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1. 发明专利

JP2014239327A 半導体装置の保護回路有权
标题翻译：保护半导体器件的电路
公开(公告)号：JP2014239327A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2013120711
申请日：2013-06-07
申请人：株式会社デンソー , Denso Corp
发明人： KOYAMA KAZUHIRO
IPC分类号： H03K17/08 , H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H02H7/003 , H01L27/0248 , H01L29/7408 , H01L29/7412 , H01L29/778 , H03K17/08122
摘要：【課題】保護素子のサイズ増大を抑制しつつ、アバランシェエネルギー耐量を得ることができる半導体装置の保護回路を提供する。【解決手段】保護素子としてHEMT1のドレイン−ゲート間にサイリスタ2および第1抵抗3を備えると共に、HEMT1のソース−ゲート間に第2抵抗4およびダイオード5を備える。これにより、HEMT1のターンオフ時にサイリスタ2がオンして保護素子側に電流が流れるようにでき、そのときに第1抵抗3および第2抵抗4で分圧されて形成されるゲート電圧VgによってHEMT1をオンさせるられる。よって、ターンオフ時に、サイリスタ2の耐圧をクランプ電圧として、HEMT1に対してクランプ電圧を超える電圧が印加されないようにしつつ、HEMT1をオンすることで誘導性負荷に蓄積されたエネルギーを消費することが可能となる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于保护产生雪崩能量容量的半导体器件的电路，同时抑制保护元件的尺寸增加。解决方案：作为保护元件，晶闸管2和第一电阻器3设置在漏极和漏极之间 HEMT 1的栅极和第二电阻器4和二极管5设置在HEMT 1的源极和栅极之间。当HEMT 1截止时，晶闸管2导通以允许电流流向保护元件和由第一电阻器3和第二电阻器4分压相应形成的栅极电压Vg可以使HEMT 1导通。在切断状态下，当晶闸管2的耐压为钳位电压时，防止超过钳位电压的电压被施加到HEMT 1上，可以调谐HEMT 1以消耗存储在感性负载。

2. 发明专利

JP2011507301A diode 审中-公开
公开(公告)号：JP2011507301A
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：JP2010538763
申请日：2008-12-19
申请人：アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー
发明人：コプタ、アルノスト , ニストール、イウリアン , ビクストレーム、トビアス
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/0661 , H01L29/36 , H01L29/7412
摘要： A diode (1) for fast switching applications comprises a first layer (2) of a first conductivity type with a first main side (21) and a second main side (22) opposite the first main side (21), a second layer (3) of a second conductivity type, which is arranged on the second main side (22), a plurality of first zones (4) of the first conductivity type with a higher doping concentration than the first layer (2) and a plurality of second zones (5) of the second conductivity type, both of which zones are arranged alternately on the first main side (21). A first metal layer (6) is arranged on top of the first and second zones (4, 5) on that side of the zones, which lies opposite the first layer (2), and a second metal layer (7) is arranged on top of the second layer (3) on that side of the second layer (3), which lies opposite the first layer (2). The first layer (2) comprises a first sublayer (23), which is formed by the first main sided part of the first layer (2), and a second sublayer (24), which is formed by the second main sided part of the first layer (2). A third layer (8) of the first conductivity type is arranged between the first and second sublayer (23, 24). This third layer (8) has a higher doping concentration than the first layer (2) and a lower doping concentration than the first zones (4).

3. 发明专利

JPWO2017099095A1 半導体装置および製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017099095A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2017555085
申请日：2016-12-06
申请人：富士電機株式会社
发明人：内藤達也
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739
CPC分类号： H01L27/04 , H01L29/0804 , H01L29/739 , H01L29/7397 , H01L29/7412 , H01L29/78
摘要：チャネル形成領域の確保と、ラッチアップ抑制を両立させる。半導体基板と、半導体基板のおもて面側に設けられ、それぞれが延伸方向に延伸する部分を有する複数のトレンチ部と、隣接する2つのトレンチ部の間に設けられ、延伸方向において交互に半導体基板のおもて面に露出する第1導電型のエミッタ領域および第2導電型のコンタクト領域とを備え、半導体基板のおもて面において、2つのトレンチ部の間の中央位置におけるエミッタ領域の長さは、トレンチ部に接する部分におけるエミッタ領域の長さよりも短く、半導体基板のおもて面において、エミッタ領域の境界の少なくとも一部が曲線形状である半導体装置を提供する。

