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1. 发明公开

EP3985438A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN ENSEMBLE DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES SUR LA FACE AVANT D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 审中-实审转让
公开(公告)号：EP3985438A1
公开(公告)日：2022-04-20
申请号：EP21200411.3
申请日：2021-10-01
申请人： Exagan
发明人： NONGAILLARD, Matthieu , OHEIX, Thomas
IPC分类号： G03F1/38 , G03F7/20 , H01L23/485 , H01L23/544 , H05K1/02
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un ensemble de composants électroniques sur une face avant d'un substrat semiconducteur présentant une pluralité de zones de champ, chaque zone de champ comprenant au moins un champ et chaque champ comprenant au moins un composant électronique, le procédé comprenant une pluralité d'étapes de photolithographie pour former un empilement de couches constituant chaque composant électronique, chaque étape de photolithographie définissant un niveau de masque et comprenant l'application d'un masque successivement sur chaque champ dans un équipement de photolithographie, le positionnement dudit masque sur chaque champ étant opéré relativement à un niveau de masque de référence, l'un des masques étant désigné masque d'identification.
Le procédé de fabrication est remarquable en ce que :
- à l'étape de photolithographie définissant un niveau de masque associé au masque d'identification, ledit masque est positionné avec un décalage prédéterminé par rapport au niveau de masque de référence, le décalage étant différent pour chaque zone de champ,
- le ou les composant(s) électronique(s) d'une zone de champ présente(nt) un élément d'identification se traduisant par un décalage prédéterminé entre un motif défini au niveau de masque de référence et un motif défini au niveau de masque d'identification.

2. 发明公开

EP3985437A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN ENSEMBLE DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES SUR LA FACE AVANT D'UNE PLAQUE SEMI-CONDUCTRICE 审中-实审转让
公开(公告)号：EP3985437A1
公开(公告)日：2022-04-20
申请号：EP21200408.9
申请日：2021-10-01
申请人： Exagan
发明人： NONGAILLARD, Matthieu , OHEIX, Thomas
IPC分类号： G03F1/38 , G03F7/20 , H01L21/768 , H01L23/544 , H05K1/02
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un ensemble de composants électroniques (3) sur la face avant d'une plaque semi-conductrice (1) présentant une pluralité de zones de champ (4), chaque zone (4) comprenant au moins un champ (2) et chaque champ (2) comprenant au moins un composant électronique (3) . Le procédé comprend une pluralité d'étapes de photolithographie pour former un empilement de couches constituant chaque composant électronique (3), et chaque étape de photolithographie comprend l'application d'un masque successivement sur chaque champ (2) dans un équipement de photolithographie. L'un des masques comprend en outre un motif d'identification, ledit masque étant désigné masque d'identification. A l'étape de photolithographie associée au masque d'identification, au moins un paramètre photolithographique de l'équipement de photolithographie est différent pour chaque zone de champ (4), de manière à exposer différemment le motif d'identification dans chaque zone de champ (4) .

3. 发明授权

EP3167475B1 PLANARIZED EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY BLANK WITH ABSORBER AND MANUFACTURING SYSTEM THEREFOR 有权
公开(公告)号：EP3167475B1
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：EP15819621.2
申请日：2015-07-08
发明人： HASSAN, Vinayak Vishwanath , FOAD, Majeed A. , BEASLEY, Cara , HOFMANN, Ralf
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/24 , G03F1/38 , C23C16/44

4. 发明公开

EP3734361A1 OPTICAL CONTROL MODULES FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PATTERNING AND RETICLES AND METHODS INCLUDING THE SAME 审中-实审转让
公开(公告)号：EP3734361A1
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：EP20163580.2
申请日：2020-03-17
申请人： NXP USA, Inc.
发明人： MEKKING, Leendertjan , COBUSSEN, Johannes , KAMPHUIS, Antonius Hendrikus Jozef
IPC分类号： G03F1/38 , G03F1/42 , G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/66
摘要： Optical control modules for integrated circuit device patterning and reticles and methods including the same. The methods include exposing, via a reticle, initial and subsequent reticle exposure fields on a surface of a semiconductor substrate. The initial and subsequent reticle exposure fields pattern corresponding array regions and margin regions on the semiconductor substrate. The initial and subsequent reticle exposure fields partially overlap such that an initial optical control module (OCM), which is patterned during exposure of the initial reticle exposure field, and a subsequent OCM, which is patterned during exposure of the subsequent reticle exposure field, both are positioned within a single control module die. The reticles include reticles that can be utilized during the methods or that can form the integrated circuit devices. The integrated circuit devices include integrated circuit devices formed utilizing the methods or the reticles.

