基本信息:
- 专利标题： Method and apparatus for processing a fine pattern
- 专利标题（中）：用于处理的微细结构的方法和装置
- 申请号：EP89122906.4 申请日：1989-12-12
- 公开(公告)号：EP0376045B1 公开(公告)日：2001-05-16
- 发明人： Yamaguchi, Hiroshi , Saito, Keiya , Miyauchi, Tateoki
- 申请人： Hitachi, Ltd.
- 申请人地址： 6, Kanda Surugadai 4-chome Chiyoda-ku, Tokyo JP
- 专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人地址： 6, Kanda Surugadai 4-chome Chiyoda-ku, Tokyo JP
- 代理机构： Altenburg, Udo, Dipl.-Phys.
- 优先权： JP32576888 19881226
- 主分类号： H01L21/30
- IPC分类号： H01L21/30 ; G03F1/00
公开/授权文献:
- EP0376045A3 Method and apparatus for processing a fine pattern 公开/授权日：1991-01-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/30 | ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的 |