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1. 发明专利

JP2013053324A Sputtering target and method of manufacturing magnetic memory using the same 有权
标题翻译：溅射目标和使用其制造磁记忆的方法
公开(公告)号：JP2013053324A
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：JP2011190868
申请日：2011-09-01
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝 , Ube Material Industries Ltd , 宇部マテリアルズ株式会社
发明人： KITAGAWA EIJI , DAIBO TATATOMI , NOMA KENJI , KAI TADASHI , YAMAKAWA KOJI , NAGASE TOSHIHIKO , NISHIYAMA KATSUYA , UEDA KOJI , WATANABE DAISUKE , YODA HIROAKI , SANO SATOSHI , NISHIMURA YOSHIHIRO , WATANABE TAKAYUKI , KATO YUZO , UEKI AKIRA
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/053 , C23C14/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： C23C14/082 , C23C14/3414 , G11C11/161 , H01L27/228 , H01L43/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target that can improve an MR ratio of a magnet tunnel junction element, and to provide a method of manufacturing a magnetic memory using the same.SOLUTION: There are provided the sputtering target including a target body 10 that has MgO as a main component and a thickness of 3 mm or smaller, and also the method of manufacturing a magnetic memory using the sputtering target which can improve an MR ratio.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高磁体隧道结元件的MR比的溅射靶，并提供使用该溅射靶的磁性存储器的制造方法。解决方案：提供了包括具有MgO作为主要成分并且厚度为3mm以下的靶体10的溅射靶，以及使用能够改善MR的溅射靶的磁性存储器的制造方法比。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2013241684A MgO TARGET FOR SPUTTERING 审中-公开
标题翻译： MgO目标用于喷射
公开(公告)号：JP2013241684A
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：JP2013186588
申请日：2013-09-09
申请人： Ube Material Industries Ltd , 宇部マテリアルズ株式会社 , Nippon Tungsten Co Ltd , 日本タングステン株式会社
发明人： SANO SATOSHI , NISHIMURA YOSHIHIRO , WATANABE TAKAYUKI , KATO YUZO , UEKI AKIRA , AJITOMI SHINZO , TAKASU MASANOBU , HARA YUSUKE , TANAKA KEISHO
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/04
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/053 , C04B35/5607 , C04B35/5611 , C04B35/5626 , C04B35/58014 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3847 , C04B2235/3886 , C04B2235/5445 , C04B2235/761 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C23C14/081 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , G11B5/851 , H01J37/34 , H01J37/3426
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an MgO target for sputtering, which is capable of increasing a film deposition rate even in cases where MgO is used as a sputtering target when an MgO film is formed.SOLUTION: An MgO target for sputtering is mainly composed of MgO and a conductive substance. The conductive substance is capable of providing a formed MgO film with orientation when the conductive substance is deposited together with MgO by DC sputtering.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于溅射的MgO靶，即使在形成MgO膜时，即使在使用MgO作为溅射靶的情况下也能够提高成膜速度。解决方案：用于溅射的MgO靶主要组成的MgO和导电物质。当通过DC溅射将导电物质与MgO一起沉积时，导电物质能够提供具有取向的形成的MgO膜。