5. 发明授权

EP3355116B1 EXPOSURE METHOD 有权
公开(公告)号：EP3355116B1
公开(公告)日：2020-09-30
申请号：EP16782175.0
申请日：2016-03-09
申请人： BOE Technology Group Co., Ltd. , Beijing BOE Display Technology Co., Ltd.
发明人： QI, Pengyu , ZHA, Changjun , WANG, Yanping , WANG, Dong , YUAN, Jianfeng , SHAO, Xibin , ZHANG, Yan , XIAO, Jintao , GUO, Yangchen
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/30 , G02B5/20 , G03F1/50 , G03F1/38

6. 发明授权

EP3159738B1 METHOD OF DETERMINING DISTORTION OF A PROJECTION OPTICAL SYSTEM 有权
公开(公告)号：EP3159738B1
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：EP16183209.2
申请日：2006-03-23
申请人： Nikon Corporation
发明人： KONDO, Shinjiro
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/38 , G03F7/20
CPC分类号： G03F9/7084 , G03F1/44 , G03F7/706 , G03F7/70616 , G03F7/70633 , G03F9/7076
摘要： A method of measuring shot shape includes sequentially exposing a substrate with main scale marks (32) in compliance with a predetermined map, and forming a reference grid including a plurality of the main scale marks (32) arranged in the predetermined map in at least one shot region, exposing a shot for measuring, via a projection optical system, that includes a plurality of auxiliary scale marks (34) arranged in the predetermined map in the shot region, measuring a relative positional relationship between adjacent main scale marks (32), measuring an amount of deviation between the main scale marks (32) and the auxiliary scale marks (34), and correcting the reference grid based on the relative positional relationship, and calculating a shot shape of the shot for measuring based on the corrected reference grid and the amount of deviation.

7. 发明公开

EP3346336A1 VERFAHREN ZUR QUALITÄTSSICHERUNG EINER BELICHTUNGSMASKE UND BELICHTUNGSMASKE 无效转让
公开(公告)号：EP3346336A1
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：EP17207075.7
申请日：2017-12-13
申请人： Bundesrepublik Deutschland, vertr. durch das Bundesministerium f. Wirtschaft und Technologie,
发明人： SOLTWISCH, Victor , PFLÜGER, Mika
IPC分类号： G03F7/20 , G02B27/44 , G01B11/24 , G03F1/38 , G03F1/44 , G02B5/18 , G03F9/00 , H01L21/266
CPC分类号： G02B27/44 , G02B5/1861 , G03F1/44 , G03F7/70683 , G03F9/7019 , H01L21/266
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Qualitätssicherung einer mikroelektronischen Nutzstruktur (14) mit den Schritten (a) Aufbringen einer Kalibrierstruktur (12) und der Nutzstruktur (14) auf ein Substrat (10), wobei die Nutzstruktur (14) eine Vorzugsrichtung (V) aufweist und wobei sich die Kalibrierstruktur (12) in eine Erstreckungsrichtung (E) erstreckt und periodisch aufgebaut ist, (b) Vermessen der Kalibrierstruktur (12) mittels monochromatischer Strahlung und (c) Bestimmen einer Abweichung der Kalibrierstruktur (12) von einer Soll-Kalibrierstruktur, welches sich dadurch auszeichnet, dass (d) die Erstreckungsrichtung (E) einen Azimutalwinkel (ϕ) mit der Vorzugsrichtung (V) bildet, sodass beim Vermessen der Kalibrierstruktur (12) in einer Beugungsordnung (n), die von null verschieden ist, Reflexionsstrahlungsanteile von der Nutzstruktur (14) und von der Kalibrierstruktur (12) separiert sind.

8. 发明公开

EP3167475A4 PLANARIZED EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY BLANK WITH ABSORBER AND MANUFACTURING SYSTEM THEREFOR 有权
公开(公告)号：EP3167475A4
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：EP15819621
申请日：2015-07-08
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： HASSAN VINAYAK VISHWANATH , FOAD MAJEED A , BEASLEY CARA , HOFMANN RALF
IPC分类号： H01L21/027 , C23C16/44 , G03F1/24 , G03F1/38
CPC分类号： G03F1/24 , C23C16/06 , C23C16/44 , G03F1/22 , G03F1/38
摘要： An extreme ultraviolet (EUV) mask blank production system includes: a substrate handling vacuum chamber for creating a vacuum; a substrate handling platform, in the vacuum, for transporting an ultra-low expansion substrate loaded in the substrate handling vacuum chamber; and multiple sub-chambers, accessed by the substrate handling platform, for forming an EUV mask blank includes: a first sub-chamber for forming a multi-layer stack, above the ultra-low expansion substrate, for reflecting an extreme ultraviolet (EUV) light; and a second sub-chamber for forming a bi-layer absorber, formed above the multi-layer stack, for absorbing the EUV light at a wavelength of 13.5 nm provides a reflectivity of less than 1.9%.

