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1. 发明授权

EP0024679B1 Selektiver Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung des Verunreinigungsgehaltes von Luft auf der Basis von Metalloxidhalbleitern 有权
标题翻译：选择性气体传感器具有极大的灵敏度和稳定性，用于确定和测量基于金属氧化物半导体的空气污染程度
公开(公告)号：EP0024679B1
公开(公告)日：1983-05-18
申请号：EP80104928.9
申请日：1980-08-19
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Treitinger, Ludwig, Dr.
IPC分类号： G01N27/12
CPC分类号： G01N27/125

2. 发明公开

EP0396802A1 Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsstruktur mit einem lateralen Bipolartransistor 失效
标题翻译：双管双极晶体管（Schaltungsstruktur mit einem lateralen Bipolartistor）。
公开(公告)号：EP0396802A1
公开(公告)日：1990-11-14
申请号：EP89108511.0
申请日：1989-05-11
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Treitinger, Ludwig, Dr. , Bertagnolli, Emmerich, Dr.
IPC分类号： H01L29/735 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7317 , H01L29/735
摘要： Die Schaltungsstruktur enthält mindestens einen Bipolartransistor, dessen Emitter (13ab) als Teil einer auf einem Substrat (11) aufgewachsenen, dotierten Siliziumschicht (13) ausgebildet ist. Die dotierte Siliziumschicht (13) weist eine zu ihrer Oberflächennormalen parallele Flanke auf, die von einer die Basis des Bipolartransistors bildenden, dotierten Siliziumstruktur (17a, 17b) bedeckt ist. Der Bipolartransistor weist eine selbstjustierte wirksame Emitterweite von 50 - 500 nm auf. Die Schaltungsstruktur ist für ECL- und CML-Logik einsetzbar.
摘要翻译：电路包含至少一个双极晶体管，其发射极（13ab）是在衬底（11）上生长的掺杂硅层（13）的一部分。掺杂硅层（13）具有平行于其表面法线的边缘，并且由形成双极晶体管的基极的掺杂硅结构（17a，17b）覆盖。双极晶体管具有50-500nm的自对准有效发射极宽度。该电路可用于ECL和CML逻辑。 ... ...

3. 发明公开

EP0046989A3 Selective thin-coat gas sensor with high sensitivity and stability to detect and measure gaseous organic pollutants in the air on the basis of tungsten semi-conductor oxide, and method of producing the same 失效
标题翻译：选择性薄涂层气体传感器，具有高灵敏度和稳定性，可以在基于氧化钨半导体氧化物的空气中检测和测量气态有机污染物及其生产方法
公开(公告)号：EP0046989A3
公开(公告)日：1983-06-22
申请号：EP81106679
申请日：1981-08-27
申请人： Siemens Aktiengesellschaft
发明人： Treitinger, Ludwig, Dr. , Voit, Helmut
IPC分类号： G01N27/12
CPC分类号： H01C17/12 , G01N27/12

4. 发明授权

EP0396802B1 Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsstruktur mit einem lateralen Bipolartransistor 失效
标题翻译：一种用于制造具有横向双极性晶体管的集成电路结构的方法
公开(公告)号：EP0396802B1
公开(公告)日：1997-10-22
申请号：EP89108511.0
申请日：1989-05-11
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Treitinger, Ludwig, Dr. , Bertagnolli, Emmerich, Dr.
IPC分类号： H01L29/735 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7317 , H01L29/735

5. 发明授权

EP0046989B1 Selektiver Dünnschicht-Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen in der Luft auf der Basis von Wolframoxid (WOx)-Halbleitern, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung 失效
标题翻译：选择性薄层气体传感器，具有高灵敏度和稳定性，可根据氧化钨半导体氧化物检测和测量空气中的气体有机污染物及其生产方法
公开(公告)号：EP0046989B1
公开(公告)日：1985-12-18
申请号：EP81106679.4
申请日：1981-08-27
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Treitinger, Ludwig, Dr. , Voit, Helmut
IPC分类号： G01N27/12
CPC分类号： H01C17/12 , G01N27/12

