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1. 发明授权

EP2058075B1 Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitfähigen Substratoberfläche 有权
标题翻译：一种用于在导电基底表面的表面处理方法
公开(公告)号：EP2058075B1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：EP08022415.7
申请日：2007-04-20
申请人： Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
发明人： Quenzer, Hans-Joachim , Zwicker, Gerfried
IPC分类号： B23H3/00 , C25D3/00
CPC分类号： B23H3/00 , B81C1/00634 , B81C2201/0146 , C25F3/14

2. 发明授权

EP2379440B1 Method for producing thin, free-standing layers of solid state materials with structured surfaces 有权
标题翻译：一种用于制造具有结构化表面的固态材料的薄的，自支撑层的方法
公开(公告)号：EP2379440B1
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：EP09807540.1
申请日：2009-12-18
申请人： Siltectra GmbH
发明人： LICHTENSTEIGER, Lukas
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/78 , H01L21/304 , B28D1/22
CPC分类号： B28D1/221 , B81C1/00634 , B81C2201/038 , H01L21/304 , H01L21/76251 , Y10T225/10

3. 发明授权

EP2010351B1 VERFAHREN ZUR OBERFLÄCHENBEHANDLUNG EINER ELEKTRISCH LEITENDEN, METALLISCHEN SUBSTRATOBERFLÄCHE 有权
标题翻译：法电铅表面处理，金属基片表面
公开(公告)号：EP2010351B1
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：EP07724433.3
申请日：2007-04-20
申请人： Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
发明人： QUENZER, Hans-Joachim , ZWICKER, Gerfried
IPC分类号： B23H3/00 , C25D3/00
CPC分类号： B23H3/00 , B81C1/00634 , B81C2201/0146 , C25F3/14
摘要： The invention relates to a method for treating the surfaces of an electrically conducting substrate surface (2). According to said method, a tool (1) comprising an ion-conducting solid material is contacted with the substrate surface at least in some areas thereof, said tool being adapted to conduct the metal ions of the substrate surface and an electric potential (U) being applied thereto so that an electric potential gradient is applied between the substrate surface and the tool in such a manner that the tool removes metal ions from the substrate surface or deposits them onto the substrate surface.

4. 发明授权

EP1787785B1 Extrusion system for producing fine structures having high aspect ratio 有权
标题翻译：用于制造精细图案具有高纵横比挤出工具
公开(公告)号：EP1787785B1
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：EP06123904.2
申请日：2006-11-13
申请人： SolarWorld Innovations GmbH
发明人： Fork, David K. , Hantschel, Thomas
IPC分类号： H01L31/18 , B29C47/02 , B29C47/12 , B29C47/06 , B81C1/00
CPC分类号： B29C47/026 , B29C47/0021 , B29C47/065 , B29C47/145 , B29C47/705 , B29C47/707 , B81C1/00634 , B81C2900/02 , H01L31/022425 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y10T428/24802

5. 发明公开

EP2058076A2 Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitfähigen Substratoberfläche 有权
标题翻译：一种用于在对制成的玻璃透镜成型玻璃碳的按压工具的制造中的表面处理工艺。
公开(公告)号：EP2058076A2
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：EP08022416.5
申请日：2007-04-20
申请人： Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
发明人： Quenzer, Hans-Joachim , Zwicker, Gerfried
IPC分类号： B23H3/00 , C25D3/00
CPC分类号： B23H3/00 , B81C1/00634 , B81C2201/0146 , C25F3/14
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitenden Substratoberfläche, bei dem ein festes Ionen leitendes Material in Form von ZrO 2 aufweisendes Werkzeug wenigstens bereichsweise in Kontakt mit der Substratoberfläche, die Kohlenstoff wie etwa Graphit und/oder Glaskohlenstoff enthält, gebracht wird, das als anionischer Ionenleiter ausgebildet ist und an das ein elektrisches Potenzial angelegt wird, so dass aus dem anionischen Ionenleiter Anionen austreten, die sich an der Substratoberfläche zu einer mit der Substratoberfläche reaktiven Verbindung umwandeln, und dass die reaktionsfähige Verbindung mit dem Graphit oder Glaskohlenstoff an der Substratoberfläche eine gasförmige Verbindung eingeht, wodurch die Substratoberfläche lokal abgetragen wird.
摘要翻译：为导电基材表面的表面处理方法包括使由固体材料传导离子在基板表面传导金属离子和施加到电势在基板表面和工具之间的电势降也是如此制成的工具中产生，所述金属离子从表面基材使用工具移除或沉积在基板表面上。

