-20
申请人：クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated , クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated
发明人：ヌグイェン、シン・キャット , ヤン、ジョンシク , ブロッケンブロー、ロジャー・トーマス , ビカッキ、アラ , サブラ、アヌプ , ワン、シェン
IPC分类号： H03B5/12 , H04B1/40
CPC分类号： H03B5/1212 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1237 , H03B5/1262 , H03B5/1278 , H03B5/1287 , H03B2200/0038 , H03B2200/0082 , H03B2200/009 , H04B1/40
摘要：本開示の幾つかの態様は、概して、従来の電圧制御発振器(VCO)と比較して低下されたまたは調整可能な負のトランスコンダクタンス(−gm)を使用するVCOに関する。この−gmデジェネレーション技法は、VCOのインダクタ−コンデンサ(LC)タンク内に注入される雑音を抑止し、それによって、所定のVCO電圧スイングに関するより低い信号対雑音比(SNR)、より低い電力消費量、および低減された位相雑音を提供する。1つのVCO例は、概して、共振タンク回路と、共振タンク回路と接続された能動負トランスコンダクタンス回路と、発振信号を生成するために共振タンク回路および能動負トランスコンダクタンス回路を通じてバイアス電流をソースまたはシンクするためのバイアス電流回路と、を含む。能動負トランスコンダクタンス回路は、クロス結合されたトランジスタと、クロス結合されたトランジスタと基準電圧との間に接続されたインピーダンスと、を含む。

5. 发明专利

JP2014103428A Composite negative feedback type frequency selection and output circuit and oscillation circuit using the same 审中-公开
标题翻译：复合负反馈型频率选择和输出电路和振荡电路
公开(公告)号：JP2014103428A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：JP2011047961
申请日：2011-03-04
申请人： Mark Devices Co Ltd , マークデバイシス株式会社
发明人： HIRAMA KOICHI
IPC分类号： H03F3/191 , H03B5/00 , H03F1/34 , H03H11/12
CPC分类号： H03H7/1766 , H03B5/1203 , H03B5/1209 , H03B5/1221 , H03B5/1237 , H03B5/1296 , H03B5/366 , H03H7/0153 , H03H2007/013 , H03H2007/0192
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite negative feedback type frequency selection and output circuit and an oscillation circuit therewith which produce an output signal having a high resonance sharpness Q value.SOLUTION: A composite negative feedback type frequency selection and output circuit 1 frequency-selectively relays only a remaining component other than a predetermined frequency band of either (inphase signal or antiphase signal) of feedback-processed signals resulting from negative feedback of a feedback signal to an input frequency signal and relays at least a real component of the other, and relays a differential (or sum) signal between the selectively relayed output and the relayed output of the real component, as the feedback signal.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种复合负反馈型频率选择和输出电路及其振荡电路，其产生具有高谐振锐度Q值的输出信号。解决方案：复合负反馈型频率选择和输出电路1频率 - 选择性地仅中继除了由反馈信号的负反馈到输入频率信号产生的反馈处理的信号的（同相信号或反相信号）的预定频带之外的剩余分量，并且至少中继至少另一个的实部分量，并且在有选择地中继的输出和实部的中继输出之间中继差分（或和）作为反馈信号。

6. 发明专利

JP2006100819A Mos transistor with deformable gate 有权
标题翻译：具有可变门的MOS晶体管
公开(公告)号：JP2006100819A
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：JP2005268454
申请日：2005-09-15
申请人： Commiss Energ Atom , Stmicroelectronics Sa , エステーミクロエレクトロニクスソシエテアノニム , コミツサリアタレネルジーアトミーク
发明人： ANCEY PASCAL , ABELE NICOLAS , CASSET FABRICE
IPC分类号： H01L29/84 , B81B3/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01P15/08 , H01L29/78
CPC分类号： G01P15/124 , B81B3/0035 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2203/0109 , G01L1/005 , G01L9/0098 , H03B5/12 , H03B5/1237 , H03B5/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a MOS transistor with a deformable gate that can more precisely detect the gate's behavior. SOLUTION: The MOS transistor with a deformable gate formed on a semiconductor substrate includes a source and a drain that are separated by a channel area extending in a first direction from the source to the drain and then in a second direction perpendicular to the first direction, and a beam of an electrically conductive gate provided at least at an upper part of the channel area extending in the second direction between bearing points formed on substrates on both sides of the channel area, wherein the surface of the channel area is depressed, and when the beam has a largest warp against the channel area, the surface of the channel area has the same shape as the gate's beam. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有可更精确地检测栅极行为的可变形栅极的MOS晶体管。解决方案：具有形成在半导体衬底上的可变形栅极的MOS晶体管包括源极和漏极，源极和漏极由沿着从源极到漏极的第一方向延伸的沟道区域分开，然后沿与第二方向垂直的第二方向第一方向和至少设置在通道区域的上部的导电栅极的梁，该通道区域在沟道区域的两侧形成在基板之间的支承点之间沿第二方向延伸，其中沟道区域的表面被压下并且当光束相对于通道区域具有最大的翘曲时，通道区域的表面具有与栅极的波束相同的形状。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

