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    • 2. 发明公开
      EP0390871A1 PLASMA PINCH SYSTEM AND METHOD OF USING SAME 失效 转让
    • PLASMA PINCH SYSTEM AND METHOD OF USING SAME
    • 等离子体PINCH系统及其使用方法
    • EP0390871A1
    • 1990-10-10
    • EP89901826.0
    • 1988-12-02
    • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
    • ASMUS, John, F. , LOVBERG, Ralph, H. , Boyer, Keith
    • C23F4 , G03F7 , H01J61 , H01L21 , H05H1
    • B82Y10/00 , G03F7/70016 , H01J61/72 , H05H1/04 , H05H1/52 , Y10S148/045
    • Système de striction au plasma (10) comprenant un appareil à striction à jet de fluide (12) établissant une source de plasma composée d'un nuage de préconditionnement de vapeur ténu (23), entourant un courant fin de fluide sous pression à écoulement central étroit. Un dispositif de décharge (25) est connecté électriquement à l'appareil à striction à jet de fluide (12), afin de fournir un écoulement électrique à travers une partie du courant de fluide, en vue d'établir le long de celui-ci un plasma (23) d'émission de lumière incohérente. Un procédé d'utilisation du système de striction au plasma (10) permettant la fabrication de semiconducteurs, consiste à exposer une tranche de semiconducteur (W) à la lumière incohérente (L) émise par le plasma (23) à des fins soit de recuit soit de gravure.
    • 一种等离子体缩颈系统（10），包括提供等离子体源的流体射流颈缩装置（12），所述等离子体源包括围绕中心流动下的可流动流体的细流的微弱蒸汽预处理云（23） 窄。 放电装置（25）电连接到流体射流颈缩装置（12）以提供通过流体流的一部分的电流以建立流过其中的流体流动 用于非相干发光的等离子体（23）。 使用等离子体缩颈系统（10）进行半导体制造的方法包括将半导体晶片（W）暴露于由等离子体（23）发射的非相干光（L）以用于退火目的。 雕刻。
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    • 4. 发明公开
      EP0326986A1 Process for the formation of a functional deposited film containing groups III and V atoms as the main constituent atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process 有权
    • Process for the formation of a functional deposited film containing groups III and V atoms as the main constituent atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process
    • 一种用于从组-III-形成功能沉积膜的和-V原子作为通过化学气相沉积微波等离子体主要原子成分的过程。
    • EP0326986A1
    • 1989-08-09
    • EP89101534.9
    • 1989-01-30
    • CANON KABUSHIKI KAISHA
    • Kanai, Masahiro
    • C23C16/06 , C23C16/44 , H01L21/205
    • C23C16/452 , C23C16/301 , Y10S148/045 , Y10S148/065
    • A process for the formation of a functional deposited film containing atoms belonging to the group III and V of the periodical table as the main constituent atoms by introducing, into a film forming space for forming a deposited film on a substrate disposed therein, a compound (1) and a compound (2) represented respectively by the following general formulae (I) and (II) as the film-forming raw material and, if required, a compound (3) containing an element capable of controlling valence electrons for the deposited film as the constituent element each in a gaseous state, or in a state where at least one of such compounds is previously activated in an activation space disposed separately from the film forming space, while forming hydrogen atoms in excited state which cause chemical reaction with at least one of the compounds (1), (2) and (3) in the gaseous state or in the activated state in an activation space different from the film forming space and introducing them into the film-forming space, thereby forming the functional deposited film on the substrate, wherein the hydrogen atoms in excited state are formed from a hydrogen gas or a gas mixture composed of a hydrogen gas and a rare gas by means of a microwave plasma generated in a plasma generation chamber disposed in a cavity resonator integrated with two impedance matching circuits in a micro­wave circuit and the excited state of the hydrogen atom is controlled:
      RnMm      (I)
      AaBb      (II)
      where m represents a positive integer equal to or multiple integer of the valence number for R, n represents a positive integer equal to or multiple integer of the valence number for M, M represents an element belonging to the group III of the periodical table, R represents a member selected from hydrogen (H), halogen (X) and hydrocarbon group, a represents a positive integer equal to or multiple integer of the valence number for B, b represents a positive integer equal to or multiple integer of the valence number for A and A represents an element belonging to the group V of the periodical table, B represents a member selected from hydrogen (H), halogen (X) and hydrocarbon group.