4. 发明专利

JP2007317869A Semiconductor device, and its manufacturing method 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2007317869A
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：JP2006145601
申请日：2006-05-25
申请人： Sanyo Electric Co Ltd , 三洋電機株式会社
发明人： OTAKE SEIJI
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L27/04 , H01L27/06
CPC分类号： H01L29/8611 , H01L29/7412
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of protecting a resistor and a diode, etc., from an overvoltage, and to provide its manufacturing method.
SOLUTION: The n-type epitaxial layer 3 of the semiconductor device is divided into a plurality of element forming regions by isolation regions 4, 5. The resistor 1 is formed on one element forming region. Protective elements having pn junction regions 22, 23 are formed in the circumference of the resistor 1. A junction withstand voltage is lower in the pn junction regions 22, 23 than in the pn junction region 21 of the resistor 1. With the structure, the resistor 1 is protected by the breakdown of the pn junction regions 22, 23 when negative ESD surge is impressed on a pad for an electrode to apply the voltage to a p-type diffusion layer 9.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够从过电压保护电阻器和二极管等的半导体器件，并提供其制造方法。解决方案：半导体器件的n型外延层3通过隔离区4,5被分成多个元件形成区域。电阻器1形成在一个元件形成区域上。具有pn结区域22,23的保护元件形成在电阻器1的圆周中。在pn结区域22,23中，结电阻低于电阻器1的pn结区域21。结构上，电阻1受到pn结区域22,23的击穿的保护，当在用于电极的焊盘上施加负的ESD浪涌以将电压施加到p型扩散层9时。（C）2008年， JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2018502542A ダブルベースバイポーラジャンクショントランジスタの最適化された動作を有する回路、方法、及びシステム、並びに、可変電圧自己同期整流器回路、方法、及びシステム、並びに、ダブルベースコンタクト双方向バイポーラジャンクショントランジスタ回路による動作ポイント最適化、方法、及びシステム。审中-公开
公开(公告)号：JP2018502542A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017524461
申请日：2015-11-06
申请人：アイディールパワーインコーポレイテッド
发明人：アレクサンダーウィリアムシー.
IPC分类号： H02M1/08 , H01L21/331 , H01L29/732 , H03K17/66
CPC分类号： H03K17/66 , H01L27/0694 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/1095 , H01L29/7302 , H01L29/732 , H01L29/735 , H01L29/7412 , H01L29/7416 , H01L29/747 , H01L29/872 , H02M1/08 , H02M7/219 , H02M2007/2195 , H03K17/60 , H03K17/602 , H03K17/687 , H03K2217/0054
摘要：本出願は、特に、B−TRAN(ダブルベース双方向バイポーラジャンクショントランジスタ)を動作させるための方法及び回路を教示する。例示的なベース駆動回路は、コレクタとして瞬間的に動作する側部デバイス上のベースコンタクト領域に高インピーダンス駆動を提供する。(B−TRANは、印加電流ではなく、印加電圧によって制御される。)電流信号は、好ましい実施態様の駆動回路を操作して、ダイオードモードターンオン及びプリターンオフ動作並びに低電圧降下を有するハードオン状態(「トランジスタオン」状態)を提供する。幾つかの実施形態において、自己同期整流器回路は、ゲート駆動回路用の調整可能低電圧を提供する。幾つかの好ましい実施形態において、(コレクタ側の)cベース領域を駆動するために使用されるベース駆動電圧は、その端子でのベース電流がモニタされている間に変化するため、必要であるより大きなベース電流は印加されない。これは、B−TRANにおいてベース駆動を最適化するという難しい問題を解決する。

6. 发明专利

JP2014057064A Semiconductor device and method for making the same 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014057064A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：JP2013186876
申请日：2013-09-10
申请人： General Electric Co , ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： SOLOVIEV STANISLAV IVANOVICH , ELASSER AHMED , BOLOTNIKOV ALEXANDER VIKTOROVICH , VERT ALEXEY , LOSEE PETER ALMERN
IPC分类号： H01L29/74 , H01L31/107 , H01L31/111
CPC分类号： H01L27/0676 , H01L27/0817 , H01L27/1443 , H01L27/14609 , H01L29/66363 , H01L29/7412
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device.SOLUTION: The semiconductor device includes an avalanche photodiode unit and a thyristor unit. The avalanche photodiode unit is configured to receive incident light to generate a trigger current and comprises a wide band-gap semiconductor. The thyristor unit is configured to be activated by the trigger current to an electrically conductive state. The semiconductor device and a method for making the semiconductor device are also presented.
摘要翻译：要解决的问题：提供半导体器件。解决方案：半导体器件包括雪崩光电二极管单元和晶闸管单元。雪崩光电二极管单元被配置为接收入射光以产生触发电流并且包括宽带隙半导体。晶闸管单元被配置为被触发电流激活到导电状态。还提出了半导体器件和制造半导体器件的方法。