6. 发明公开

EP1948716A2 HYPERBRANCHED POLYMER FOR MICRO DEVICES 有权
标题翻译：用于微型器件的超支化聚合物
公开(公告)号：EP1948716A2
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：EP06821377.6
申请日：2006-11-08
申请人： ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL) , Korea Advanced Institute of Science and Technology
发明人： SCHMIDT, Lars , LETERRIER, Yves , MANSON, Jan-Anders , CHO, Young-Ho , JIN, Young-Hyun
IPC分类号： C08G83/00
CPC分类号： C08L101/005 , B81C1/00634 , C08G83/002 , C08G83/005
摘要： The invention relates to novel polymer-based microstructures, with outstanding shape accuracy and cost-effective processing. The novel polymers are based on hyperbranched macromolecules and enable remarkable property combination such as reduced shrinkage and associated low stress, high shape fidelity and high aspect ratio in patterned microstructures, with additional benefit of fast and low-cost production methods. The invention also relates to methods to produce these microstructures. The polymer-based microstructures are relevant for, but not limited to micro- and nano- technologies applications, including lab-on-a-chip devices, opto-electronic and micro- electromechanical devices, optical detection methods, in fields of use as diverse as automotive, aerospace, information technologies, medical and biotechnologies, and energy systems.
摘要翻译：本发明涉及新颖的基于聚合物的微结构，具有出色的形状精度和成本有效的加工。这种新型聚合物基于超支化大分子，能够实现卓越的性能组合，例如降低收缩率，降低图案化微结构中的低应力，高形状保真度和高纵横比，以及快速和低成本生产方法的额外优势。本发明还涉及制造这些微结构的方法。基于聚合物的微结构与包括但不限于微纳技术应用有关，包括芯片上实验室设备，光电和微机电设备，光学检测方法，以及多用途领域如汽车，航空航天，信息技术，医疗和生物技术以及能源系统。

7. 发明公开

EP2947497A3 TWO-DIMENSIONAL OPTICAL DEFLECTOR INCLUDING TWO SOI STRUCTURES AND ITS MANUFACTURING METHOD 有权转让
标题翻译：带双SOI结构及其生产工艺二维光偏转器
公开(公告)号：EP2947497A3
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：EP15167660.8
申请日：2015-05-13
申请人： Stanley Electric Co., Ltd.
发明人： Yasuda, Yoshiaki
IPC分类号： G02B26/08 , G02B26/10 , B81C1/00 , G02B7/182
CPC分类号： G02B26/0858 , B81C1/00357 , B81C1/00634 , G02B7/182 , G02B26/101
摘要： A two-dimensional optical deflector includes a first S0I structure (S1) and a second S0I structure (S2). A height (h1) of a monocrystalline silicon support layer (101) of the first S0I structure (S1) is smaller than a height (h3) of a monocrystalline silicon support layer (201) of the second S0I structure (S2). A mirror (1) includes a monocrystalline silicon active layer (203) of the first S0I structure (S1). An inner frame (3), an inner piezoelectric actuator (4a, 4b; 14a, 14b) and an outer frame (5) include a monocrystalline silicon active layer (103) of the first S0I structure (S1) and the monocrystalline silicon active layer (203) of the second S0I structure (S2). An outer piezoelectric actuator (6a, 6b) includes the monocrystalline silicon active layer (103) of the first S0I structure (S1).
摘要翻译：二维光学偏转器包括第一S 0I结构（S1）和第二S 0I结构（S2）。第一S 0I结构（S1）的一单晶硅支撑层（101）的高度（H1）比第二S 0I结构（S2）的一单晶硅支撑层（201）的高度（H3）小。的反射镜（1）包括第一S 0I结构（S1）的一单晶硅活性层（203）。内框架（3），在帧内压电致动器（4A，4B; 14A，14B）和外框架（5）包括一个单晶硅活性前s 0I结构的层（103）（S1）和所述单晶硅活性层第二0I结构（S2）的（203）。外压电致动器（6A，6B）包括第一S 0I结构（S1）的单晶硅活性层（103）。

