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1. 发明授权

EP2620408B1 Method for producing thin, free-standing layers of solid state materials with structured surfaces 有权
标题翻译：一种用于制造具有结构化表面的固态材料的薄的，自支撑层的方法
公开(公告)号：EP2620408B1
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：EP13163963.5
申请日：2009-12-18
申请人： Siltectra GmbH
发明人： Lichtensteiger, Lukas
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/762 , H01L21/304 , B28D1/00 , B28D1/22
CPC分类号： B28D1/221 , B81C1/00634 , B81C2201/038 , H01L21/304 , H01L21/76251 , Y10T225/10

2. 发明公开

EP2843713A3 Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer Rissverlaufsbeeinflussung 有权转让
标题翻译：设备和方法，用于生产具有裂纹路径影响的晶片
公开(公告)号：EP2843713A3
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：EP14183173.5
申请日：2014-09-02
申请人： Siltectra GmbH
发明人： Lichtensteiger, Lukas , Richter, Jan , Ajaj, Anas
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/67 , H01L21/304
摘要： Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Festkörperschichten (5). Das erfindungsgemäße Verfahren weist die folgenden Schritte auf:
Bereitstellen mindestens eines Werkstücks (1) zum Ablösen der Festkörperschichten (5),
wobei das Werkstück (1) zumindest zwei sich zueinander im Wesentlichen in parallelen X-Y-Ebenen erstreckende exponierte Oberflächen aufweist,
Erzeugen und/oder Bereitstellen einer Aufnahmeschicht (8) zum Halten der Festkörperschicht (5),
zumindest abschnittsweises Verbinden der Aufnahmeschicht (8) mit einer ersten der beiden exponierten Oberflächen (2) des Werkstücks (1) unter Bildung einer Kompositstruktur, und
Erzeugen und/oder Bereitstellen einer Stabilisierungsschicht (20) zum Halten des Werkstücks (1),
zumindest abschnittsweises Verbinden der Stabilisierungsschicht (20) mit einer zweiten der beiden exponierten Oberflächen (2) des Werkstücks (1) und mit der Aufnahmeschicht,
wobei mindestens ein Anteil der Aufnahmeschicht in dem mit der Stabilisierungsschicht verbundenen Verbindungsbereich eine vorgegebene Form aufweist,
Beaufschlagen der Kompositstruktur mit einem inneren und/oder äußeren Spannungsfeld in der Art, dass die Festkörperschicht (5) entlang einer sich innerhalb des Werkstücks (1) erstreckenden Ebene durch eine Rissausbreitung (48) von dem Werkstück (1) abgelöst wird,
wobei durch die Form der Aufnahmeschicht im Verbindungsbereich die Rissausbreitung (48) innerhalb des Werkstücks (48) definiert beeinflusst wird.

3. 发明公开

EP2843712A2 Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer selektiven Positionierung im Trägersystem 有权转让
标题翻译：装置和方法，用于与所述载波系统中选择性定位制造晶片
公开(公告)号：EP2843712A2
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：EP14183172.7
申请日：2014-09-02
申请人： Siltectra GmbH
发明人： Lichtensteiger, Lukas , Man, Hau-Kit , Richter, Jan
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L21/67092 , B28D5/0058
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Festkörperschichten (5), insbesondere zur Verwendung als Wafer. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte:
Bereitstellen mindestens eines Werkstücks (1) zum Ablösen der Festkörperschichten (5),
wobei das Werkstück (1) zumindest eine exponierte Oberfläche aufweist,
Erzeugen und/oder Bereitstellen einer Trägereinheit (6) zum Aufnehmen mindestens einer Festkörperschicht (5),
wobei die Trägereinheit (6) zumindest eine Aufnahmeschicht (8) zum Halten der Festkörperschicht (5) aufweist, die zumindest abschnittweise von einer Ablöseschicht (10) überlagert wird,
zumindest abschnittsweises Verbinden der Aufnahmeschicht (8) mit der exponierten Oberfläche (2) des Werkstücks (1) unter Bildung einer Kompositstruktur, wobei die Ablöseschicht (10) das Werkstück (1) zumindest abschnittsweise in Umfangsrichtung umschließt, und
Beaufschlagen der Kompositstruktur mit einem inneren und/oder äußeren Spannungsfeld in der Art, dass die Festkörperschicht (5) entlang einer sich innerhalb des Werkstücks (1) erstreckenden Ebene durch eine Rissausbreitung (48) von dem Werkstück (1) abgelöst wird, wobei der Riss (48) sich zunächst im Bereich der Ablöseschicht (10) ausbreitet und mittels der Ablöseschicht (10) in das Werkstück (1) eingeleitet wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于固体层（5），特别是用作晶片的制备方法。该方法包括至少以下步骤：用于去除固体层（5），其中该工件（1）具有至少一个暴露的表面，产生和/或提供载体单元，用于接收至少一个固体层（6）提供的至少一个工件（1）（（5），其中所述载体单元（6）至少具有用于与所述暴露表面保持固态层（5），其至少在一个剥离层（10的部分重叠），至少分批记录层（8）的键合的记录层（8） 2）在工件（1）以形成复合物，所述释放层（10），所述工件（1）在圆周方向上至少部分地包围，而在方式与内部和/或外部应力场对所述复合结构，所述固体层（5 ）通过R2为沿着一个延伸（工件1）平面内 sausbreitung（48）从所述工件（1）的分离，其中所述裂缝（48）最初膨胀在剥离层（10）的区域，并通过在工件（1）的剥离层（10）的装置被启动。

