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1. 发明公开

EP3124947A3 DRUCKSENSOR 有权
标题翻译：压力传感器
公开(公告)号：EP3124947A3
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：EP16178290.9
申请日：2016-07-07
申请人： Kistler Holding AG
发明人： Buck, Reinhold , Giger, Martin , Graf, Philip , Niedermann, Urs
IPC分类号： G01L23/10 , G01L19/00 , G01L19/06 , G01L19/04 , G01L9/00 , G01L19/14 , G01L23/26 , G01L9/08 , G01L1/18 , F02D35/02
CPC分类号： G01L19/04 , F02D35/023 , G01L1/18 , G01L9/0052 , G01L9/08 , G01L19/0084 , G01L19/06 , G01L19/146 , G01L19/148 , G01L23/10 , G01L23/26
摘要： Die Erfindung betrifft einen Drucksensor (1) mit einer Sensoranordnung (2) und einer Auswerteeinheit (5); welche Sensoranordnung (2) einen Aufnehmer (22) und eine Elektrodenanordnung (23) aufweist; welcher Aufnehmer (22) unter der Wirkung eines Druckverlaufes Signale erzeugt; und welche Elektrodenanordnung (23) die Signale an die Auswerteeinheit (5) ableitet; wobei die Auswerteeinheit (5) eine elektrische Leiterplatte (51) aufweist; wobei ein Trägermaterial der elektrischen Leiterplatte (51) elektrisch isolierend mit einem spezifischen Durchgangswiderstand grösser/gleich 10 15 Ωcm bei Raumtemperatur ist; und wobei die elektrische Leiterplatte (51) einen der Sensoranordnung (2) zugewandten Hochtemperaturbereich (51.1) und einen der Sensoranordnung (2) abgewandten Normaltemperaturbereich (51.2) aufweist.
摘要翻译：本发明涉及一种具有传感器装置（2）和评估单元（5）的压力传感器（1）。该传感器装置（2）具有换能器（22）和电极装置（23）; 该传感器（22）在压力曲线的作用下产生信号; 并且哪个电极装置（23）将信号导出到评估单元（5）; 其中评估单元（5）具有电路板（51）; 其中所述电路板（51）的支撑材料在室温下以大于或等于1015Ωcm的体积电阻率电绝缘; 并且其中所述电路板（51）具有面对所述传感器装置（2）的高温区域（51.1）和远离所述传感器装置（2）的正常温度区域（51.2）。

2. 发明公开

EP3134613A2 SUBSEA SENSOR ASSEMBLIES 有权转让
标题翻译： SUBSEA传感器组件
公开(公告)号：EP3134613A2
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：EP15716686.9
申请日：2015-04-02
申请人： General Electric Company
发明人： CAMPBELL, Lam Arthur , LU, Dan Tho , HAUGEN, Svein Arild , ABRAHAMSEN, Jens
IPC分类号： E21B47/00 , E21B47/01 , G01D11/24 , G01B7/02 , F04D13/08
CPC分类号： G01B7/14 , E21B43/01 , E21B43/121 , E21B47/0001 , E21B47/0007 , E21B47/011 , E21B47/06 , E21B47/065 , F04D13/08 , G01D5/20 , G01D11/245 , G01L9/08 , H02K11/21
摘要： Sensor assemblies, electrical penetrator assemblies and associated methods are provided for monitoring operational characteristics of subsea rotating devices such as subsea motors and pumps. Pressure-compensated proximity sensors configured to withstand subsea pressures are disposed adjacent a subsea rotating shaft for directly monitoring a position of the rotating shaft during dynamic operation thereof. A sensor tip assembly includes a sensor cap and a sensing element therein configured to produce a signal indicative of a distance between the sensor cap and the rotating shaft. A substantially incompressible fluid is disposed within a fluid reservoir within a sensor housing, and fluidly communicates with the sensor cap such that at least a portion of an internal pressure within the sensor housing is applied to interior portions of the sensor cap. The sensor housing is configured such that the internal pressure increases in response to an increase in an external pressure of the sensor housing.
摘要翻译：传感器组件，电子穿透器组件和相关方法被提供用于监测水下旋转装置（例如海底电动机和泵）的操作特性。构造成承受海底压力的压力补偿接近传感器邻近海底旋转轴布置，用于在其动态操作期间直接监测旋转轴的位置。传感器末端组件包括传感器帽和传感元件，传感器帽和传感元件被构造成产生指示传感器帽和旋转轴之间的距离的信号。基本上不可压缩的流体设置在传感器壳体内的流体储存器内，并且与传感器帽流体连通，使得传感器壳体内的至少一部分内部压力施加到传感器帽的内部部分。传感器外壳被构造成使得内部压力响应于传感器外壳的外部压力的增加而增加。

