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1. 发明专利

JP2017539075A 半導体製造機器のモバイル接続性および制御审中-公开
公开(公告)号：JP2017539075A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：JP2017518992
申请日：2015-10-06
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：パトリック・ロジャー , フアン・チュン・ホー , ゴセリン・サイモン , ウォン・ビンセント , ラムナリン・ロナルド , ニュートン・ニール・ケー． , シャア・ムケシュ , ホバーステン・カーウィン , アーレンス・ボブ , モラ・マルコ
IPC分类号： H01L21/02 , G03F7/20
CPC分类号： G05B19/4065 , G05B2219/31202 , G05B2219/45031 , G05B2219/50185
摘要：モバイルデバイスに半導体ツールメンテナンス・オペレーションを統合して、技術者が半導体ツールのメンテナンスをより正確に行うことを可能にし、データのより正確な分析を可能にして、メンテナンス手順をより高い再現性、一貫性、および効率になるように改善する。ポータブル電子デバイスを介した半導体ツールに対するメンテナンス・オペレーションの遠隔制御が、半導体ツールを整備するのに必要とされる時間を短縮し、それによりスループットを増加させる。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2017085072A 半導体プロセスモジュールからｉｎ−ｓｉｔｕで消耗部品を取り出して交換するためのシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2017085072A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016054583
申请日：2016-03-18
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： DAVID D TRUSSELL , ALAN J MILLER , JOHN DAUGHERTY , ALEX PATERSON
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： G05B19/418 , G05B19/41875 , G05B2219/32212 , G05B2219/45031 , G05B2219/50291 , H01L21/67167 , H01L21/6719
摘要：【課題】半導体ウエハの製造において、損傷された消耗部品の交換時間と、クラスタツールアセンブリを長時間オフラインにし、チャンバ内部が外気に曝される事で汚染されるリスクを低減する。【解決手段】クラスタツールアセンブリ100は、真空移送モジュール104と、プロセスモジュール112〜120を含み、交換ステーション108が結合される。プロセスモジュールは、プロセスモジュール内に装着された消耗部品を上昇位置に位置付けるリフト機構を含む。交換ステーションは、新しい消耗部品又は使用済み消耗部品を保持するための区画を備えた部品バッファを含み、交換ハンドラは、消耗部品のための交換部品を部品バッファからプロセスモジュールに提供するように構成される。交換ハンドラ及びプロセスモジュールによる交換は、プロセスモジュール及び交換ステーションが真空状態に維持されている間に行われる。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2015520504A 多重化された加熱アレイのための電流ピーク分散スキーム有权
标题翻译：对于复用的加热阵列的电流的峰值分配方案
公开(公告)号：JP2015520504A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2015505828
申请日：2013-04-08
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：ピース・ジョン , ベンジャミン・ネイル
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H05B3/00
CPC分类号： H01L21/67103 , H05B1/0233
摘要：【課題】【解決手段】半導体処理装置内で半導体基板を支持するために用いられる基板支持体アセンブリのための加熱プレートを動作させる方法が開示されており、加熱プレートは、電力供給ラインと、電力帰還ラインと、電力供給ラインおよび電力帰還ラインのすべてのペアの間に接続されたそれぞれの平面ヒータ領域とを備える。その方法は、ヒータ領域に電力供給するための電流パルスを時間的に分散することにより、電力供給ラインおよび電力帰還ラインによって伝導される最大電流を低減する。【選択図】図1
摘要翻译：操作用于支持在半导体处理装置中的半导体基板的基板支撑组件的加热板的一种方法，所公开的，加热板，电源线，电源包括反馈线，每对电源线和功率返回线之间连接到相应的平面加热器区域。由电流脉冲在时间上分散以驱动加热器区域，减少由电源线和电力返回线传导的最大电流的方法。点域1

4. 发明专利

JP5680595B2 コンピュータ読み取り可能なマスクシュリンク制御プロセッサ有权
标题翻译：计算机可读掩模收缩控制处理器
公开(公告)号：JP5680595B2
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：JP2012173922
申请日：2012-08-06
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：サジャディ・エス．・エム．・レザ , ブライト・ニコラス
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/70 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC分类号： G03F1/36

