专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明公开

EP2539488A1 CHROMIUM -FREE PASSIVATION PROCESS OF VAPOR DEPOSITED ALUMINUM SURFACES 审中-公开
标题翻译：蒸发铝表面的无铬钝化
公开(公告)号：EP2539488A1
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：EP11707007.8
申请日：2011-02-22
申请人： Atotech Deutschland GmbH
发明人： WILES, Jacob Grant , KOCHILLA, John R.
IPC分类号： C23C22/34 , C23C22/83 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C16/20 , C23C16/56 , C23C14/58 , C23C16/448 , C23C28/00
CPC分类号： C23C22/34 , C23C14/16 , C23C14/5853 , C23C16/06 , C23C16/56 , C23C22/362 , C23C22/368 , C23C22/83
摘要： A process for passivating a vapor-deposited aluminum layer on a substrate, including providing a substrate comprising vapor deposited aluminum on a surface thereof; treating the surface of the substrate with an aqueous substantially chromium-free composition comprising a hexafluorozirconate; and rinsing the treated surface with water. A process for passivating a vapor-deposited aluminum layer on a substrate, including vapor depositing a layer of aluminum on a substrate; treating the substrate with the vapor deposited aluminum with an aqueous substantially chromium-free composition comprising a hexafluorozirconate; and rinsing the treated substrate with water.

3. 发明公开

EP2251450A1 Verfahren zum Aufbringen einer viellagigen Schichtstruktur auf ein Substrat sowie Substrat mit einer viellagigen Schichtstruktur 审中-公开
标题翻译：在基板上涂布的多层的层结构，并具有一个多层结构层基板的方法
公开(公告)号：EP2251450A1
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：EP10162080.5
申请日：2010-05-06
申请人： InnCoa GmbH
发明人： Oberhauser, Simon , Heller, Dr. Jörg
IPC分类号： C23C10/14 , C23C10/26 , C23C16/02 , C23C16/20 , C23C16/56 , C23C28/02 , C23C30/00 , C25D5/10 , C25D5/50
CPC分类号： C23C10/14 , C23C10/26 , C23C16/0272 , C23C16/20 , C23C16/56 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/027 , C23C28/028 , C25D5/10 , C25D5/50 , C25D7/00
摘要： Ein Substrat (1) mit einer metallischen Oberfläche (2) weist eine auf dieser angeordnete viellagige Schichtstruktur (3) aus wenigstens zwei unterschiedlichen Lagen (4, 5) auf, welche in periodisch wiederholter Abfolge aufeinander und parallel zur Oberfläche (2) des Substrats (1) angeordnet sind. Die Schichtstruktur (3) ist als Diffusionsschicht ausgebildet wobei ersten Lagen (4) eine intermetallische Matrix bilden, in welcher Lagen (5) aus wenigstens einer zweiten, vorzugsweise intermetallischen Phase periodisch ausgebildet sind. Bei einem Verfahren zur Herstellung einer viellagigen Schichtstruktur (3) aus wenigstens zwei unterschiedlichen Lagen (4, 5) auf einer metallischen Oberfläche (2) eines Substrats (1) wird auf die Oberfläche (2) des Substrats (1) wenigstens eine metallische Schicht (6) aufgebracht. Zugleich oder anschließend wird das beschichtete Substrat (1) einer Wärmebehandlung unterzogen und die viellagige Schichtstruktur (3) während der Wärmebehandlung durch Diffusion erzeugt. Die Werkstoffe der metallischen Schicht (6) und der Oberfläche (2) des Substrats werden hierbei derart aufeinander abgestimmt, dass durch die Wärmebehandlung erste Lagen (4) als intermetallische Matrix erzeugt werden, in welcher Lagen (5) aus wenigstens einer zweiten, vorzugsweise intermetallischen Phase periodisch ausgebildet werden.
摘要翻译：基板（1）包括金属表面（2）和层结构（3）分散地配置在金属表面上，其中两个不同的层（4”，4' ）被布置在周期性的方式与平行于基板的表面上该层结构形成为扩散层，其中所述层由第一金属间相形成为矩阵，其中的层（5）从第二金属间相周期性形成第一金属间相的层由铝镍化合物的：如人3Ni和/或Al 3Ni 2.底物（1）包括金属表面（2）和层结构（3）分散地配置在金属表面上，其中两个不同的层（4”，4' ）在周期被布置在方式和平行于基板的表面上。层结构形成为扩散层，其中所述层由第一金属间相形成为矩阵，其中来自第二金属间相层（5）被周期性地形成。第一金属间相的层由铝镍化合物的：诸如Al 3Ni和/或Al 2 3Ni第二金属间相的层由铝 - 钼 - 化合物：如Al 4W。如铝 - 镍 - 钨 - 化合物或铝 - 镍 - 钼 - 化合物：所述层和/或所述层的三元化合物的besteht的金属间相。从不同的金属间相位的两个不同层中的基体在不同的时间间隔被设置为底物。所述第二层在基质内或基质的一阶段内形成。所述基质和/或所述第一层的厚度为0.1-0.8微米。第二相的层具有800 HV的硬度和厚度的0.1-0.8微米。底物和/或铝合金或铝，或的基片besteht的表面镍基与钨或钼的一部分合金。铝层被布置在所述层结构。镍 - 钨层或镍 - 钼 - 层被布置在基板和层结构下。一个独立的claimsoft包括用于生产的层结构的方法。