3. 发明专利

JP2013227619A Backing plate and sputtering target 有权
标题翻译：背板和飞溅目标
公开(公告)号：JP2013227619A
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：JP2012100231
申请日：2012-04-25
申请人： Nippon Tungsten Co Ltd , 日本タングステン株式会社 , Ube Material Industries Ltd , 宇部マテリアルズ株式会社
发明人： YASUKOCHI RIICHI , AJITOMI SHINZO , BABA TOSHIYUKI , TAKASU MASANOBU , SANO SATOSHI , NISHIMURA YOSHIHIRO , WATANABE TAKAYUKI , KATO YUZO
IPC分类号： C23C14/34
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a backing plate preventing plastic deformation and cracks of a sputtering target material as well as peeling off of the sputtering target material; and a sputtering target in which the backing plate is used.SOLUTION: A backing plate 1 to which a sputtering target material 2 is joined has a structure where a second material is filled in continuous open pores of a first material having a skeleton structure including the open pores. The first material has a modulus of longitudinal elasticity higher than the modulus of longitudinal elasticity of the second material. The second material has a thermal conductivity higher than the thermal conductivity of the first material.
摘要翻译：要解决的问题：提供：防止溅射靶材的塑性变形和裂纹以及溅射靶材的剥离的背板; 以及其中使用背板的溅射靶。解决方案：溅射靶材料2接合的背板1具有第二材料填充在具有骨架结构的第一材料的连续开孔中的结构，包括开孔。第一材料具有比第二材料的纵向弹性模量高的纵向弹性模量。第二材料的导热率高于第一材料的导热率。

