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1. 发明专利

JP5737148B2 静電容量型圧力センサとその製造方法及び入力装置有权
标题翻译：电容式压力传感器及其制造方法和输入装置
公开(公告)号：JP5737148B2
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：JP2011249181
申请日：2011-11-14
申请人：オムロン株式会社
发明人：井上勝之
IPC分类号： G01L1/14
CPC分类号： G01L9/0073

2. 发明专利

JP5974939B2 静電容量型圧力センサ及び入力装置有权
标题翻译：电容式压力传感器和输入设备
公开(公告)号：JP5974939B2
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：JP2013048531
申请日：2013-03-11
申请人：オムロン株式会社
发明人：井上勝之 , 奥野敏明 , 古村由幸
IPC分类号： G01L5/00 , H01L29/84 , G06F3/044 , G01L1/14
CPC分类号： H03K17/962 , G01L9/0073 , H03K17/975 , H03K2017/9602 , H03K2217/960755

3. 发明专利

JP5990933B2 圧力センサパッケージの製造方法有权
标题翻译：的压力传感器封装体的制造方法
公开(公告)号：JP5990933B2
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：JP2012044521
申请日：2012-02-29
申请人：オムロン株式会社
发明人：安達佳孝 , 奥川晃宏 , 清水正男 , 甲斐禎 , 井上勝之
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： H01L23/10 , G01L19/069 , G01L19/147 , G01L9/0045 , G01L9/0052 , H01L2224/48229 , H01L2224/4823 , H01L2224/48235 , H01L23/055 , H01L24/48 , H01L29/84 , H01L2924/00014 , H01L2924/15153 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152 , H01L2924/1632 , H01L2924/1659 , H01L2924/16598 , H01L2924/3025

4. 发明专利

JP2015152457A 静電容量型圧力センサ及び入力装置有权
标题翻译：电容式压力传感器和输入装置
公开(公告)号：JP2015152457A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014027001
申请日：2014-02-14
申请人：オムロン株式会社
发明人：井上勝之 , 寺阪麻理子 , 佐野浩二 , 奥野敏明 , 古村由幸
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
摘要：【課題】半導体基板を用いた静電容量型圧力センサにおいて、ダイナミックレンジをより広くすることにある。【解決手段】P型又はN型の半導体基板32の上面を、誘電体層33によって覆う。誘電体層33の上面にリセス34を形成する。誘電体層33の上面に上基板35を積層する。上基板35のうちリセス34と対向する領域は、変形可能なダイアフラム36となっており、ダイアフラム36の外周部分37は誘電体層33の上面に固定されている。半導体基板32の表層部には、半導体基板32と逆極性の導電型を有する不純物層からなる固定電極42が設けられている。また、半導体基板32の表層部において上基板35の固定された領域(外周部分37)の下方には、半導体基板32と逆極性の導電型を有する不純物層からなる逆極性層46が形成されている。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：进一步增加使用半导体衬底的电容式压力传感器的动态范围。解决方案：在电容式压力传感器中，P型或N型半导体衬底32的上表面被电介质层凹槽34形成在电介质层33的上表面上。上基板35层叠在电介质层33的上表面上。与上基板35中的凹槽34相对的区域形成可变形的隔膜36。隔膜36的外周部分37固定在电介质层33的上表面上。半导体衬底32的表面层部分设置有固定电极42，该固定电极42包括具有相反极性的导电类型的杂质层半导体衬底32.此外，在半导体衬底32的表面层部分中的上衬底35的固定区域（外周37）的下部，反向p 形成包括具有与半导体基板32相反极性的导电类型的杂质层的透明层46。

5. 发明专利

JP2015152450A 静電容量型圧力センサ及び入力装置有权
标题翻译：电容式压力传感器和输入装置
公开(公告)号：JP2015152450A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014026945
申请日：2014-02-14
申请人：オムロン株式会社
发明人：奥野敏明 , 佐野浩二 , 井上勝之 , 古村由幸
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84 , B81B3/00 , G01L1/14
摘要：【課題】初期変形がダイアフラムに生じにくい静電容量型圧力センサを提供する。【解決手段】固定電極基板32の上面は、誘電体膜33によって覆われている。圧縮応力膜38の上面又は下面の一方にはリセス34(凹部)が形成されている。誘電体膜33の上には、上基板35が積層されている。上基板35のうちリセス34と対向する領域は、弾性変形可能なダイアフラム36となっており、ダイアフラム36の上面の少なくとも一部には、圧縮応力膜38が形成されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种电容式压力传感器，其中在隔膜中可能发生初始变形。解决方案：固定电极基板32的顶表面被电介质膜33覆盖。顶表面和底部之一压缩应力膜38的表面具有凹部34（凹部）。上基板35层叠在电介质膜33上。上基板35的面向凹部34的区域限定了可弹性变形的隔膜36，压缩应力膜38设置在该基板35的上表面的至少一部分中隔膜36。

6. 发明专利

JP6331447B2 静電容量型圧力センサ及び入力装置有权
公开(公告)号：JP6331447B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2014027001
申请日：2014-02-14
申请人：オムロン株式会社
发明人：井上勝之 , 寺阪麻理子 , 佐野浩二 , 奥野敏明 , 古村由幸
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00

7. 发明专利

JP6311341B2 静電容量型圧力センサ及び入力装置有权
公开(公告)号：JP6311341B2
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：JP2014026945
申请日：2014-02-14
申请人：オムロン株式会社
发明人：奥野敏明 , 佐野浩二 , 井上勝之 , 古村由幸
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84 , B81B3/00 , G01L1/14

8. 发明专利

JP6127625B2 静電容量型圧力センサ及び入力装置有权
公开(公告)号：JP6127625B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2013057273
申请日：2013-03-19
申请人：オムロン株式会社
发明人：井上勝之
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0073

9. 发明专利

JP6665589B2 圧力センサチップ及び圧力センサ有权
公开(公告)号：JP6665589B2
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：JP2016040305
申请日：2016-03-02
申请人：オムロン株式会社
发明人：森原大輔 , 井上勝之
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00

10. 发明专利

JP2017156241A 圧力センサチップ及び圧力センサ审中-公开
公开(公告)号：JP2017156241A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016040305
申请日：2016-03-02
申请人：オムロン株式会社
发明人：森原大輔 , 井上勝之
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/00
CPC分类号： G01L9/06
摘要：【課題】小型化および高精度化が可能な圧力センサチップを提供する。【解決手段】半導体基板内に形成され密閉された圧力基準室と、該圧力基準室と外部との間に形成され前記圧力基準室内の圧力と外部の圧力の差によって変形するダイアフラムと、前記ダイアフラムに設けられ該ダイアフラムの変形に応じた電気信号を発生可能なセンサ部と、を備える圧力センサチップであって、前記半導体基板の平面視において、前記圧力基準室、前記ダイアフラム及び前記センサ部を含む検出部の周囲のうち一部を接続部とし、前記接続部を残して前記検出部の周囲に当該半導体基板を貫通する貫通溝が形成され、前記半導体基板内における前記検出部以外の部分と前記検出部とを前記貫通溝によって分離する。【選択図】図1

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