3. 发明授权

EP2710344B1 SENSORELEMENT MIT PIEZOELEKTRISCHEM WANDLER 有权
标题翻译：含压电转换器传感器元件
公开(公告)号：EP2710344B1
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：EP12715633.9
申请日：2012-03-19
申请人： Robert Bosch GmbH
发明人： FRANKE, Axel , BUHMANN, Alexander , HENRICI, Fabian
IPC分类号： G01L1/16 , H01L41/113
CPC分类号： H01L41/042 , G01L1/16 , G01L9/08 , H01L41/1132

4. 发明授权

EP2546393B1 HIGHLY INSULATING/HIGHLY STABLE PIEZOELECTRIC LTGA SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING SAME, PIEZOELECTRIC ELEMENT USING SAID LTGA SINGLE CRYSTAL, AND COMBUSTION PRESSURE SENSOR 有权
标题翻译：高保温/高稳定型压电LTGA单晶，工艺制作，压电元件与本LTGA单晶和内部压力传感器
公开(公告)号：EP2546393B1
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：EP11753514.6
申请日：2011-03-09
申请人： Citizen Finedevice Co., Ltd.
发明人： HAYASHI, Takayuki , ARUGA, Toshimitsu , MATSUKURA, Makoto , ANZAI, Yutaka , MIYAMOTO, Akio , MATSUMURA, Sadao , FURUKAWA, Yasunori
IPC分类号： C30B29/22 , C30B33/02 , H01L41/18 , C30B15/00 , G01L9/08 , G01L23/10 , F02D35/02 , H01L41/41
CPC分类号： C30B29/22 , C30B15/00 , C30B33/02 , F02D35/023 , G01L9/08 , G01L23/10 , H01L41/1132 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/41
摘要： In accordance with the present invention, there is provided a method for producing a single LTGA crystal from a polycrystalline starting material prepared from a mixture of La 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Ga 2 O 3 , and Al 2 O 3 , wherein a mixture having a composition represented by y(La 2 O 3 ) + (1-x-y-z)(Ta 2 O 5 ) + z(Ga 2 O 3 ) + x(Al 2 O 3 ) (in the formula, 0

5. 发明公开

EP2945200A4 TRANSISTOR ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
标题翻译： TRANSISTORANORDNUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHRENDAFÜR
公开(公告)号：EP2945200A4
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：EP13870521
申请日：2013-12-12
申请人： BEIJING INST NANOENERGY & NANOSYSTEMS
发明人： WANG ZHONGLIN , WU WENZHUO , WEN XIAONAN
IPC分类号： H01L27/20 , G01L1/16 , H01L41/113 , H01L41/22
CPC分类号： H01L27/20 , G01L1/16 , G01L9/08 , H01L29/78 , H01L41/0477 , H01L41/0533 , H01L41/1132 , H01L41/187 , H01L41/1876 , H01L41/193 , H01L41/22 , H01L41/29 , H01L41/317
摘要： The disclosure provides a transistor array including a substrate and a plurality of transistor elements sharing the substrate. Each of the transistor elements includes: a bottom electrode disposed on the substrate and a connection wire for the bottom electrode; a piezoelectric body disposed on the bottom electrode, wherein the piezoelectric body is made of piezoelectric material; and a top electrode disposed on the piezoelectric body. The disclosure also provides a method for manufacturing a transistor array. The transistor array contains transistor elements which are two-terminal devices. Piezoelectric bodies with piezoelectric properties are provided between the top electrodes and bottom electrodes of the transistor array. The carrier transport progress of the transistor elements in the transistor array device can be effectively regulated or triggered by strains or stresses applied on the transistor elements.
摘要翻译：本公开提供了一种晶体管阵列，其包括基板和共享基板的多个晶体管元件。每个晶体管元件包括：设置在基板上的底部电极和用于底部电极的连接线; 设置在所述底部电极上的压电体，其中，所述压电体由压电材料制成; 以及设置在压电体上的顶电极。本公开还提供了一种用于制造晶体管阵列的方法。晶体管阵列包含作为两端器件的晶体管元件。具有压电特性的压电体设置在晶体管阵列的顶部电极和底部电极之间。可以通过施加在晶体管元件上的应变或应力来有效地调节或触发晶体管阵列器件中的晶体管元件的载流子传输进程。

6. 发明授权

EP2504920B1 DIGITALER LADUNGSVERSTÄRKER UND VERFAHREN ZUM WANDELN VON LADUNGSSIGNALEN IN DIGITALE SIGNALE 有权
标题翻译：数字电荷放大器和方法电荷在数转换信号信号
公开(公告)号：EP2504920B1
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：EP10785316.0
申请日：2010-11-18
申请人： Kistler Holding AG
发明人： AMSTUTZ, Leo , NEFF, Kurt , OTTER, Daniel
IPC分类号： G01L9/08 , H03F3/70 , G01L1/16 , H03F1/30
CPC分类号： H03F3/70 , G01L1/16 , G01L9/08 , H03F1/304