4. 发明公开

EP2843712A3 Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer selektiven Positionierung im Trägersystem 有权转让
标题翻译：装置和方法，用于与所述载波系统中选择性定位制造晶片
公开(公告)号：EP2843712A3
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：EP14183172.7
申请日：2014-09-02
申请人： Siltectra GmbH
发明人： Lichtensteiger, Lukas , Man, Hau-Kit , Richter, Jan
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/67 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67092 , B28D5/0058
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Festkörperschichten (5), insbesondere zur Verwendung als Wafer. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte:
Bereitstellen mindestens eines Werkstücks (1) zum Ablösen der Festkörperschichten (5),
wobei das Werkstück (1) zumindest eine exponierte Oberfläche aufweist,
Erzeugen und/oder Bereitstellen einer Trägereinheit (6) zum Aufnehmen mindestens einer Festkörperschicht (5),
wobei die Trägereinheit (6) zumindest eine Aufnahmeschicht (8) zum Halten der Festkörperschicht (5) aufweist, die zumindest abschnittweise von einer Ablöseschicht (10) überlagert wird,
zumindest abschnittsweises Verbinden der Aufnahmeschicht (8) mit der exponierten Oberfläche (2) des Werkstücks (1) unter Bildung einer Kompositstruktur, wobei die Ablöseschicht (10) das Werkstück (1) zumindest abschnittsweise in Umfangsrichtung umschließt, und
Beaufschlagen der Kompositstruktur mit einem inneren und/oder äußeren Spannungsfeld in der Art, dass die Festkörperschicht (5) entlang einer sich innerhalb des Werkstücks (1) erstreckenden Ebene durch eine Rissausbreitung (48) von dem Werkstück (1) abgelöst wird, wobei der Riss (48) sich zunächst im Bereich der Ablöseschicht (10) ausbreitet und mittels der Ablöseschicht (10) in das Werkstück (1) eingeleitet wird.

5. 发明公开

EP2620409A1 Method for producing thin, free-standing layers of solid state materials with structured surfaces 有权转让
标题翻译：一种用于制造具有结构化表面的固态材料的薄的，自支撑层的方法
公开(公告)号：EP2620409A1
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：EP13163979.1
申请日：2009-12-18
申请人： Siltectra GmbH
发明人： Lichtensteiger, Lukas
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/762 , H01L21/304 , B28D1/00 , B28D1/22
CPC分类号： B28D1/221 , B81C1/00634 , B81C2201/038 , H01L21/304 , H01L21/76251 , Y10T225/10
摘要： It is disclosed a method of printing comprising the steps of:
providing a solid state material having at least one exposed surface;
applying an auxiliary layer to the exposed surface to form a composite structure;
subjecting the composite structure to conditions inducing a stress pattern in the auxiliary layer and in the solid state material, thereby facilitating fracture of the solid state material substantially along a plane at a depth therein; and patterning the auxiliary layer after removing the auxiliary layer and, therewith, a layer of the solid state material terminating at the fracture depth.
摘要翻译：它是圆盘印刷游离缺失的方法，包括以下步骤：提供具有至少一个暴露表面的固态材料; 施加到辅助层，以暴露表面上以形成复合结构; 对该复合物结构，以在所述辅助层，并在固态材料中诱导的应力图案，由此促进所述固态材料的断裂沿着在一个深度在其中的平面基本条件; 并用，在断裂深度终止固态材料层除去所述辅助层，并且还有后图案化所述辅助层。