    • 一种用于通过引入，为膜形成在基板的淀积电影设置于其中的化合物形成空间属于周期表作为主要组分原子的III族和V功能沉积膜包含原子的形成过程（ 1）和（2）由下述通式餐饮（I）和（II）作为膜形成原料，并且如果需要，化合物（3）能够控制价电子的沉积的元素的含分别表示的化合物 电影作为构成元素的每个以气体状态，或者在寻求化合物中的至少一个是先前激活在从成膜空间分开设置激活空间，同时形成激发态氢原子引起的化学反应与在状态 至少所述化合物中的一种（1），（2）和（3）以气态或在上激活空间从成膜空间不同，且其中引入所述薄膜formi激活状态 纳克的空间，从而形成在基板上的功能沉积电影，worin在激发态的氢原子被从氢气和稀有气体组成的氢气或气体混合物通过在等离子体产生产生的微波等离子体的方法形成 香槟在空腔谐振器在微波电路和氢原子的激发态具有两个阻抗匹配电路集成配置有控制：RnMm（I）AABB（II）其中的价数为m darstellt的正整数等于或多个整数 对于R，N表示等于或对于M的价数，属于周期表中的III族元素的M个darstellt的多个整数的正整数，R darstellt选自氢（H）中的成员，卤素（X）和 烃基，darstellt的正整数等于或对于b价数的多个整数，b为A和A代表价数的darstellt的正整数等于或多个整数 属于周期表的V族元素的S，乙darstellt选自氢（H）中的成员，卤素（X）和烃基。
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    • 6. 发明公开
      EP0327034A2 Process for the formation of a functional deposited film containing groups II and VI atoms as the main constituent atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process 失效
    • Process for the formation of a functional deposited film containing groups II and VI atoms as the main constituent atoms by microwave plasma chemical vapor deposition process
    • 一种用于实际的使用主要含有选自II和VI原子微波等离子体层通过化学气相沉积法沉积的制备方法。
    • EP0327034A2
    • 1989-08-09
    • EP89101657.8
    • 1989-01-31
    • CANON KABUSHIKI KAISHA
    • Kanai, Masahiro , Murakami, Tsutomu , Arai, Takayoshi , Kawakami, Soichiro
    • H01L21/365 , C30B25/02 , C30B29/48 , C23C16/30 , C23C16/44
    • C30B25/105 , C23C16/306 , C23C16/452 , C30B29/48 , H01L21/02422 , H01L21/02551 , H01L21/0256 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , Y10S148/045 , Y10S148/064
    • A process for the formation of a functional deposited film containing atoms belonging to the group II and VI of the periodical table as the main constituent atoms by introducing, into a film forming space for forming a deposited film on a substrate disposed therein, a compound (1) and a compound (2) represented respectively by the following general formulae (I) and (II) as the film-forming raw material and, if required, a compound (3) containing an element capable of controlling valence electrons for the deposited film as the constituent element each in a gaseous state, or in a state where at least one of such compounds is previously activated in an activation space disposed separately from the film forming space, while forming hydrogen atoms in excited state which cause chemical reaction with at least one of said compounds (1), (2) and (3) in the gaseous state or in the activated state in an activation space different from said film forming space and introducing them into the film-forming space, thereby forming the functional deposited film on the substrate, wherein the hydrogen atoms in excited state are formed from a hydrogen gas or a gas mixture composed of a hydrogen gas and a rare gas by means of a microwave plasma generated in a plasma generation chamber disposed in a cavity resonator integrated with two impedance matching circuits in a microwave circuit and the excited state of the hydrogen atoms is controlled:
      RnMm      (I)
      AaBb      (II)
      where m represents a positive integer equal to or multiple integer of the valence number for R, n , represents a positive integer equal to or multiple integer of the valence number for M, M represents an element belonging to the group II of the periodical table, R represents a member selected from hydrogen (H), halogen (X) and hydrocarbon group, a re­presents a positive integer equal to or multiple integer of the valence number for B, b represents a positive integer equal to or multiple integer of the valence number for A and A represents an element belonging to the group VI of the periodical table, B represents a member selected from hydrogen (H), halogen (X) and hydrocarbon group.
    • 一种用于功能沉积膜含杂原子的属于组II和周期表如通过引入，为膜形成在基板的淀积电影设置在其中，化合物形成空间的主要组成原子的VI的形成过程（ 1）和（2）由下述通式餐饮（I）和（II）作为膜形成原料，并且如果需要，化合物（3）能够控制价电子的沉积的元素的含分别表示的化合物 电影作为构成元素的每个以气体状态，或者在寻求化合物中的至少一个是先前激活在从成膜空间分开设置激活空间，同时形成激发态氢原子引起的化学反应与在状态 至少（1），（2）和（3）以气态或在来自所述膜形成空间不同的激活空间中的激活状态和将它们引入薄膜用于所述化合物中的一种 明的空间，从而形成在基板上的功能沉积电影，worin在激发态的氢原子被从氢气和稀有气体组成的氢气或气体混合物通过在等离子体产生产生的微波等离子体的方法形成 香槟在空腔谐振器在微波电路和氢原子的激发态具有两个阻抗匹配电路集成配置有控制：RnMm（I）AABB（II）其中的价数为m darstellt的正整数等于或多个整数 用于R，N，darstellt的正整数等于或对于M的价数，属于周期表的第II族元素的M个darstellt的整数倍，R darstellt选自氢（H）中的成员，卤素（X） 和烃基，darstellt的正整数等于或多个整数对于b价数的，b的价数为A和A repres darstellt的正整数等于或多个整数 属于周期表第VI组元素的已废除，B darstellt选自氢（H）中的成员，卤素（X）和烃基。
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