5. 发明专利

JP2015505421A プラズマ処理システムにおける混合モードパルシングエッチング有权
标题翻译：在等离子体处理系统的混合模式脉冲蚀刻
公开(公告)号：JP2015505421A
公开(公告)日：2015-02-19
申请号：JP2014549582
申请日：2012-12-17
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：ジェイコブス・カナリク・ケレン
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01J37/32155 , H01J37/32449 , H01J2237/334
摘要：【解決手段】少なくとも1つのプラズマ発生ソースと、チャンバの内部領域に反応性ガスを供給するための反応性ガスソースと、チャンバの内部領域に非反応性ガスを供給するための非反応性ガスソースとを有するチャンバのなかで基板を処理するための方法が提供される。方法は、混合モードパルシング(MMP)準備位相を実施することを含み、これは、反応性ガスを内部領域に流入させることと、第1のプラズマを発生させ、ワークピースホルダの上に配された基板を処理することとを含む。方法は、更に、MMP反応位相を実施することを含み、これは、少なくとも非反応性ガスを内部領域に流入させることと、第2のプラズマを発生させて、基板を処理することとを含み、第2のプラズマは、MMP準備位相における反応性ガスの流量未満の流量の反応性ガスによって、MMP反応位相において発生する。方法が実施され、工程が複数回にわたって繰り返される。【選択図】図1
摘要翻译：和A至少一个等离子体发生源，用于供给反应气体到所述腔室的内部区域中的反应气体源，所述非反应性气体源，用于在所述腔室的内部区域供给的非活性气体提供了一种用于处理与投注室之间的基板的方法。该方法包括：执行一个混合模式脉冲（MMP）的制备阶段，它们是流动的反应气体进入的区域中，以产生第一等离子体，配置在所述工件保持器和并处理衬底。该方法还可以包括进行MMP反应阶段，其包括可能在内部区域流动的至少非反应性气体，通过产生第二等离子体处理所述衬底的事实，第二等离子体由反应性气体以小于所述反应性气体在MMP准备阶段的流率的流率，在MMP反应相生成。执行的方法，该过程被重复多次。点域1

6. 发明专利

JP2015029132A 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ有权
标题翻译：具有半导体材料加工设备的低颗粒性能的淋浴电极和淋浴电极组件
公开(公告)号：JP2015029132A
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2014202833
申请日：2014-10-01
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： FISCHER ANDREAS , RAJINDER DHINDSA
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574
摘要：【課題】半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリを提供する。【解決手段】シャワーヘッド電極24は、互いに接合された上部40及び底部電極42を備える。上部電極40は、1つ又は複数のプレナムを備える。底部電極42は、プラズマに曝される底面及びプレナムと流体連結する複数のガス孔を備える。上部プレート21から弾力的に吊り下げられているシャワーヘッド電極24を含むシャワーヘッド電極アセンブリ20は、シャワーヘッド電極温度を制御するためにシャワーヘッド電極24から空間的に隔てられて設置された温度制御要素と流体連結可能である。シャワーヘッド電極アセンブリ20を含むプラズマ処理チャンバ10内で基板32を処理する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为半导体材料加工设备提供具有低颗粒性能的喷头电极和喷头电极组件。解决方案：喷头电极24包括彼此接合的顶电极40和底电极42。顶部电极40包括一个或多个增压室。底部电极42包括等离子体暴露的底表面和与气室流体连通的多个气体孔。包括从顶板21挠曲地悬挂的喷头电极24的喷头电极组件20可以与空气上与喷头电极24分离的温度控制元件流体连通，以控制喷头电极温度。在包括喷头电极组件20的等离子体处理室10中处理衬底32。

7. 发明专利

JP2015503224A プラズマ処理システムにおける不活性物優勢パルス化有权
标题翻译：在等离子体处理系统中占主导地位的惰性气体脉冲
公开(公告)号：JP2015503224A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2014540631
申请日：2012-11-12
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：カナリク・ケレンジェイコブス , カナリク・ケレンジェイコブス
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32128 , H01J37/32137 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J2237/334 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要：【解決手段】少なくとも1つのプラズマ発生源とプロセスガスをチャンバ内に供給するためのガス源とを有する処理チャンバ内で基板を処理するための方法が提供される。この方法は、RF周波数を有するRF信号でプラズマ発生源を励起することを備える。方法は、さらに、第1のプロセスガスが、第1のガスパルス周波数に関連するガスパルス周期の第1の部分の間にチャンバ内に流されると共に、第2のプロセスガスが、第1のガスパルス周波数に関連するガスパルス周期の第2の部分の間にチャンバ内に流されるように少なくとも第1のガスパルス周波数を用いてガス源をパルス化することを備える。第2のプロセスガスは、第1のプロセスガスの反応ガス対不活性ガスの比よりも低い反応ガス対不活性ガスの比を有する。第2のプロセスガスは、第1のプロセスガスから反応ガス流の少なくとも一部を除去することによって形成される。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种用于处理在所述等离子体源和所述处理气体和用于供给到所述腔室的气体源的处理室中的基片A的至少一种方法。该方法包括在具有RF频率的RF信号激发等离子体发生源。该方法还可以包括第一处理气体，与气体的第一部分期间流入室脉冲与所述第一气体脉冲频率，该第二工艺气体，第一气体脉冲频率相关联的时间段因为它相关联的气体脉冲周期的第二部分期间流入腔室包括：通过至少一个第一气体脉冲频率的脉冲的装置的气体源。第二工艺气体具有反应性较低的气体与惰性气体比反应气体与惰性气体的第一工艺气体中的比率的比率。第二处理气体是由至少从所述第一处理气体除去反应气体流的一部分形成的。点域1