4. 发明公开

EP2235232A2 ENHANCING CATALYTIC ACTIVITY OF NANOPOROUS MATERIALS 有权
标题翻译：增加了纳米多孔材料的催化活性
公开(公告)号：EP2235232A2
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：EP08857807.5
申请日：2008-12-08
申请人： Katholieke Universiteit Leuven , Universiteit Gent
发明人： MARTENS, Johan , DEDUYTSCHE, Davy , DETAVERNIER, Christophe , PULINTHANATHU SREE, Sreeprasanth
IPC分类号： C23C16/20 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4417 , C23C16/20 , C23C16/45525
摘要： The present invention relates to the use of atomic layer deposition (ALD) techniques to enhance the acid catalytic activity of nanoporous materials.

5. 发明公开

EP1474544A1 ELEVATED TEMPERATURE OXIDATION PROTECTION COATINGS FOR TITANIUM ALLOYS AND METHODS PREPARING THE SAME 审中-公开
标题翻译：随着对钛合金高温性能与方法用于生产抗氧化涂层
公开(公告)号：EP1474544A1
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：EP03710969.1
申请日：2003-02-11
申请人： Honeywell International Inc.
发明人： RAYBOULD, Derek , FISCHER, William, E. , CHIPKO,Paul
IPC分类号： C23C16/12 , C23C16/20 , C23C16/56
CPC分类号： C23C14/5806 , C23C8/02 , C23C10/02 , C23C14/58 , C23C14/5893 , Y10S428/926 , Y10T428/1259 , Y10T428/12743 , Y10T428/12806
摘要： Oxidation protection of a titanium-based alloy is provided with improved fatigue properties by a titanium aluminide coating of between 2to 12 microns by diffusing the Al into the Ti at a temperature below the melting point of the Al. the coating is gas deposited and protects the titanium- based alloys from oxidation t high temperature utilization.

6. 发明授权

EP0704549B1 Method for deposition of aluminides containing easily oxidized metals 失效
标题翻译：包括用于涂覆铝化，易氧化性金属的方法
公开(公告)号：EP0704549B1
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：EP95306566.1
申请日：1995-09-18
申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人： Ackerman, John Frederick , Wood, John Herbert , Stowell, William Randolph , Beltran, Adrian Maurice
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/20 , C23C16/12 , C23C16/02
CPC分类号： C23C16/0281 , C23C16/20 , C23C16/30

7. 发明授权

EP0769571B1 Method for low temperature aluminum coating of an article 失效
标题翻译：一种用于与低温铝涂覆体的方法
公开(公告)号：EP0769571B1
公开(公告)日：2000-01-05
申请号：EP96307006.5
申请日：1996-09-26
申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
发明人： Conner, Jeffrey Allen
IPC分类号： C23C16/20 , C23C16/56
CPC分类号： C23C16/20 , C23C16/56

