专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

EP2328174A1 Methods, systems and devices for electrostatic discharge protection 审中-公开
标题翻译：方法，系统和装置用于防止静电放电
公开(公告)号：EP2328174A1
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：EP10192188.0
申请日：2010-11-23
申请人： NXP B.V.
发明人： Berglund, Stefan Bengt , Holland, Steffen , Podschus, Uwe
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/0652 , H01L27/0761 , H01L29/7304
摘要： A resistor-equipped transistor includes a package that provides an external collector connection node (114, 134), an external emitter connection node (120, 140) and an external base connection node (106, 126). The package contains a substrate upon which a transistor (102, 122), first and second resistors, and first and second diodes are formed. The transistor has an internal collector (118, 138), an internal emitter (120, 140) and an internal base (116, 136) with the first resistor (104, 124) being electrically connected between the internal base and the external base connection node and the second resistor (108, 128) being electrically connected between the internal base and the internal emitter. The first and second diodes are electrically connected in series between the external base connection node and the external collector connection node with the first diode (112, 132) having a first cathode-anode orientation that is opposite of a second cathode-anode orientation corresponding to the second diode (110, 130).
摘要翻译：电阻器配备晶体管包括：封装，其提供到外部集电极连接节点（114，134）到外部发射极连接点（120，140）和外部基极连接的节点（106，126）。包包含在其上的晶体管（102，122），第一和第二电阻器，以及第一和第二二极管形成的基材。该晶体管具有以内部发射器的内部集电体（118，138）（120，140）和内部基极（116，136）与所述第一电阻器（104，124）被电连接在内部基极和外部基极连接之间节点和所述第二电阻器（108，128）被电连接在内部基极和内部发射极之间。第一和第二二极管串联电连接，外部基极连接节点和与所述第一二极管（112，132）具有第一阴极 - 阳极取向没有外部集电极连接节点之间是相对的第二阴极 - 阳极取向对应于第二二极管（110，130）。

2. 发明公开

EP2087520A4 CIRCUIT CONFIGURATION AND MANUFACTURING PROCESSES FOR VERTICAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR (TVS) AND EMI FILTER 审中-公开
标题翻译：电路构造和方法垂直浪涌保护和EMI滤波器
公开(公告)号：EP2087520A4
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：EP07867521
申请日：2007-11-16
申请人： ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
发明人： MALLIKARARJUNASWAMI SHEKAR , BOBDE MADHUR
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L27/0727 , H01L29/0611 , H01L29/1004 , H01L29/407 , H01L29/66303 , H01L29/7304 , H01L29/7322 , H01L29/861 , H01L29/8618 , H01L29/866 , H01L29/945 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

3. 发明公开

EP1727208A1 Integrierter Schaltkreis und Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises 审中-公开
标题翻译：集成电路及其制造方法的集成电路
公开(公告)号：EP1727208A1
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：EP06009195.6
申请日：2006-05-04
申请人： ATMEL Germany GmbH
发明人： Tolonics, Johann, Dr. Dipl.-Ing. , Locke, Klaus, Dr. , Brandl, Peter, Dipl.-Ing.
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/0804 , H01L29/1608 , H01L29/7304 , H01L29/7378
摘要： Integrierter Schaltkreis mit
- einem vertikal integrierten Bipolartransistor und
- zumindest einem Emitterwiderstand, der mit einem Emitterhalbleitergebiet (300) des vertikal integrierten Bipolartransistors leitend verbunden ist,
wobei
- zumindest bereichsweise ein Kollektorhalbleitergebiet (50), ein Basishalbleitergebiet (400) und das Emitterhalbleitergebiet (300) vertikal übereinander angeordnet und monokristallin ausgebildet sind,
- ein Widerstandsgebiet (200) des Emitterwiderstandes über dem Emitterhalbleitergebiet (300) angeordnet und monokristallin ausgebildet ist, und
- das Widerstandsgebiet (200) zumindest bereichsweise einen größeren Schichtwiderstand als das Emitterhalbleitergebiet (300) aufweist.
摘要翻译：电路具有对发射极在垂直集成双极型晶体管的发射极半导体区域（300），连接到电阻器。集电极半导体区域（50），基半导体区域（400），发射极半导体区域被构造在彼此之上，并且形成为单晶。发射极电阻器的电阻区域（200）的发射极半导体区域，其中，发射极手指的加热导致直接电阻区域的加热的上方。因此独立claimsoft包括用于制造集成电路的方法。

4. 发明授权

EP0950265B1 UNIFORM BALLAST RESISTANCE FOR A THERMALLY BALANCED RADIO FREQUENCY POWER TRANSISTOR 失效
标题翻译：制服镇流电阻对于平衡热射频功率晶体管
公开(公告)号：EP0950265B1
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：EP97943313.3
申请日：1997-09-15
申请人： Ericsson, Inc.
发明人： LEIGHTON, Larry , JOHANSSON, Ted , SKOGLUND, Bertil
IPC分类号： H01L29/73
CPC分类号： H01L29/73 , H01L29/7304
摘要： An RF power transistor (10) having improved thermal balance characteristics includes a first emitter electrode (12) and a base electrode (18) formed on a silicon die, each having a multiplicity of parallel electrode fingers. A second emitter electrode (22) is formed over the base electrode (18) and is electrically connected to the first emitter electrode (12). Ballast resistors (28, 30) are formed in a substantially evenly spaced manner on each side of the silicon die, in series with at least some of the electrode fingers (16) of the first emitter electrode (12) and in series of at least some of the electrode fingers (26) of the second emitter electrode (22).