6. 发明公开

EP2620408A1 Method for producing thin, free-standing layers of solid state materials with structured surfaces 有权
标题翻译：一种用于制造具有结构化表面的固态材料的薄的，自支撑层的方法
公开(公告)号：EP2620408A1
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：EP13163963.5
申请日：2009-12-18
申请人： Siltectra GmbH
发明人： Lichtensteiger, Lukas
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/762 , H01L21/304 , B28D1/00 , B28D1/22
CPC分类号： B28D1/221 , B81C1/00634 , B81C2201/038 , H01L21/304 , H01L21/76251 , Y10T225/10
摘要： It is disclosed a method of printing comprising the steps of: providing a solid state material having at least one exposed surface;
applying an auxiliary layer to the exposed surface to form a composite structure; wherein the auxiliary layer comprises a silicone polymer or a copolymer;
subjecting the composite structure to conditions inducing a stress pattern in the auxiliary layer and in the solid state material, thereby facilitating fracture of the solid state material substantially along a plane at a depth therein; and
removing the auxiliary layer and, therewith, a layer of the solid state material terminating at the fracture depth.
摘要翻译：它是圆盘印刷游离缺失的方法，包括以下步骤：提供具有至少一个暴露表面的固态材料; 施加到辅助层，以暴露表面上以形成复合结构; worin辅助层包含有机硅聚合物或共聚物; 对该复合物结构，以在所述辅助层，并在固态材料中诱导的应力图案，由此促进所述固态材料的断裂沿着在一个深度在其中的平面基本条件; 并用，在断裂深度终止固态材料层除去所述辅助层，并在那里。

7. 发明授权

EP2620409B1 Method for producing thin, free-standing layers of solid state materials with structured surfaces 有权转让
标题翻译：一种用于制造具有结构化表面的固态材料的薄的，自支撑层的方法
公开(公告)号：EP2620409B1
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：EP13163979.1
申请日：2009-12-18
申请人： Siltectra GmbH
发明人： Lichtensteiger, Lukas
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/762 , H01L21/304 , B28D1/00 , B28D1/22
CPC分类号： B28D1/221 , B81C1/00634 , B81C2201/038 , H01L21/304 , H01L21/76251 , Y10T225/10

8. 发明公开

EP2800125A1 Verfahren zum Herstellen von Wafern mittels einer vordefinierten Spannungsverteilung 有权转让
标题翻译：一种用于通过一个预定的电压分布来生产晶片的方法
公开(公告)号：EP2800125A1
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：EP14167024.0
申请日：2014-05-05
申请人： Siltectra GmbH
发明人： Lichtensteiger, Lukas
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02002 , H01L21/304
摘要： Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Festkörperschichten, insbesondere zur Verwendung als Wafer. Das Verfahren umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Werkstücks (4) zum Ablösen der Festkörperschichten, wobei das Werkstück (4) zumindest eine exponierte Oberfläche aufweist. Erzeugen und/oder Bereitstellen einer Trägereinheit zum Aufnehmen mindestens einer Festkörperschicht, wobei die Trägereinheit eine Aufnahmeschicht (2) zum Halten der Festkörperschicht aufweist. Anbringung der Aufnahmeschicht (2) an der exponierten Oberfläche des Werkstücks (4) unter Bildung einer Kompositstruktur. Erzeugen einer vordefinierten Spannungsverteilung (14) innerhalb des Werkstücks (4) zum Beeinflussen, insbesondere zum definierten Vorgeben, eines Abspaltverlaufs beim Abspalten der Festkörperschicht von dem Werkstück (4) und Abspalten der Festkörperschicht von dem Werkstück (4) entlang einer sich innerhalb des Werkstücks (4) erstreckenden Ebene gemäß dem durch die vordefinierte Spannungsverteilung (14) beeinflussten Abspaltverlauf.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备固体层，在特别是用作晶片的方法。该方法包括以下步骤：提供一个工件（4）以分离固体层，其中所述工件（4）具有至少一个暴露表面。产生和/或用于接收至少一个固体层，其中所述支撑单元具有用于保持所述固体层的记录层（2）提供载体单元。所述工件（4）的暴露的表面上的记录层（2）的附接，以形成复合结构。生成所述工件（4）用于影响内的预定电压分布（14），特别是用于限定的预置，一个Abspaltverlaufs从所述工件（4）和除去固体层的从所述工件（4）沿一个除去固体层的（在工件内时 4）延伸的根据（由应力分布14预定平面）的影响Abspaltverlauf。

9. 发明授权

EP2843713B1 Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer Rissverlaufsbeeinflussung 有权转让
公开(公告)号：EP2843713B1
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：EP14183173.5
申请日：2014-09-02
申请人： Siltectra GmbH
发明人： Lichtensteiger, Lukas , Richter, Jan , Ajaj, Anas
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/67 , H01L21/304

10. 发明授权

EP2800125B1 Verfahren zum Herstellen von Wafern mittels einer vordefinierten Spannungsverteilung 有权转让
公开(公告)号：EP2800125B1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：EP14167024.0
申请日：2014-05-05
申请人： Siltectra GmbH
发明人： Lichtensteiger, Lukas
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02002 , H01L21/304

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