4. 发明专利

JP2012218987A Chalcogen element-containing magnesium oxide powder, and method for producing the same 有权
标题翻译：包含氧化镁的粉末冶金元素及其制造方法
公开(公告)号：JP2012218987A
公开(公告)日：2012-11-12
申请号：JP2011087410
申请日：2011-04-11
申请人： Ube Material Industries Ltd , 宇部マテリアルズ株式会社
发明人： KATO YUZO , TAKASAKI KAORU , SAITA MASATO , ARIMA KENJI , UEKI TAKASHI
IPC分类号： C01F5/02 , H01J11/22 , H01J11/34
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a front plate which is useful for producing a plasma display panel of which the discharge starting voltage is low and the variation of the discharge starting voltage among respective products is small.SOLUTION: Chalcogen element-containing magnesium oxide powder 17 which contains a chalcogen element selected from a group composed of S, Se and Te in an amount in a range of 0.00015-0.0075 mole with respect to 1 mole of Mg, is scattered on the surface of a dielectric protective layer 16 of the front plate 10 of the plasma display panel.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于制造放电开始电压低并且各个产品之间的放电起始电压的变化小的等离子体显示面板的前板。解决方案：含有相对于1摩尔Mg在0.00015-0.0075摩尔范围内选自S，Se和Te组成的组的硫族元素元素的含硫族元素元素的氧化镁粉末17被散射在等离子体显示面板的前板10的介电保护层16的表面上。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2012185994A Front plate for plasma display panel 审中-公开
标题翻译：等离子显示面板的前板
公开(公告)号：JP2012185994A
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：JP2011047968
申请日：2011-03-04
申请人： Ube Material Industries Ltd , 宇部マテリアルズ株式会社
发明人： KATO YUZO , TAKASAKI KAORU , SAITA MASATO , ARIMA KENJI , UEKI TAKASHI
IPC分类号： H01J11/22 , H01J11/34
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a front plate for a PDP capable of reducing a discharge start voltage.SOLUTION: A front plate for a plasma display panel comprises: a dielectric layer covering a discharge electrode; and a dielectric protective layer formed on the dielectric layer. In the front plate for a plasma display panel, alkali earth metal oxide powder containing Mg and Ca and/or Sr at a molar ratio in a rage of 99.5:0.5-40:60 is scattered on the dielectric protective layer.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够降低放电开始电压的PDP的前板。解决方案：用于等离子体显示面板的前板包括：覆盖放电电极的电介质层; 以及形成在电介质层上的介电保护层。在等离子体显示面板的前板中，含有Mg和Ca和/或Sr的碱土金属氧化物粉末以99.5:0.5-40:60的摩尔比分散在电介质保护层上。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2010138067A Method for producing fluorine-containing magnesium oxide powder 有权
标题翻译：生产含氟氧化镁粉末的方法
公开(公告)号：JP2010138067A
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：JP2010013897
申请日：2010-01-26
申请人： Ube Material Industries Ltd , 宇部マテリアルズ株式会社
发明人： KATO YUZO , UEKI AKIRA
IPC分类号： C01F5/02 , C01F5/28 , C09K11/08 , C09K11/55
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnesium oxide powder that can emit UV rays with high efficiency when excited by UV rays produced by Xe gas discharge.
SOLUTION: A fluorine-containing magnesium oxide powder is provided, containing fluorine in the range of 0.01 to 10 mass% and having purity of magnesium oxide of ≥99.8 mass% (which is based on the total weight excluding fluorine) and a BET specific surface area of 0.1 to 30 m
2 /g.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供当由Xe气体放电产生的紫外线激发时可以高效地发射紫外线的氧化镁粉末。解决方案：提供一种含氟氧化镁粉末，其含有0.01〜10质量％的氟，氧化镁纯度≥99.8质量％（以除氟以外的总重量）和 BET比表面积为0.1〜30m 2 / SP / g。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2009046355A Method for producing fluorine-containing fired magnesium oxide powder 有权
标题翻译：生产含荧光粉末氧化镁粉末的方法
公开(公告)号：JP2009046355A
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：JP2007214831
申请日：2007-08-21
申请人： Ube Material Industries Ltd , 宇部マテリアルズ株式会社
发明人： UEKI AKIRA , KATO YUZO
IPC分类号： C01F5/28 , C09K11/08 , C09K11/55 , C09K11/61 , H01J9/02 , H01J11/02 , H01J11/12 , H01J11/22 , H01J11/24 , H01J11/26 , H01J11/34 , H01J11/36 , H01J11/38 , H01J11/40 , H01J11/42 , H01J11/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing fluorine-containing fired magnesium oxide powder capable of emitting ultraviolet light having a peak on around 250 nm wavelength in high efficiency when excited by the ultraviolet light generated by discharging Xe gas.
SOLUTION: The method for producing fluorine-containing fired magnesium oxide powder comprises a step of firing magnesium compound powder (excluding magnesium oxide powder and magnesium fluoride powder), from which the magnesium oxide powder having ≥99.8 mass% purity is produced by firing, in the presence of a fluorine source at 850-1,500°C.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题提供一种当通过排出Xe气体产生的紫外线激发时，提供能够高效率地发射在大约250nm波长处具有峰值的紫外光的含氟烧结氧化镁粉末的方法。解决方案：含氟烧成镁氧化物粉末的制造方法包括：煅烧镁化合物粉末（不包括氧化镁粉末和氟化镁粉末）的步骤，通过以下步骤制备纯度≥99.8质量％的氧化镁粉末：在850-1,500℃下在氟源的存在下进行烧制。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2005330574A Magnesium oxide vapor-deposition material 有权
标题翻译：氧化镁蒸气沉积材料
公开(公告)号：JP2005330574A
公开(公告)日：2005-12-02
申请号：JP2004292642
申请日：2004-10-05
申请人： Ube Material Industries Ltd , 宇部マテリアルズ株式会社
发明人： UEKI AKIRA , MASUDA AKIRA , KATO YUZO
IPC分类号： C04B35/053 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/32 , H01J9/02 , H01J11/22 , H01J11/34 , H01J11/38 , H01J11/40 , H01J11/02
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnesium oxide vapor-deposition material advantageously usable for forming a magnesium oxide film useful as a protective film for the dielectric layer of an alternating current type plasma display panel by an electron beam vapor-deposition method. SOLUTION: The magnesium oxide vapor-deposition material comprises metal oxide in which the valence of the metallic element(s) is any of 3, 4 and 5 in the range of 0.01 to 6 mol%. Alternatively, the magnesium oxide vapor-deposition material comprises alkaline-earth metal oxide other than magnesium oxide, and metal oxide in which the valence of the metallic element(s) is any of 3, 4 and 5 in such a manner that each content is controlled to ≥0.005 mol% expressed in terms of the metallic element contents, and also, the total content is controlled to ≤6 mol% expressed in terms of the metallic element contents. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：解决的问题：提供一种有利地用于通过电子束气相沉积法形成用作交流型等离子体显示面板的电介质层的保护膜的氧化镁膜的氧化镁蒸镀材料。解决方案：氧化镁气相沉积材料包括金属氧化物，其中金属元素的价数为3至4和5之间的范围为0.01至6摩尔％。或者，氧化镁蒸镀材料包含除了氧化镁以外的碱土类金属氧化物，金属氧化物，其中金属元素的价数为3,4和5，其含量为以金属元素含量表示，控制为≥0.005摩尔％，并且将总含量控制为以金属元素含量表示的≤6摩尔％。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