9. 发明公开

EP3267253A1 PHOTOMASK BLANK, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK, AND MASK PATTERN FORMATION METHOD 有权
标题翻译： PHOTOMASK空白，制作PHOTOMASK的方法和掩模图案形成方法
公开(公告)号：EP3267253A1
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：EP16758738.5
申请日：2016-02-15
申请人： Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
发明人： IRIE, Shigeo , YOSHII, Takashi , MASUNAGA, Keiichi , INAZUKI, Yukio , KANEKO, Hideo , SAKURADA, Toyohisa
IPC分类号： G03F1/38 , G03F1/32
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/38 , G03F1/46 , G03F1/58 , G03F1/80 , H01L21/0337
摘要： A photomask blank (1) having: a transparent substrate (10); a first film (11) etched by chlorine/oxygen-based dry etching and made of a material having resistance against fluorine-based dry etching; and a second film (12) formed adjacent to the first film and made of a material which comprises silicon and oxygen or silicon, oxygen, and nitrogen and has an Si-Si bond and which is substantially not etched by chlorine/oxygen-based dry etching, wherein: the photoresist adhesive performance is improved; the resist pattern is stably maintained without degrading, collapsing, or peeling even when a fine resist pattern is formed from a photoresist film; and an excellent shape and dimensional accuracy is obtained in regard to etching of a lower layer film in which the resist pattern is used.
摘要翻译：一种光掩模坯（1），具有：透明基板（10）; 通过基于氯/氧的干法蚀刻而蚀刻并且由对氟基干法蚀刻具有抵抗性的材料制成的第一膜（11）和与第一膜相邻形成并且由包含硅和氧或硅，氧和氮并且具有Si-Si键并且基本上不被氯/氧基干燥蚀刻的材料制成的第二膜（12）蚀刻，其中：光刻胶的粘合性能得到改善; 即使当由光致抗蚀剂膜形成精细抗蚀剂图案时，抗蚀剂图案也不会退化，坍塌或剥离而稳定地保持; 关于使用抗蚀剂图案的下层膜的蚀刻，可以获得优异的形状和尺寸精度。

10. 发明公开

EP3159738A3 METHOD OF MEASURING SHOT SHAPE AND MASK 有权
标题翻译： VERFAHREN ZUR MESSUNG VON SCHLAGBILD UND MASKE
公开(公告)号：EP3159738A3
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：EP16183209.2
申请日：2006-03-23
申请人： Nikon Corporation
发明人： KONDO, Shinjiro
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/38 , G03F7/20
CPC分类号： G03F9/7084 , G03F1/44 , G03F7/706 , G03F7/70616 , G03F7/70633 , G03F9/7076
摘要： A method of measuring shot shape includes sequentially exposing a substrate with main scale marks (32) in compliance with a predetermined map, and forming a reference grid including a plurality of the main scale marks (32) arranged in the predetermined map in at least one shot region, exposing a shot for measuring, via a projection optical system, that includes a plurality of auxiliary scale marks (34) arranged in the predetermined map in the shot region, measuring a relative positional relationship between adjacent main scale marks (32), measuring an amount of deviation between the main scale marks (32) and the auxiliary scale marks (34), and correcting the reference grid based on the relative positional relationship, and calculating a shot shape of the shot for measuring based on the corrected reference grid and the amount of deviation.
摘要翻译：一种测量镜头形状的方法包括：按照预定的图形顺序曝光具有主刻度标记（32）的基片，以及形成包括布置在预定图中的至少一个的多个主刻度（32）的参考网格通过投影光学系统曝光用于测量的镜头，该投影光学系统包括布置在拍摄区域中的预定图中的多个辅助刻度标记（34），测量相邻主刻度（32）之间的相对位置关系，测量主刻度标记（32）和辅助刻度（34）之间的偏差量，并且基于相对位置关系校正参考栅格，并且基于校正的参考栅格计算用于测量的镜头的镜头形状和偏差量。

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