8. 发明专利

JP5647603B2 加工済みフィーチャの断層像をつくる方法および１または複数の加工済みフィーチャの画像を生成する方法有权
标题翻译：生成方法和一个或多个所制造特征的图像的方法使断层图像制作功能
公开(公告)号：JP5647603B2
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：JP2011511771
申请日：2009-05-27
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：ワガナー・エリック
IPC分类号： H01L21/66 , H01J37/305 , H01J37/317
CPC分类号： G01N23/2202 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J2237/2813 , H01J2237/3174 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749

9. 发明专利

JP2014531753A デュアルチャンバ構成のパルスプラズマチャンバ审中-公开
标题翻译：双室结构的脉冲等离子体室
公开(公告)号：JP2014531753A
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：JP2014529751
申请日：2012-08-17
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：マラクタノフ・アレクセイ , ディンドサ・ラジンダー , ハドソン・エリック , ベイリー・サード・アンドリュー・ディ．
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32825 , H01J2237/3341 , H01L21/31116 , H01L21/67069
摘要：【課題】【解決手段】デュアルチャンバ構成のパルスプラズマチャンバで半導体基板を処理するためのシステム、方法、および、コンピュータプログラムが提供されている。上側チャンバを下側チャンバに流体連通させるプレートによって隔てられた上側チャンバおよび下側チャンバを備えたウエハ処理装置が、連続波(CW)コントローラと、パルスコントローラと、システムコントローラと、を備える。CWコントローラは、上側チャンバ内の上側電極に接続された第1の高周波(RF)電源の電圧および周波数を設定するよう動作可能なである。パルスコントローラは、下側チャンバ内の下側電極に接続された第2のRF電源によって生成されるパルスRF信号の電圧、周波数、オン期間の持続時間、および、オフ期間の持続時間を設定するよう動作可能である。さらに、システムコントローラは、チャンバの動作中にプレートを通して上側チャンバから下側チャンバに流れる種の流れを制御するために、CWコントローラおよびパルスコントローラのパラメータを設定するよう動作可能である。種の流れは、陰イオンエッチングと、オフ期間のアフターグロー中のウエハ表面における過剰な正電荷の中和と、オン期間中の下側チャンバにおけるプラズマの再点火と、を支援する。【選択図】図4
摘要翻译：提供了用于处理在脉冲等离子体室，方法和计算机程序的半导体衬底的双室配置系统。具有上室和下室通过板的流体连通的上部室到下室包括连续波（CW）控制器，脉冲控制器分离，并且系统控制器晶片处理装置。 CW控制器可操作以设置在上腔室连接到所述上电极的功率源的第一射频（RF）电压和频率。脉冲控制器，由连接到在下部腔室中的下部电极，所述频率，导通时段的持续时间的第二RF功率源产生的脉冲RF信号的电压，并设置断开时间段的持续时间它是可操作的。此外，系统控制器，以控制所述室的操作过程中，通过下部腔室使从上腔室通过板种子的流动，可操作来设置CW控制器和脉冲控制器的参数。种子流有助于在接通时间的阴离子蚀刻和在晶片表面上过量的正电荷的中和过程中余辉断开周期，并在所述下室中的等离子体的再点火时，。点域4

10. 发明专利

JP5631386B2 高アスペクト比誘電体エッチングのための方法及び装置有权
标题翻译：对于高纵横比的电介质蚀刻方法和设备
公开(公告)号：JP5631386B2
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：JP2012506614
申请日：2010-04-15
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：エデルバーグ・エリック・エー．
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02002 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32174 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/31116

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