7. 发明专利

JP6014357B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6014357B2
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：JP2012101541
申请日：2012-04-26
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：前田敏 , 中村真弥
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822
CPC分类号： H03B5/1237 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H03K3/011 , H03K3/02 , H03K3/26 , H03L7/093

8. 发明专利

JP2013240042A System and method for automatically tuning power and frequency of rf generator in bimodal mode 有权
标题翻译：射频发生器在双模式下自动调谐功率和频率的系统与方法
公开(公告)号：JP2013240042A
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：JP2013060644
申请日：2013-03-22
申请人： Mks Instruments Inc , エムケーエスインストルメンツインコーポレーテッドMks Instruments,Incorporated
发明人： FISK II LARRY J , RUGHOONUNDON AMISH
IPC分类号： H04B1/04 , H03F3/20 , H03F3/68 , H05H1/46
CPC分类号： H03B5/1237 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H03F3/20 , H03K3/55
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radio frequency generator in which a plurality of RF power signals generated by a plurality of RF generators are accurately controlled to effectively execute plasma etching.SOLUTION: A radio frequency generator includes: power control modules 74 and 76 generating power signals indicating power levels for a plurality of target states of power amplifiers 42 and 44; frequency control modules 78 and 80 generating frequency signals indicating frequencies for the plurality of target states of the power amplifiers 42 and 44; and pulse generating modules 70 and 72 supplying an output signal to the power amplifiers 42 and 44, recalling at least one of the latest power level and the latest frequency for one of the plurality of target states of the power amplifiers 42 and 44, and on the basis of the power signals, the frequency signals and at least one of the latest power level and the latest frequency of the power amplifiers 42 and 44, adjusting a current power level and a current frequency of the output signal.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种射频发生器，其中由多个RF发生器产生的多个RF功率信号被精确地控制以有效地执行等离子体蚀刻。解决方案：射频发生器包括：功率控制模块74和76，产生指示功率放大器42和44的多个目标状态的功率电平的功率信号; 频率控制模块78和80产生指示功率放大器42和44的多个目标状态的频率的频率信号; 以及向功率放大器42和44提供输出信号的脉冲发生模块70和72，回收功率放大器42和44的多个目标状态中的一个的最新功率电平和最新频率中的至少一个，并且接通功率信号的基础，频率信号和功率放大器42和44的最新功率电平和最新频率中的至少一个，调整当前功率电平和输出信号的当前频率。

9. 发明专利

JP2013229509A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2013229509A
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：JP2012101541
申请日：2012-04-26
申请人： Renesas Electronics Corp , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： MAEDA SATOSHI , NAKAMURA MAYA
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H03B5/1237 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H03K3/011 , H03K3/02 , H03K3/26 , H03L7/093
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that when a trimming resistor for adjusting the characteristics of a function circuit is formed by multicrystal silicon resistors, the characteristics of the function circuit adjusted at a wafer stage varies after a mold package process.SOLUTION: A semiconductor device includes a function circuit having a resistor composed of a plurality of multicrystal silicon resistors. The characteristics of the function circuit can be adjusted by the trimming of the resistor, and the plurality of multicrystal silicon resistors are connected in series or in parallel and are disposed in an orientation perpendicular to one side of the semiconductor device.
摘要翻译：要解决的问题：为了解决通过多晶硅电阻器形成用于调整功能电路的特性的微调电阻器的问题，在晶片工艺阶段调整的功能电路的特性在模具封装处理之后变化。解决方案：A 半导体器件包括具有由多个多晶硅电阻器组成的电阻器的功能电路。功能电路的特性可以通过电阻器的调整来调节，并且多个多晶硅电阻器串联或并联连接，并且以与半导体器件的一侧垂直的方向设置。

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