8. 发明授权

EP2620408B1 Method for producing thin, free-standing layers of solid state materials with structured surfaces 有权
标题翻译：一种用于制造具有结构化表面的固态材料的薄的，自支撑层的方法
公开(公告)号：EP2620408B1
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：EP13163963.5
申请日：2009-12-18
申请人： Siltectra GmbH
发明人： Lichtensteiger, Lukas
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/762 , H01L21/304 , B28D1/00 , B28D1/22
CPC分类号： B28D1/221 , B81C1/00634 , B81C2201/038 , H01L21/304 , H01L21/76251 , Y10T225/10

9. 发明公开

EP2058076A3 Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitfähigen Substratoberfläche 有权
标题翻译：一种用于在导电基底表面的表面处理方法
公开(公告)号：EP2058076A3
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：EP08022416.5
申请日：2007-04-20
申请人： Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
发明人： Quenzer, Hans-Joachim , Zwicker, Gerfried
IPC分类号： B23H3/00 , C25D3/00
CPC分类号： B23H3/00 , B81C1/00634 , B81C2201/0146 , C25F3/14
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitenden Substratoberfläche, bei dem ein festes Ionen leitendes Material in Form von ZrO 2 aufweisendes Werkzeug wenigstens bereichsweise in Kontakt mit der Substratoberfläche, die Kohlenstoff wie etwa Graphit und/oder Glaskohlenstoff enthält, gebracht wird, das als anionischer Ionenleiter ausgebildet ist und an das ein elektrisches Potenzial angelegt wird, so dass aus dem anionischen Ionenleiter Anionen austreten, die sich an der Substratoberfläche zu einer mit der Substratoberfläche reaktiven Verbindung umwandeln, und dass die reaktionsfähige Verbindung mit dem Graphit oder Glaskohlenstoff an der Substratoberfläche eine gasförmige Verbindung eingeht, wodurch die Substratoberfläche lokal abgetragen wird.

10. 发明公开

EP1614665A4 METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE WITH RECESS AND PROTRUSION 无效转让
标题翻译：方法生产的对象与切割和LEAD
公开(公告)号：EP1614665A4
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：EP04713216
申请日：2004-02-20
申请人： NIPPON SHEET GLASS CO LTD , OLYMPUS CORP
发明人： TSUNETOMO KEIJI , OKAMOTO SHINYA , SAITO YASUHIRO , KURACHI JUNJI , KOYAMA AKIHIRO , KOYO HIROTAKA , HIDAKA TAKESHI , KASAI HIROAKI , HIJINO MASAMICHI , NAKAMURA YASUSHI
IPC分类号： C03C15/00 , C03C17/23 , C03C19/00
CPC分类号： C03C17/23 , B81C1/00031 , B81C1/00634 , C03C15/00 , C03C17/245 , C03C19/00 , C03C2217/213 , C03C2217/23 , C03C2217/77 , C03C2218/31 , C03C2218/33 , G02B1/118 , G02B5/1857 , G02B6/132 , G02B6/136 , G02B2006/12038 , G02B2006/12097
摘要： The present invention improves a method of forming a surface unevenness using a difference in etching rates, and relaxes limitations on substrates in this method. In a method of the present invention, an uneven surface is formed by a method including applying pressure to a predetermined region in a surface of a thin film formed on a substrate, and etching a region including at least a portion of the predetermined region and at least a portion of the reminder of the surface that excludes the predetermined region. An etching rate difference within the thin film increases freedom in selecting a substrate material.

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