8. 发明公开

EP0808915A3 Chemical vapor deposition and sputtering method and apparatus 失效
标题翻译：用于化学气相沉积和溅射的方法和装置
公开(公告)号：EP0808915A3
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：EP97108254
申请日：1997-05-21
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： LITTAU KARL A
IPC分类号： C23C14/16 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C16/20 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32 , H01J37/34 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/768 , C23C14/54 , C23C16/52 , C23C16/56
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C14/165 , C23C14/3407 , C23C14/5806 , C23C14/5893 , C23C16/20 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/34 , H01L21/76838
摘要： An apparatus (35) for depositing material on a substrate (20) by chemical vapor deposition and sputtering is described. The apparatus (35) comprises a deposition chamber (40) having a support (65) for supporting the substrate (20) in the chamber. A sputtering target (60) facing the substrate (20) in the chamber (40), has a sputtering surface comprising sputtering material. A plasma generator in the chamber (40) is used to generate a plasma from process gas introduced into the chamber. A gas distributor (55) is used to distribute process gas in the chamber (40), the process gas selected from the group consisting of (i) deposition gas capable of depositing a CVD layer on the substrate (20) by chemical vapor deposition, or (ii) sputtering gas capable of forming a plasma for sputtering the target (60) to deposit a sputtered layer on the substrate. Optionally, the apparatus (35) can also include a heater (80) for heating the substrate (20) to diffuse the CVD and sputtered layers into one another to form a substantially homogeneous diffusion mixture of the deposited and sputtered layers. The apparatus (35) is particularly useful for depositing multicomponent alloys on the substrate (20).
摘要翻译：基板的装置（35），用于通过化学汽相沉积和溅射在（20）上沉积材料进行说明。的装置（35）包括具有用于在所述腔室支撑所述基片（20）的支撑（65）的沉积室（40）。面对在腔室中的基板（20）（40）一种溅射靶（60）具有溅射表面包含溅射材料。在所述腔室（40）的等离子体发生器被用于生成从引入室中的工艺气体的等离子体。气体分配器（55）用于在腔室（40）分发的处理气体，从该组包括：（i）沉积能够沉积在基片上通过化学气相沉积一个CVD层（20）的气体中选择的处理气体，或（ii）能够用于溅射靶（60）以沉积溅射在基片上的层形成的等离子体的溅射气体。任选地，所述装置（35）因此，可以包括一个加热器（80），用于加热所述基板（20）以扩散CVD和溅射层到彼此以形成均匀的扩散所沉积的基本上混合物和溅射层。的装置（35）是在该衬底上（20）沉积多组分合金是特别有用的。

9. 发明公开

EP0799906A1 Semiconductor device 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：EP0799906A1
公开(公告)日：1997-10-08
申请号：EP97302304.7
申请日：1997-04-03
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
发明人： Paranjpe, Ajit P.
IPC分类号： C23C16/12 , C23C16/20 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/12 , C23C16/20
摘要： An embodiment of the instant invention is a method of controlling the grain size of a deposited material formed over a substrate to a first thickness, the method comprising the steps of: forming a first layer of the material to a second thickness which is less than the first thickness; forming a thin intermediate layer on the first layer, the intermediate layer having a grain structure which is different than the grain structure of the first layer; forming a second layer of the material on the thin intermediate layer to a third thickness which is less than the first thickness such that the first thickness is equal to the sum of the second and third thicknesses. Preferably, the intermediate layer is an interstitial layer. Preferably, the steps of forming the first layer, the thin intermediate layer on the first layer, and the second layer on the thin intermediate layer is repeated at least one time. Preferably, the first and the second layers are comprised of a material selected from the group consisting of: CVD metals, CVD dielectric films and CVD semiconductor films; more specifically, the first and the second layers are comprised of a material selected from the group consisting of. CVD aluminum and CVD polysilicon.
摘要翻译：本发明的一个实施例是一种控制在衬底上形成的沉积材料的晶粒尺寸至第一厚度的方法，该方法包括以下步骤：将第一层材料形成为小于第二厚度的第二厚度第一厚度; 在所述第一层上形成薄中间层，所述中间层具有与所述第一层的晶粒结构不同的晶粒结构; 在所述薄中间层上形成所述材料的第二层至小于所述第一厚度的第三厚度，使得所述第一厚度等于所述第二和第三厚度的总和。优选地，中间层是间质层。优选地，形成第一层，第一层上的薄中间层和薄中间层上的第二层的步骤至少重复一次。优选地，第一和第二层由选自CVD金属，CVD电介质膜和CVD半导体膜的材料构成; 更具体地说，第一层和第二层由选自下组的材料构成。 CVD铝和CVD多晶硅。

10. 发明授权

EP0548990B1 Chemical vapor deposition method for forming a deposited film with the use of a liquid raw material and apparatus suitable for practising said method 失效
标题翻译：通过CVD来制造的沉积层的过程中，采用液体原料加合适的装置
公开(公告)号：EP0548990B1
公开(公告)日：1997-03-12
申请号：EP92122039.8
申请日：1992-12-28
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人： Asaba, Tetsuo, c/o Canon Kabushiki Kaisha , Makino, Kenji, c/o Canon Kabushiki Kaisha
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/18 , C23C16/20 , C23C16/40
CPC分类号： C23C16/402 , C23C16/18 , C23C16/4486

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式