5. 发明授权

EP0544364B1 Monolithic semi-conductor device having a vertical structure with a deep-base and finger-emitter power transistor having a ballast resistance 失效
标题翻译：具有垂直结构的单片半导体器件包括深底部并用手指发射极镇流电阻的功率晶体管
公开(公告)号：EP0544364B1
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：EP92203556.3
申请日：1992-11-19
申请人： Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno
发明人： Palara, Sergio
IPC分类号： H01L29/73 , H01L27/082
CPC分类号： H01L29/0804 , H01L29/7304

6. 发明授权

EP0239960B1 Power transistor device 失效
标题翻译：功率晶体管器件
公开(公告)号：EP0239960B1
公开(公告)日：1994-06-01
申请号：EP87104625.6
申请日：1987-03-27
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Emoto, Takao Patent Division , Shiomi,Takeo Patent Division , Takikawa,Osamu Patent Division , Saito, Masayuki Patent Division , Oodaira, Hirosi Patent Division
IPC分类号： H01L29/72 , H01L29/54 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/0813 , H01L29/456 , H01L29/7304

7. 发明公开

EP0487540A1 IN PLANARTECHNOLOGIE ERSTELLTER GROSSCHIP MIT SCHALTTRANSISTOREN 失效
标题翻译：在平面准备与的开关晶体管GREAT CHIP。
公开(公告)号：EP0487540A1
公开(公告)日：1992-06-03
申请号：EP90910586.0
申请日：1990-07-27
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： MICHEL, Hartmut , PLUNTKE, Christian
IPC分类号： H01L27 , H01L21 , H01L29
CPC分类号： H01L27/0825 , H01L29/0813 , H01L29/7304
摘要： La présente invention se rapporte à une puce de grande capacité réalisée en technologie planaire et équipée de transistors de commutation. Selon l'invention, des fenêtres de contact KEA sont introduites en premier lieu le long de bandes d'émission (1), dans des premières régions d'émetteur TA, puis des fenêtres de contact KEI en second lieu dans des secondes régions d'émetteur TI. Au-dessus des secondes fenêtres de contact KEA se trouve toujours une piste conductrice d'émetteur (4). Les premières fenêtres de contact KEA, par contre, sont toujours dotées d'une métallisation (5) qui ne communique pas directement avec la piste conductrice d'émetteur (4). Dans la région située entre les différentes fenêtres de contact KEA et KEI est définie une couche résistive déterminée par une résistance série d'émetteur RVE. Par la variation de la distance et de la forme des fenêtres de contact, cette résistance série RVE peut être adaptée à toute région de transistor en vue d'une équipartition optimale du courant.

8. 发明公开

EP0404095A3 Integratable power transistor with optimization of direct secondary breakdown phenomena 失效
标题翻译：具有优化直流二次断路器的可集成功率晶体管
公开(公告)号：EP0404095A3
公开(公告)日：1991-03-20
申请号：EP90111636.8
申请日：1990-06-20
申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.r.l.
发明人： Botti, Edoardo , Torazzina, Aldo
IPC分类号： H01L29/73 , H01L27/10
CPC分类号： H01L29/7304 , H01L29/0692 , H01L29/1004
摘要： An integratable power transistor with optimization of direct secondary breakdown phenomena which comprises a plurality of elementary transistors which are arranged side by side and comprise a plurality of cells (30), each of which is formed by an emitter region (16) surrounded by base (17) and collector (18) regions, with the emitter regions (16) arranged physically separated. According to the invention, the base regions (17) are also arranged physically separated and are mutually connected by resistive elements (27).

9. 发明授权

EP0225672B1 High-frequency transistor and method of manufacturing same 失效
标题翻译：高频晶体管及其制造方法
公开(公告)号：EP0225672B1
公开(公告)日：1991-03-13
申请号：EP86202185.4
申请日：1986-12-01
申请人： Philips Electronics N.V.
发明人： Vaes, Henricus Maria Joseph
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/72
CPC分类号： H01L29/66303 , H01L29/0649 , H01L29/0813 , H01L29/7304

10. 发明公开

EP0103306A3 Semiconductor protective device 失效
标题翻译：半导体保护器件
公开(公告)号：EP0103306A3
公开(公告)日：1985-08-28
申请号：EP83109072
申请日：1983-09-14
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Fujita, Katsuji
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L29/7304 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor protective device has a semiconductor substrate (1) of one conductivity type, the first island region being of a conductivity type opposite to that of the semiconductor substrate; second and third regions (3, 4) formed in a surface layer of the first region (2) and being of the same conductivity type as that of the semiconductor substrate (1); a first transistor emitter region (5) formed in the surface region of the second region (3) and being of a conductivity type opposite to that of the semiconductor substrate (1); a low-resistance region (6) formed across the second region (3) and the third region (4) ; a first electrode (8) formed on the first transistor emitter region (5); a second electrode (9); a third electrode (10) connected to the second electrode (9) by the low-resistance region (6); a first wiring layer (11) connecting the first electrode (8) and the third electrode (10) and connected to an external terminal, the resistance of the semiconductor region between the first electrode (8) and the first transistor emitter region (5) being lower than that of the semiconductor region between the first electrode (8) and the third electrode (10); and a second wiring layer (12) connected between an internal circuit and the second electrode (9). By a combination of resistors and bipolar transistors, the semiconductor protective device can absorb both positive and negative external surge inputs, thereby protecting the internal circuit.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式