7. 发明专利

JPS5735373A Manufacture of planar type thyristor 失效
标题翻译：平面型THYRISTOR的制造
公开(公告)号：JPS5735373A
公开(公告)日：1982-02-25
申请号：JP11194780
申请日：1980-08-11
申请人： Mitsubishi Electric Corp
发明人： SADAMORI MASAAKI
IPC分类号： H01L21/324 , H01L29/74
CPC分类号： H01L29/7412 , H01L21/324 , H01L29/74
摘要： PURPOSE:To set the gate trigger current of a thyristor at a desired level by a method wherein thyristor surface charge density is regulated by heating in an atmosphere of oxygen. CONSTITUTION:An SiO2 film 6 is formed on an exposed surface along the junction border of a planar type thyristor silicon chip 1. The film is first heated in an oxygen current and then is let to gradually cool down and be sintered in a nitrogen current. It is again heated in an oxygen current, to be cooled in an nitrogen current again. A cooling speed is selected and a thyristor gate trigger current is set at a desired value.
摘要翻译：目的：通过其中晶闸管表面电荷密度通过在氧气气氛中加热来调节的方法，将晶闸管的栅极触发电流设置在所需的水平。构成：在平面型晶闸管硅芯片1的接合界面的暴露表面上形成SiO 2膜6.首先在氧气流中加热该膜，然后逐渐冷却并在氮气流中烧结。再次以氧气流加热，再次以氮气流冷却。选择冷却速度，将晶闸管门极触发电流设定为期望值。

9. 发明专利

JP2017112478A 静電気保護回路、半導体集積回路装置、及び、電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2017112478A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2015244928
申请日：2015-12-16
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：池田益英
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H03K17/16 , H03K19/003
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/0251 , H01L27/0635 , H01L29/7408 , H01L29/7412 , H01L29/742 , H02H9/046
摘要：【課題】特殊なプロセス工程を必要とすることなく、比較的任意にトリガー電圧を設定することが可能で、通常動作時のリーク電流が小さい静電気保護回路を提供する。【解決手段】この静電気保護回路は、第1の端子に第1のノードを介して接続されると共に、第2の端子に第2のノードを介して接続された静電気保護回路であって、(i)第1のノードと第2のノードとの間に直列に接続されたトランジスター、所定数のダイオード、及び、インピーダンス素子を含む直列回路であって、トランジスターのソースとバックゲートとの間に、少なくとも所定数のダイオードが接続された直列回路と、(ii)第1のノードが第2のノードよりも高電位になって直列回路に電流が流れるときに、インピーダンス素子の両端に発生する電位差の増大に従って第1のノードから第2のノードに電流を流す放電回路とを備える。【選択図】図3

10. 发明专利

JPS5972766A Thyristor 失效
标题翻译：晶闸管
公开(公告)号：JPS5972766A
公开(公告)日：1984-04-24
申请号：JP18286882
申请日：1982-10-20
申请人： Toshiba Corp
发明人： YAMAGUCHI YOSHIHIRO , OOHASHI HIROMICHI
IPC分类号： H01L23/62 , H01L29/06 , H01L29/74
CPC分类号： H01L29/0661 , H01L23/62 , H01L29/7412 , H01L29/7428 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2924/1301 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE:To obtain a thyristor with an overvoltage protecting function, which is turned OFF sefely when an overvoltage is applied, by exposing an N base layer at the outer peripheral part of the thyristor, and connecting a constant voltage element, which has a lower breakdown voltage than the breakdown voltage of the thyristor, between the layer and the gate electrode of a pilot thyristor, which is arranged on the surface of the layer. CONSTITUTION:When a voltage, which exceeds the breakdown voltage of a thyristor 100, is applied between the anode and the cathode of the thyristor 100, the voltage breakdown occurs in a constant voltage diode 9, since the breakdown voltage of the constant voltage diode 9 is set lower than the breakdown voltage of the thyristor 100. The breakdown current flows to a cathode electrode 6 from a gate electrode 11 of a pilot thyristor 120 through a P base layer 3. At this time, the breakdown current functions as the gate current of the pilot thyristor 120 and turns ON the pilot thyristor 120. The turn ON current of the pilot thyristor 120 functions as a gate current for the main thyristor, and turns ON the main thyristor. In this way, an overvoltage protecting function can be incorporated in the thyristor without imparing the characteristics such as an ON voltage.
摘要翻译：目的：获得具有过电压保护功能的晶闸管，当施加过电压时，通过在晶闸管的外周部露出N基极层，并连接具有较低击穿的恒压元件导电晶闸管的层与栅电极之间的晶闸管的击穿电压，该引导晶闸管布置在该层的表面上。构成：当超过晶闸管100的击穿电压的电压施加在晶闸管100的阳极和阴极之间时，在恒压二极管9中发生电压击穿，因为恒压二极管9的击穿电压被设定为低于晶闸管100的击穿电压。击穿电流通过P基极层3从先导晶闸管120的栅极11流向阴极电极6.此时，击穿电流用作栅极电流并且导通晶闸管120导通。导频晶闸管120的导通电流用作主晶闸管的栅极电流，并且导通主晶闸管。以这种方式，可以在晶闸管中并入过电压保护功能，而不会引起诸如导通电压的特性。

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