7. 发明公开

EP2749857A3 Vorrichtung zur Messung eines Druckes mit wenigstens einem Drucksensor mit wenigstens einer aktiven Sensorfläche 有权
标题翻译：一种用于测量与至少一种活性传感器表面上的至少一个压力传感器的压力装置
公开(公告)号：EP2749857A3
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：EP13192814.5
申请日：2013-11-14
申请人： Pfeiffer Vacuum GmbH
发明人： Conrad, Armin
IPC分类号： G01L11/00 , G01L13/00 , G01L9/00 , G01L19/02 , G01L27/00
CPC分类号： G01L9/00 , G01L9/0016 , G01L9/08 , G01L11/002 , G01L19/02 , G01L27/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Messung eines Druckes mit wenigstens einem Drucksensor mit wenigstens einer aktiven Sensorfläche, bei der der wenigstens einen Sensorfläche gegenüberliegend eine schwingende und/oder temperaturwechselnde Gegenfläche angeordnet ist, bei der die Sensorfläche und die Gegenfläche in einem Hohlkörper angeordnet sind, wobei der Hohlkörper wenigstens eine Öffnung aufweist, und bei der wenigstens ein Wechselsignalverstärker vorgesehen ist. (Fig. 1).

8. 发明授权

EP2756278B1 CAPTEUR DE PRESSION PIEZOELECTRIQUE 有权
标题翻译：压电式压力传感器
公开(公告)号：EP2756278B1
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：EP12750474.4
申请日：2012-08-03
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： BENWADIH, Mohammed , ALIANE, Abdelkader
IPC分类号： H01L41/193 , G01L9/08 , G01L9/06 , G01L9/00 , G01L1/16 , H01L41/113
CPC分类号： H01L41/193 , G01L1/16 , G01L9/008 , G01L9/06 , G01L9/08 , H01L41/1132

9. 发明公开

EP2749857A2 Vorrichtung zur Messung eines Druckes mit wenigstens einem Drucksensor mit wenigstens einer aktiven Sensorfläche 有权
标题翻译：一种用于测量与至少一种活性传感器表面上的至少一个压力传感器的压力装置
公开(公告)号：EP2749857A2
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：EP13192814.5
申请日：2013-11-14
申请人： Pfeiffer Vacuum GmbH
发明人： Conrad, Armin
IPC分类号： G01L11/00 , G01L13/00
CPC分类号： G01L9/00 , G01L9/0016 , G01L9/08 , G01L11/002 , G01L19/02 , G01L27/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Messung eines Druckes mit wenigstens einem Drucksensor mit wenigstens einer aktiven Sensorfläche, bei der der wenigstens einen Sensorfläche gegenüberliegend eine schwingende und/oder temperaturwechselnde Gegenfläche angeordnet ist, bei der die Sensorfläche und die Gegenfläche in einem Hohlkörper angeordnet sind, wobei der Hohlkörper wenigstens eine Öffnung aufweist, und bei der wenigstens ein Wechselsignalverstärker vorgesehen ist. ( Fig. 1 ).
摘要翻译：所述装置（1）具有一个压力传感器（2）那样在有源传感器区域（3）设置有。有源传感器区域被设置到相对的振动和/或温度变化的配合表面（4）。有源传感器区和振动和/或温度变化的配合表面被布置在中空部（8）。放大器中空部设置有开口部（10,11）和上交流（AC）信号（14）。侧壁（6,7）被布置在振动和/或温度变化的配合表面的一个支撑件（5）。

10. 发明公开

EP2546393A4 HIGHLY INSULATING/HIGHLY STABLE PIEZOELECTRIC LTGA SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING SAME, PIEZOELECTRIC ELEMENT USING SAID LTGA SINGLE CRYSTAL, AND COMBUSTION PRESSURE SENSOR 有权
标题翻译：高保温/高稳定型压电LTGA单晶，工艺制作，压电元件与本LTGA单晶和内部压力传感器
公开(公告)号：EP2546393A4
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：EP11753514
申请日：2011-03-09
申请人： CITIZEN FINETECH MIYOTA CO LTD
发明人： HAYASHI TAKAYUKI , ARUGA TOSHIMITSU , MATSUKURA MAKOTO , ANZAI YUTAKA , MIYAMOTO AKIO , MATSUMURA SADAO , FURUKAWA YASUNORI
IPC分类号： C30B29/30 , C30B33/02 , H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/39 , H01L41/41 , H01L41/24
CPC分类号： C30B29/22 , C30B15/00 , C30B33/02 , F02D35/023 , G01L9/08 , G01L23/10 , H01L41/1132 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/41
摘要： In accordance with the present invention, there is provided a method for producing a single LTGA crystal from a polycrystalline starting material prepared from a mixture of La 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Ga 2 O 3 , and Al 2 O 3 , wherein a mixture having a composition represented by y(La 2 O 3 ) + (1-x-y-z)(Ta 2 O 5 ) + z(Ga 2 O 3 ) + x(Al 2 O 3 ) (in the formula, 0

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