6. 发明公开

EP0046989A2 Selektiver Dünnschicht-Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen in der Luft auf der Basis von Wolframoxid (WOx)-Halbleitern, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung 失效
标题翻译：高的灵敏度和稳定性，用于检测和氧化钨（WO x）的半导体的基础上测量空气中气态烃的杂质的选择性薄膜的气体传感器，以及用于其制备的方法。
公开(公告)号：EP0046989A2
公开(公告)日：1982-03-10
申请号：EP81106679.4
申请日：1981-08-27
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Treitinger, Ludwig, Dr. , Voit, Helmut
IPC分类号： G01N27/12
CPC分类号： H01C17/12 , G01N27/12
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf einen selektiven Dünnschicht-Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung von gasförmigen Kohlenwasserstoff-Verunreinigungen in der Luft auf der Basis von Wolframoxid-Halbleitern auf Substraten aus Quarzglas, oxidiertem Silizium oder Keramik, bei dem der elektrische Widerstand der Wolframoxidschicht in Abhängigkeit von der Art und Konzentration des zu detektierenden Gases gemessen wird, sowie auf ein Verfahren zur Herstellung desselben. Dabei besteht der Wolframoxidhalbleiter aus einer gesputterten WO 3-δ -Dünnschicht (7), wobei δ 3 - δ -Dünnschicht (7) durch ein Edelmetall (8), insbesondere aus Platin bestehend, aktiviert und als Substrat (1, 2) ein oxidierter Siliziumkörper verwendet, der an seiner, der Sensordünnschicht (7, 8) abgewandten Oberfläche eine bis zur Entartung hochdotierte Oberflächenzone (3) aufweist, die zur direkten Beheizung mit Metallkontakten (5, 6) versehen ist (Figur 1). Die WO 3-δ -Dünnschicht (7) wird hergestellt durch reaktives HF-Sputtern von einem metallischen Wolframtarget in einer aus Argon bestehenden Sputteratmosphäre mit einem Sauerstoffgehalt von 3 % (Gesamtdruck 1.2. . 10 -3 mbar).
摘要翻译： 1.高灵敏度和稳定性用于检测和测量上具有钨氧化物半导体的由石英玻璃制成的基片，氧化硅，或陶瓷上的碱在空气中气态烃的杂质，worin的电阻的选择性薄层的气体传感器氧化钨层取决于类型和气体的浓度进行检测，DASS溅射WO3增量 - 变薄层，其中0 <增量<0.2的钨氧化物半导体besteht。

7. 发明公开

EP0024679A1 Selektiver Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung des Verunreinigungsgehaltes von Luft auf der Basis von Metalloxidhalbleitern 有权
标题翻译：用于检测和测量空气中的金属氧化物半导体的基础上，杂质含量高的灵敏度和稳定性的选择性气体传感器。
公开(公告)号：EP0024679A1
公开(公告)日：1981-03-11
申请号：EP80104928.9
申请日：1980-08-19
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Treitinger, Ludwig, Dr.
IPC分类号： G01N27/12
CPC分类号： G01N27/125
摘要： Die Erfindung betrifft einen Gassensor hoher Empfindlichkeit und Stabilität zum Nachweis und zur Messung des Verunreinigungsgehaltes von Luft auf der Basis Metalloxid-Halbleiter, bei dem der elektrische Widerstand der Metalloxid-Halbleiterschicht in Abhängigkeit von der Art und der Konzentration der Luftverunreinigung gemessen wird. Die Erfindung besteht darin, daß die Metalloxid-Halbleiterschicht aus zwei Schichten besteht:

a) einer grob- bis einkristallinen Grundschicht (5, 13), deren Dicke der Raumladungszone angepaßt ist und
b) einer über der Grundschicht (5,13) angeordneten dünneren, amorphen Deckschicht (7, 14) aus einem, auf die zu detektierende Luftverunreinigung katalytisch wirkenden Material mit einem Leitwert, der bezüglich der Dicke dieser Deckschicht vernachlässigbar klein gegenüber dem Leitwert der Grundschicht (5, 13) ist.
摘要翻译： 1.高灵敏度和稳定性对于识别和测量存在于空气中的杂质，包括金属氧化物半导体材料的两个层，的选择性气体传感器，其中所述金属氧化物半导体层的电阻，所有这些依赖于类型和空气污染的浓度，被测量，DASS a）所述的层中的一个的粗结晶的besteht到单晶碱性层（5，13），该厚度是angepasst空间电荷区的所有其电阻期间形成测量; 和b）另一所述层的被由金属氧化物半导体材料的较薄的无定形覆盖层（7，14）形成的所有被选择雅丁到空气污染要被检测和其中有一个电导了因的，该覆盖层（7，14）的非常小的厚度是与所述基本层（5,13）的电导比较小到可以忽略。

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