9. 发明专利

JP2015010025A アルカリ土類金属化合物微粒子分散液及びその製造方法有权
标题翻译：碱土金属化合物细颗粒分散体及其生产方法
公开(公告)号：JP2015010025A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：JP2013138239
申请日：2013-07-01
申请人：宇部マテリアルズ株式会社 , Ube Material Industries Ltd
发明人： NOGUCHI SEIJI , KATO YUZO , FUJIMOTO MASAYUKI
IPC分类号： C01F5/02 , C03C17/23
摘要：【課題】塗布法により可視光の光透過率が高い酸化マグネシウム膜を製造することができる酸化マグネシウム微粒子分散液を提供する。【解決手段】分散媒体中に、アルカリ土類金属の酸化物、水酸化物及び炭酸塩からなる群より選ばれるアルカリ土類金属化合物の微粒子が分散された分散液であって、動的光散乱法により測定される粒度分布において、D95が200nmを超えることがなく、粒子径が500nm以上の粒子を1%以上含有することがないアルカリ土類金属化合物微粒子分散液。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过涂布方法制备具有高可见光透射率的氧化镁膜的氧化镁微粒分散体。溶液：提供一种分散体，其中选择碱土金属化合物的细颗粒将由氧化物，氢氧化物和碱土金属的碳酸盐组成的组分散在分散介质中。在通过动态光散射法测量的粒度分布中，Dis不大于200nm，分散液不含有1％以上的粒径为500nm以上的粒子。

10. 发明专利

JP2010077425A Phosphor powder composition 有权
标题翻译：磷粉组合物
公开(公告)号：JP2010077425A
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：JP2009200312
申请日：2009-08-31
申请人： Ube Material Industries Ltd , 宇部マテリアルズ株式会社
发明人： UEKI AKIRA , KATO YUZO , INAGAKI TORU , YAMAUCHI MASATO , NOGUCHI SEIJI
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/59 , C09K11/64 , C09K11/78 , H01J11/22 , H01J11/34 , H01J11/40 , H01J11/42 , H01J61/44
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phosphor powder composition which is advantageously usable as a material for a phosphor layer of a visible light-emitting device using Xe gas discharge.
SOLUTION: The phosphor powder composition includes a powder of specific magnesium oxide sintered product which is excited by ultraviolet light generated by discharge of Xe gas to emit ultraviolet light having a peak in a wavelength range of 230-260 nm, and a phosphor powder which is excited by ultraviolet light having a wavelength range of 230-260 nm to exhibit visible light-emission, in such a ratio that the amount of the powder of magnesium oxide sintered product is within a range of 0.001-0.080 pts.mass relative to 1 pt.mass of the phosphor powder.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供一种有利地可用作使用Xe气体放电的可见光发光装置的荧光体层的材料的荧光体粉末组合物。解决方案：荧光体粉末组合物包括由Xe气体放电产生的紫外光激发的特定氧化镁烧结产品的粉末，以发射波长范围为230-260nm的紫外光，以及荧光粉以波长范围为230〜260nm的紫外光激发出可见光发射的粉末的比例，使得氧化镁烧结体的粉末的量在0.001-0.080μm相对的范围内至1 pt.mass的荧光体粉末。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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